Structure verticale linéaire 3403D-U-V de transistor à effet de champ de MOS de puissance

Structure verticale linéaire 3403D-U-V de transistor effet de champ de MOS de puissance

Description de transistor effet de champ de MOS

Le transistor effet de champ de MOS sont utilisés dans les beaucoup alimentation d'énergie et applications de puissance générale, particulièrement comme commutateurs. La variante s incluent les transistors MOSFET planaires, VMOS, UMOS TrenchMOS, HEXFETs et d'autres différentes marques.

Caractéristique de transistor effet de champ de MOS

30V/100A
R DS (DESSUS) = 2.4mΩ (type.) @V GS = 10V
R DS (DESSUS) = 2.9mΩ (type.) @V GS = 4.5V

Avalanche 100% examinée

Fiable et rocailleux

Halogène libre et dispositifs verts disponibles

(RoHS conforme)

Applications

Mle synchrone haute fréquence de systèmes
Convertisseurs pour la puissance de processeur d'ordinateur
DC-DC d'isolement par haute fréquence
Convertisseurs avec la rectification synchrone
pour des télécom et l'usage industriel

L'information de commande et de repérage

D U V
3403 3403 3403
YYXXXJWW G YYXXXJWW G YYXXXJWW G

Code de paquet
D : TO-252-2L U : TO-251-3L V : TO-251-3S
Matériel d'Assemblée de code de date
YYXXX WW G : L'halogène libèrent

Note : les produits sans contiennent des composés de bti/meurent les matériaux d'attache et le plateTermi- de bidon de matte de 100%
Finition de nation ; ce qui sont entièrement conformes avec RoHS. les produits sans rencontrent ou dépassent le sans plomb exigent
ments d'IPC/JEDEC J-STD-020 pour la classification de MSL la température maximale sans plomb de ré-écoulement. « Vert »
pour signifier sans plomb (RoHS conforme) et l'halogène libre (le Br ou le Cl ne dépasse pas 900ppm en poids dans homogène
matériel et total du Br et du Cl ne dépasse pas 1500ppm en poids).
se réserve le droit d'apporter des changements, des corrections, des améliorations, des modifications, et des améliorations ce produit et/ou ce document tout moment sans préavis.

Capacités absolues