Bas transistor de puissance de transistor MOSFET de charge de porte pour la gestion-système d'inverseur
Numéro de type:4306W-A
Point d'origine:Shenzhen en Chine
Quantité d'ordre minimum:négociation
Conditions de paiement:L/C T/T Western Union
Capacité d'approvisionnement:18,000,000PCS/par jour
Délai de livraison:1 - 2 semaines
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Shenzhen Guangdong China
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Pièce 2013, bâtiment international de DingCheng, ZhenHua Road, secteur de FuTian, Shenzhen, province du Guangdong
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Bas transistor de puissance de transistor MOSFET de charge de porte pour la gestion-système d'inverseur
Quel est un transistor de puissance de transistor MOSFET ?
Un transistor MOSFET de puissance est un type particulier de transistor effet de champ de semiconducteur métal oxyde. Il est particulièrement conçu pour manipuler des puissances de haut niveau. Les transistors MOSFET de puissance sont construits dans une configuration de V. Par conséquent, elle s'appelle également comme V-MOSFET, VFET. Les symboles du transistor MOSFET de puissance de n canal et de canal de p sont montrés dans la figure ci-dessous.
Description de transistor de puissance de transistor MOSFET
60V/230A
R DS (DESSUS) = de m (type.) @ V GS =10V
Reliableand rocailleux
Avance FreeandGreenDevicesAvailable
(RoHSCompliant)
Applications de transistor de puissance de transistor MOSFET
Application de commutation
Gestion de puissance pour des systèmes d'inverseur.
L'information de commande et de repérage
Note : Les produits sans plomb de HUAYI contiennent des composés de
bti/meurent les matériaux d'attache et le fer-blanc de matte de
100% Termi-
Finition de nation ; ce qui sont entièrement conformes avec RoHS.
Les produits sans plomb de HUAYI rencontrent ou dépassent le sans
plomb exigent
ments d'IPC/JEDEC J-STD-020 pour la classification de MSL la
température maximale sans plomb de ré-écoulement. HUAYI définit
« Vert » pour signifier sans plomb (RoHS conforme) et
l'halogène libre (le Br ou le Cl ne dépasse pas 900ppm en poids
dedans
le matériel et le total homogènes de Br et de Cl ne dépasse pas
1500ppm en poids).
HUAYI se réserve le droit d'apporter des changements, des
corrections, des améliorations, des modifications, et des
améliorations ces RP
oduct et/ou ce document tout moment sans préavis.
Capacités absolues
Caractéristiques de fonctionnement typiques
Bas transistor de puissance de transistor MOSFET de charge de porte pour la gestion-système d'inverseur
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