P creusent des rigoles le type le transistor, transistor MOSFET à haute tension de N de puissance de 19P03 D-U-V

P creusent des rigoles le type le transistor, transistor MOSFET haute tension de N de puissance de 19P03 D-U-V

N dactylographient l'introduction de transistor

Un transistor MOSFET de puissance est un type particulier de transistor effet de champ de semiconducteur métal oxyde. Il est particulièrement conçu pour manipuler des puissances de haut niveau. Les transistors MOSFET de puissance sont construits dans une configuration de V. Par conséquent, elle s'appelle également comme V-MOSFET, VFET. Les symboles du transistor MOSFET de puissance de n canal et de canal de p sont montrés dans la figure ci-dessous.

N dactylographient la caractéristique de transistor

-30V/-90A
R DS (DESSUS) = 4.8mΩ (type.) @V GS = 10V
R DS (DESSUS) = 6.5mΩ (type.) @V GS = 4.5V
avalanche 100% examinée
Fiable et rocailleux
Dispositifs sans plomb et verts
Disponible (RoHS conforme)

N dactylographient des applications de transistor

Application de commutation

Gestion de puissance pour des systèmes d'inverseur.

L'information de commande et de repérage

D U V
19P03 19P03 19P03
YYXXXJWW G YYXXXJWW G YYXXXJWW G
Code de paquet
D : TO-252-2L U : TO-251-3L V : TO-251-3S
Matériel d'Assemblée de code de date
YYXXX WW G : L'halogène libèrent

Note : Les produits sans plomb de HUAYI contiennent des composés de bti/meurent les matériaux d'attache et le fer-blanc de matte de 100%
Finition d'arrêt ; ce qui sont entièrement conformes avec RoHS. Les produits sans plomb de HUAYI rencontrent ou dépassent l'avance
Conditions libres d'IPC/JEDEC J-STD-020 pour la classification de MSL la température maximale sans plomb de ré-écoulement.
HUAYI définit le « vert » pour signifier sans plomb (RoHS conforme) et l'halogène libre (le Br ou le Cl ne dépasse pas
900ppm en poids dans le matériel et le total homogènes de Br et de Cl ne dépasse pas 1500ppm en poids).
HUAYI se réserve le droit de faire des changements, des corrections, des améliorations, des modifications, et l'improveme NTS
ce produit et/ou ce document tout moment sans préavis.

Capacités absolues

Note : * estimation répétitive ; durée d'impulsion limitée par la température de jonction maximum.
** Surface montée sur le panneau FR-4.
*** Limité par T J maximum, commençant T J =25°C, L = 0.3mH, R G = 25Ω, V GS =10V.

Caractéristiques électriques (comité technique =25°C sauf indication contraire)

Caractéristiques électriques (cont.) (comité technique =25°C sauf indication contraire)

Note : essai de *Pulse ; ≤ 300us, ≤ 2% de durée d'impulsion de coefficient d'utilisation