Transistor de puissance élevée de 30P06D TO-252, transistor à effet de champ fait sur commande
Numéro de type:30P06D TO-252
Point d'origine:Shenzhen en Chine
Quantité d'ordre minimum:négociation
Conditions de paiement:L/C T/T Western Union
Capacité d'approvisionnement:18,000,000PCS/par jour
Délai de livraison:1 - 2 semaines
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Shenzhen Guangdong China
Adresse:
Pièce 2013, bâtiment international de DingCheng, ZhenHua Road, secteur de FuTian, Shenzhen, province du Guangdong
dernière connexion fois fournisseur:
dans 14 heures
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Transistor de puissance élevée de 30P06D TO-252, transistor effet de champ fait sur commande
DESCRIPTION de transistor de puissance élevée
Le fossé avancé des utilisations 30P06D
technologie pour fournir excellent R DS (DESSUS)
et basse charge de porte. Ce dispositif est
approprié pour l'usage comme commutateur de charge ou dedans
Applications de PWM.
GÉNÉRAL CARACTÉRISTIQUES de transistor de puissance élevée
V DS = - 60V, I D =-30A
R de puissance élevée de DS ( < 40m=""> DESSUS) R DS ( <
55m=""> DESSUS) et capacité de remise actuelle
Le produit sans plomb est acquis
Paquet extérieur de bti
Application de transistor de puissance élevée
Applications de PWM
Gestion de puissance
Inscription et information de commande de paquet
CAPACITÉS ABSOLUES (TA=25℃ sauf indication contraire)
CARACTÉRISTIQUES ÉLECTRIQUES (TA=25℃ sauf indication contraire)
NOTES :
1. Estimation répétitive : Durée d'impulsion limitée par la
température de jonction maximum.
2. surface montée sur 1in 2 FR4 panneau, sec du ≤ 10 de t.
3. essai d'impulsion : ≤ 300μs, ≤ 2% de durée d'impulsion de
coefficient d'utilisation. 4. garanti par conception, pas sujet
l'essai de production.
CARACTÉRISTIQUES ÉLECTRIQUES ET THERMIQUES TYPIQUES
L'information du paquet TO-252
Transistor de puissance élevée de 30P06D TO-252, transistor à effet de champ fait sur commande
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