Taille standard électronique du transistor de puissance de transistor MOSFET de composants 30P03X TO-252
Numéro de type:30P03X TO-252
Point d'origine:Shenzhen en Chine
Quantité d'ordre minimum:négociation
Conditions de paiement:L/C T/T Western Union
Capacité d'approvisionnement:18,000,000PCS/par jour
Délai de livraison:1 - 2 semaines
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Shenzhen Guangdong China
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Pièce 2013, bâtiment international de DingCheng, ZhenHua Road, secteur de FuTian, Shenzhen, province du Guangdong
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Taille standard électronique du transistor de puissance de transistor MOSFET de composants 30P03X TO-252
Description de transistor de puissance de transistor MOSFET
La technologie avancée de fossé des utilisations 30P03X
et conception pour fournir l'excellent RDS (DESSUS) le bas
gatecharge. Il peut être employé dans l'une grande variété
applications.
Caractéristiques générales de transistor de puissance de
transistor MOSFET
VDS=-30V, ID=-40A
LE RDS (DESSUS)<20m> LE RDS (DESSUS)<32m>
Application de transistor de puissance de transistor MOSFET
Application de commutation de puissance de ●
Circuits dur commutés et haute fréquence de ●
Alimentation d'énergie non interruptible de ●
Inscription et information de commande de paquet
Capacités absolues (T A =25℃ sauf indication contraire)
Caractéristiques électriques (T A =25℃ sauf indication contraire)
Notes :
1. estimation répétitive : Durée d'impulsion limitée par la
température de jonction maximum.
2. surface montée sur FR4 le panneau, sec du ≤ 10 de t.
3. essai d'impulsion : ≤ 300μs, ≤ 2% de durée d'impulsion de
coefficient d'utilisation.
4. garanti par conception, pas sujet la production
Caractéristiques électriques et thermiques typiques
Taille standard électronique du transistor de puissance de transistor MOSFET de composants 30P03X TO-252
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