Transistor de puissance de transistor MOSFET de haute performance avec la densité élevée extrême de cellules
Numéro de type:HXY1404S
Point d'origine:Shenzhen en Chine
Quantité d'ordre minimum:négociation
Conditions de paiement:L/C T/T Western Union
Capacité d'approvisionnement:18,000,000PCS/par jour
Délai de livraison:1 - 2 semaines
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Shenzhen Guangdong China
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Pièce 2013, bâtiment international de DingCheng, ZhenHua Road, secteur de FuTian, Shenzhen, province du Guangdong
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Transistor de puissance de transistor MOSFET de la plus haute performance avec la densité élevée extrême de cellules
Description de caractéristique de transistor de puissance de transistor MOSFET
C'est un transistor MOSFET haute tension de puissance conçu pour avoir de meilleures caractéristiques, telles que le temps rapide de commutation, la basse charge de porte, la basse résistance de sur-état et les caractéristiques rocailleuses élevées d'avalanche. Ce transistor MOSFET de puissance est habituellement utilisé dans des applications grande vitesse de commutation des alimentations et des adaptateurs d'énergie de commutation.
40V/12A
R DS (DESSUS) = (type.) @V 13mΩ GS = 10V
R DS (DESSUS) = (type.) @V 16mΩ GS = 4.5V
100%Avalanche examiné
Fiable et rocailleux
Halogène libre et DevicesAvailable vert
(RoHSCompliant)
Applications de transistor de puissance de transistor MOSFET
PowerManagement forDC/DC
Application de commutation
Protection de batterie
L'information de commande et de repérage
S
HXY1404
YYXXXJWW G
Code de paquet
S : SOP-8L
Matériel d'Assemblée de code de date
YYXXX WW G : L'halogène libèrent
Note : Les produits sans plomb de HUAYI contiennent des composés de
bti/meurent les matériaux d'attache et le fer-blanc de matte de
100% Termi-
Finition de nation ; ce qui sont entièrement conformes avec RoHS.
Les produits sans plomb de HUAYI rencontrent ou dépassent le sans
plomb exigent
ments d'IPC/JEDEC J-STD-020 pour la classification de MSL la
température maximale sans plomb de ré-écoulement. HUAYI définit
« Vert » pour signifier sans plomb (RoHS conforme) et
l'halogène libre (le Br ou le Cl ne dépasse pas 900ppm en poids
dedans
le matériel et le total homogènes de Br et de Cl ne dépasse pas
1500ppm en poids).
HUAYI se réserve le droit d'apporter des changements, des
corrections, des améliorations, des modifications, et des
améliorations ces RP
oduct et/ou ce document tout moment sans préavis.
Capacités absolues
Caractéristiques de fonctionnement typiques
Transistor de puissance de transistor MOSFET de haute performance avec la densité élevée extrême de cellules
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