Inscription équivalente de divers de transistor MOSFET de puissance du transistor 6N60 Z 6.2A 600V amplificateur de radio
Numéro de type:6N60
Point d'origine:Shenzhen en Chine
Quantité d'ordre minimum:1000-2000 PCs
Conditions de paiement:L/C T/T Western Union
Capacité d'approvisionnement:18,000,000PCS/par jour
Délai de livraison:1 - 2 semaines
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Shenzhen Guangdong China
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Pièce 2013, bâtiment international de DingCheng, ZhenHua Road, secteur de FuTian, Shenzhen, province du Guangdong
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transistor MOSFET de PUISSANCE de N-CANAL de 6N60 Z 6.2A 600V
DESCRIPTION
L'UTC 6N60Z est un transistor MOSFET haute tension de puissance et est conçu pour avoir de meilleures caractéristiques, telles que le temps rapide de commutation, la basse charge de porte, la basse résistance de sur-état et les caractéristiques rocailleuses élevées d'avalanche. Ce transistor MOSFET de puissance est habituellement utilisé aux applications grande vitesse de commutation dans des alimentations et des adaptateurs d'énergie de commutation.
CARACTÉRISTIQUES
RDS(DESSUS)< 1=""> GS = 10V, ID = 3.1A
* capacité rapide de commutation
* énergie d'avalanche examinée
* capacité améliorée de dv/dt, rugosité élevée
L'INFORMATION DE COMMANDE
| Numéro de commande | Paquet | Tche de Pin | Emballage | |||
| Sans plomb | L'halogène libèrent | 1 | 2 | 3 | ||
| 6N60ZL-TF3-T | 6N60ZG-TF3-T | TO-220F | G | D | S | Tube |
Note : Tche de Pin : G : Porte D : Drain S : Source
CAPACITÉS ABSOLUES (TC = 25°С, sauf indication contraire)
| PARAMÈTRE | SYMBOLE | ESTIMATIONS | UNITÉ | |
| Tension de Drain-source | VDSS | 600 | V | |
| Tension de Porte-source | VGSS | ±20 | V | |
| Courant d'avalanche (note 2) | IAR | 6,2 | A | |
| Courant continu de drain | ID | 6,2 | A | |
| Courant pulsé de drain (note 2) | IDM | 24,8 | A | |
| Énergie d'avalanche | Choisissez pulsé (note 3) | EAS | 252 | MJ |
| Répétitif (note 2) | OREILLE | 13 | MJ | |
| Récupération maximale de diode dv/dt (note 4) | dv/dt | 4,5 | NS | |
| Dissipation de puissance | PD | 40 | W | |
| La température de jonction | TJ | +150 | °C | |
| Température de fonctionnement | TOPR | -55 | +150 | °C | |
| Température de stockage | TSTG | -55 | +150 | °C | |
Notes : 1. les capacités absolues sont ces valeurs au del dont le dispositif pourrait être de manière permanente endommagé.
Les capacités absolues sont des estimations d'effort seulement et l'opération fonctionnelle de dispositif n'est pas impliquée.
4. Estimation répétitive : Durée d'impulsion limitée par la température de jonction maximum.
5. L = 84mH, ICOMME =1.4A, Vdensité double = 50V, RG = Ω 25 commençant TJ = 25°C
6. I ≤ 2.0A, di/dt ≤200A/μs, densité double ≤BVSAD d'écart-typede V, commençant TJ = 25°C
DONNÉES THERMIQUES
| PARAMÈTRE | SYMBOLE | ÉVALUATION | UNITÉ |
| Jonction ambiant | θJA | 62,5 | °C/W |
| Jonction au cas | θJC | 3,2 | °C/W |
CARACTÉRISTIQUES ÉLECTRIQUES (TJ = 25°С, sauf indication contraire)
| PARAMÈTRE | SYMBOLE | CONDITIONS D'ESSAI | MINUTE | TYPE | Max | UNITÉ | |
| OUTRE DES CARACTÉRISTIQUES | |||||||
| Tension claque de Drain-source | BVDSS | VGS = 0V, ID = 250μA | 600 | V | |||
Courant de fuite de Drain-source |
IDSS | VDS = 600V, VGS = 0V | 10 | μA | |||
| VDS = 480V, VGS = 0V, TJ=125°C | 100 | μA | |||||
| Courant de fuite de source de porte | En avant | IGSS | VGS = 20V, VDS = 0V | 10 | μA | ||
| Inverse | VGS = -20V, VDS = 0V | -10 | μA | ||||
| Coefficient de température de tension claque | △BVDSS/△TJ | ID=250μA, référencé 25°C | 0,53 | V/°C | |||
| SUR DES CARACTÉRISTIQUES | |||||||
| Tension de seuil de porte | VGS (TH) | VDS = VGS, ID = 250μA | 2,0 | 4,0 | V | ||
| Résistance statique de Sur-état de Drain-source | LE RDS (DESSUS) | VGS = 10V, ID = 3.1A | 1,4 | 1,75 | Ω | ||
| CARACTÉRISTIQUES DYNAMIQUES | |||||||
| Capacité d'entrée | CISS | VDS=25V, VGS=0V, f=1.0 mégahertz | 770 | 1000 | PF | ||
| Capacité de sortie | COSS | 95 | 120 | PF | |||
| Capacité inverse de transfert | CRSS | 10 | 13 | PF | |||
| CARACTÉRISTIQUES DE COMMUTATION | |||||||
| Temps de retard d'ouverture | le TD (DESSUS) | VGS=0~10V, VDD=30V, ID =0.5A, RG =25Ω (Note 1, 2) | 45 | 60 | NS | ||
| Temps de montée d'ouverture | tR | 95 | 110 | NS | |||
| Temps de retard d'arrêt | le TD () | 185 | 200 | NS | |||
| Temps d'arrêt d'automne | tF | 110 | 125 | NS | |||
| Charge totale de porte | QG | VGS=10V, VDD=50V, ID=1.3A IG=100μA (note 1, 2) | 32,8 | OR | |||
| Charge de Porte-source | QGS | 7,0 | OR | ||||
| Charge de Porte-drain | QGD | 9,8 | OR | ||||
| CARACTÉRISTIQUES DE DIODE DE DRAIN-SOURCE ET ESTIMATIONS MAXIMUM | |||||||
| Tension en avant de diode de Drain-source | VSD | VGS = 0 V, IS = 6,2 A | 1,4 | V | |||
| La diode continue maximum de Drain-source expédient le courant | IS | 6,2 | A | ||||
Le maximum a palpité diode de Drain-source Courant en avant | ISM | 24,8 | A | ||||
| Temps de rétablissement inverse | trr | VGS = 0 V, IS = 6,2 A, DiF/dt = 100 A/μs (note 1) | 290 | NS | |||
| Charge inverse de récupération | QRR | 2,35 | μC | ||||
Essentiellement indépendant de température de fonctionnement. Notes
: 1. essai d'impulsion : ≤ 300µs, ≤ 2% de durée d'impulsion de
coefficient d'utilisation.
Inscription équivalente de divers de transistor MOSFET de puissance du transistor 6N60 Z 6.2A 600V amplificateur de radio
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