Commutation de circuit du transistor de puissance de transistor MOSFET de la Manche de N 2A 600V pour la commande de LED
Numéro de type:5N20DY TO-252
Point d'origine:Shenzhen en Chine
Quantité d'ordre minimum:négociation
Conditions de paiement:L/C T/T Western Union
Capacité d'approvisionnement:18,000,000PCS/par jour
Délai de livraison:1 - 2 semaines
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Shenzhen Guangdong China
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Pièce 2013, bâtiment international de DingCheng, ZhenHua Road, secteur de FuTian, Shenzhen, province du Guangdong
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Commutation de circuit du transistor de puissance de transistor MOSFET de la Manche de N 2A 600V pour la commande de LED
Description de transistor de puissance de transistor MOSFET
Le fossé avancé d'utilisations d'AP50N20D
technologie pour fournir l'excellent RDS (DESSUS) et la basse charge de porte.
Les transistors MOSFET complémentaires peuvent être utilisés pour former un commutateur latéral élevé décalé par niveau, et pour un centre serveur d'autre
Caractéristiques générales de transistor de puissance de transistor MOSFET
V DS =200V, I D =5A
R DS (DESSUS) <520m>
Application de transistor de puissance de transistor MOSFET
Commutation de charge
Dur commuté et la haute fréquence fait le tour de l'alimentation d'énergie non interruptible
Inscription et information de commande de paquet
| Identité de produit | Paquet | Repérage | Quantité (PCS) |
| 5N20D | TO-252 | 5N20D | 3000 |
| 5N20Y | TO-251 | 5N20Y | 4000 |
Capacités absolues (TA=25℃ sauf indication contraire)
| Paramètre | Symbole | Limite | Unité |
| Tension de Drain-source | VDS | 200 | V |
| Tension de Porte-source | VGS | ±20 | V |
| Vidangez Actuel-continu | Identification | 5 | A |
| Vidangez Actuel-pulsé (note 1) | IDM | 20 | A |
| Dissipation de puissance maximum | Palladium | 30 | W |
| Température ambiante fonctionnante de jonction et de température de stockage | TJ, TSTG | -55 150 | ℃ |
Caractéristique thermique
| Résistance thermique, Jonction--ambiante (note 2) | RθJA | 4,17 | ℃/W |
Caractéristiques électriques (TA=25℃ sauf indication contraire)
| Paramètre | Symbole | Condition | Minute | Type | Maximum | Unité |
| Outre des caractéristiques | ||||||
| Tension claque de Drain-source | BVDSS | VGS=0V ID=250μA | 200 | - | - | V |
| Courant zéro de drain de tension de porte | IDSS | VDS=200V, VGS=0V | - | - | 1 | μA |
| Courant de fuite de Porte-corps | IGSS | VGS=±20V, VDS=0V | - | - | ±100 | Na |
| Sur des caractéristiques (note 3) | ||||||
| Tension de seuil de porte | VGS (Th) | VDS=VGS, ID=250μA | 1,2 | 1,7 | 2,5 | V |
| Résistance de Sur-état de Drain-source | LE RDS (DESSUS) | VGS=10V, ID=2A | - | 520 | 580 | mΩ |
| Transconductance en avant | gFS | VDS=15V, ID=2A | - | 8 | - | S |
| Caractéristiques dynamiques (Note4) | ||||||
| Capacité d'entrée | Clss |
VDS=25V, VGS=0V, F=1.0MHz | - | 580 | - | PF |
| Capacité de sortie | Coss | - | 90 | - | PF | |
| Capacité inverse de transfert | Crss | - | 3 | - | PF | |
| Caractéristiques de commutation (note 4) | ||||||
| Temps de retard d'ouverture | le TD (dessus) |
VDD=100V, RL=15Ω VGS=10V, RG=2.5Ω | - | 10 | - | NS |
| Temps de montée d'ouverture | TR | - | 12 | - | NS | |
| Temps de retard d'arrêt | le TD () | - | 15 | - | NS | |
| Temps d'arrêt d'automne | tf | - | 15 | - | NS | |
| Charge totale de porte | Qg |
VDS=100V, ID=2A, VGS=10V | - | 12 | OR | |
| Charge de Porte-source | Qgs | - | 2,5 | - | OR | |
| Charge de Porte-drain | Qgd | - | 3,8 | - | OR | |
| Caractéristiques de diode de Drain-source | ||||||
| Tension en avant de diode (note 3) | VSD | VGS=0V, IS=2A | - | - | 1,2 | V |
| Courant en avant de diode (note 2) | EST | - | - | 5 | A | |
Notes :
- Estimation répétitive : Durée d'impulsion limitée par la température de jonction maximum.
- Surface montée sur FR4 le panneau, sec du ≤ 10 de t.
- Essai d'impulsion : ≤ 300μs, ≤ 2% de durée d'impulsion de coefficient d'utilisation.
- Garanti par conception, pas sujet la production
Symbole | Dimensions dans les millimètres | Dimensions en pouces | ||
| Minimal. | Maximum. | Minimal. | Maximum. | |
| A | 2,200 | 2,400 | 0,087 | 0,094 |
| A1 | 0,000 | 0,127 | 0,000 | 0,005 |
| b | 0,660 | 0,860 | 0,026 | 0,034 |
| c | 0,460 | 0,580 | 0,018 | 0,023 |
| D | 6,500 | 6,700 | 0,256 | 0,264 |
| D1 | 5,100 | 5,460 | 0,201 | 0,215 |
| D2 | 0,483 TYPES. | 0,190 TYPES. | ||
| E | 6,000 | 6,200 | 0,236 | 0,244 |
| e | 2,186 | 2,386 | 0,086 | 0,094 |
| L | 9,800 | 10,400 | 0,386 | 0,409 |
| L1 | 2,900 TYPE. | 0,114 TYPES. | ||
| L2 | 1,400 | 1,700 | 0,055 | 0,067 |
| L3 | 1,600 TYPE. | 0,063 TYPES. | ||
| L4 | 0,600 | 1,000 | 0,024 | 0,039 |
| Φ | 1,100 | 1,300 | 0,043 | 0,051 |
| θ | 0° | 8° | 0° | 8° |
| h | 0,000 | 0,300 | 0,000 | 0,012 |
| V | 5,350 TYPE. | 0,211 TYPES. | ||
Commutation de circuit du transistor de puissance de transistor MOSFET de la Manche de N 2A 600V pour la commande de LED
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