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Tension 100V de transistor de puissance de transistor MOSFET de la Manche du mode N d'amélioration basse
Puissance de transistor MOSFET de la Manche de N Fonctionnement et caractéristiques
La construction du transistor MOSFET de puissance est dans les V-configurations, comme nous pouvons voir dans la figure suivante. Ainsi le dispositif s'appelle également comme V-MOSFET ou V-FET. Le v que la forme du transistor MOSFET de puissance est coupée pour pénétrer de la surface de dispositif est presque au substrat de N+ au N+, au P, et au N – couches. La couche de N+ est la couche fortement enduite avec un bas matériel résistif et la couche de n est une couche légèrement enduite avec la région de haute résistance.
Caractéristiques de puissance de transistor MOSFET de la Manche de N
VDS= 100V I D=2.8 A
LE RDS (DESSUS)< 320m="">
Application de puissance de transistor MOSFET de la Manche de N
Protection de batterie
Alimentation d'énergie non interruptible
Inscription et information de commande de paquet
Identité de produit | Paquet | Repérage | Quantité (PCS) |
AP3N10BI | SOT23 | MA4 | 3000 |
Capacités absolues (TC=25℃ sauf indication contraire)
Symbole | Paramètre | Évaluation | Unités |
VDS | Tension de Drain-source | 100 | V |
VGS | Tension de rce de porte-Sou | ±20 | V |
ID@TA =25℃ | Courant continu de drain, V GS @ 10V 1 | 2,8 | A |
ID@TA =70℃ | Courant continu de drain, V GS @ 10V 1 | 1 | A |
IDM | Drain pulsé Current2 | 5 | A |
℃ de PD@TA =25 | Puissance totale Dissipation3 | 1 | W |
TSTG | Température ambiante de température de stockage | -55 à 150 | ℃ |
TJ | Température ambiante fonctionnante de jonction | -55 à 150 | ℃ |
RθJA | Résistance thermique 1 Jonction-ambiant | 125 | ℃/W |
RθJC | Jonction-cas 1 de résistance thermique | 80 | ℃/W |
Caractéristiques électriques (℃ de TJ =25, sauf indication contraire)
Symbole | Paramètre | Conditions | Minimal. | Type. | Maximum. | Unité |
BVDSS | Tension claque de Drain-source | VGS=0V, ID=250uA | 100 | --- | --- | V |
△ BVDSS/△TJ | Coefficient de température de BVDSS | Référence à 25℃, ID=1mA | --- | 0,067 | --- | V/℃ |
LE RDS (DESSUS) | Sur-résistance statique de Drain-source | VGS=10V, I D=1A | --- | 260 | 310 |
mΩ |
VGS=4.5V, I D=0.5A | --- | 270 | 320 | |||
VGS (Th) | Tension de seuil de porte | VGS=VDS, I =250UA | 1,0 | 1,5 | 2,5 | V |
△VGS (Th) | Coefficient de température de VGS (Th) | --- | -4,2 | --- | mV/℃ | |
IDSS | Courant de fuite de Drain-source | VDS=80V, VGS=0V, TJ=25℃ | --- | --- | 1 | uA |
IDSS | Courant de fuite de Drain-source | VDS=80V, VGS=0V, TJ=25℃ | --- | --- | 5 | uA |
IGSS | Courant de fuite de Porte-source | VGS=±20V, VDS=0V | --- | --- | ±100 | Na |
gfs | Transconductance en avant | VDS=5V, ID=1A | --- | 2,4 | --- | S |
Rg | Résistance de porte | VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 2,8 | 5,6 | |
Qg | Charge totale de porte (10V) | --- | 9,7 | 13,6 | ||
Qgs | Charge de Porte-source | --- | 1,6 | 2,2 | ||
Qgd | Charge de Porte-drain | --- | 1,7 | 2,4 | ||
Le TD (dessus) | Temps de retard d'ouverture |
VDD=50V, VGS=10V, RG=3.3 ID=1A |
--- | 1,6 | 3,2 |
NS |
TR | ||||||
Le TD () | Temps de retard d'arrêt | --- | 13,6 | 27 | ||
Tf | Temps de chute | --- | 19 | 38 | ||
Ciss | Capacité d'entrée | --- | 508 | 711 | ||
Coss | Capacité de sortie | --- | 29 | 41 | ||
Crss | Capacité inverse de transfert | --- | 16,4 | 23 | ||
EST | Courant de source continu 1,4 | VG=VD=0V, courant de force | --- | --- | 1,2 | A |
ISM | Courant de source pulsé 2,4 | --- | --- | 5 | A | |
VSD | La diode expédient Voltage2 | VGS=0V, IS=1A, TJ=25℃ | --- | --- | 1,2 | V |
trr | Temps de rétablissement inverse | IF=1A, dI/dt=100A/µs, | --- | 14 | --- | NS |
Qrr | Charge inverse de récupération | --- | 9,3 | --- | OR |
Symbole | Paramètre | Conditions | Minimal. | Type. | Maximum. | Unité |
BVDSS | Tension claque de Drain-source | VGS=0V, ID=250uA | 100 | --- | --- | V |
△ BVDSS/△TJ | Coefficient de température de BVDSS | Référence à 25℃, ID=1mA | --- | 0,067 | --- | V/℃ |
LE RDS (DESSUS) | Sur-résistance statique de Drain-source | VGS=10V, I D=1A | --- | 260 | 310 |
mΩ |
VGS=4.5V, I D=0.5A | --- | 270 | 320 | |||
VGS (Th) | Tension de seuil de porte | VGS=VDS, I =250UA | 1,0 | 1,5 | 2,5 | V |
△VGS (Th) | Coefficient de température de VGS (Th) | --- | -4,2 | --- | mV/℃ | |
IDSS | Courant de fuite de Drain-source | VDS=80V, VGS=0V, TJ=25℃ | --- | --- | 1 | uA |
IDSS | Courant de fuite de Drain-source | VDS=80V, VGS=0V, TJ=25℃ | --- | --- | 5 | uA |
IGSS | Courant de fuite de Porte-source | VGS=±20V, VDS=0V | --- | --- | ±100 | Na |
gfs | Transconductance en avant | VDS=5V, ID=1A | --- | 2,4 | --- | S |
Rg | Résistance de porte | VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 2,8 | 5,6 | |
Qg | Charge totale de porte (10V) | --- | 9,7 | 13,6 | ||
Qgs | Charge de Porte-source | --- | 1,6 | 2,2 | ||
Qgd | Charge de Porte-drain | --- | 1,7 | 2,4 | ||
Le TD (dessus) | Temps de retard d'ouverture |
VDD=50V, VGS=10V, RG=3.3 ID=1A |
--- | 1,6 | 3,2 |
NS |
TR | ||||||
Le TD () | Temps de retard d'arrêt | --- | 13,6 | 27 | ||
Tf | Temps de chute | --- | 19 | 38 | ||
Ciss | Capacité d'entrée | --- | 508 | 711 | ||
Coss | Capacité de sortie | --- | 29 | 41 | ||
Crss | Capacité inverse de transfert | --- | 16,4 | 23 | ||
EST | Courant de source continu 1,4 | VG=VD=0V, courant de force | --- | --- | 1,2 | A |
ISM | Courant de source pulsé 2,4 | --- | --- | 5 | A | |
VSD | La diode expédient Voltage2 | VGS=0V, IS=1A, TJ=25℃ | --- | --- | 1,2 | V |
trr | Temps de rétablissement inverse | IF=1A, dI/dt=100A/µs, | --- | 14 | --- | NS |
Qrr | Charge inverse de récupération | --- | 9,3 | --- | OR |
Note :
les données 1.The ont examiné par la surface montée sur un conseil de 1 pouce FR-4 avec le cuivre 2OZ. les données 2.The ont examiné par pulsé, la durée d'impulsion ≦300us, le coefficient d'utilisation ≦2%
la dissipation de puissance 3.The est limitée par la température de jonction de 150 ℃
4. Les données sont théoriquement identique que l'identification et l'IDM, dans de vraies applications, devraient être limité par dissipation de puissance totale.
Symbole |
Dimensions dans les millimètres | |
MINIMAL. | MAXIMUM. | |
A | 0,900 | 1,150 |
A1 | 0,000 | 0,100 |
A2 | 0,900 | 1,050 |
b | 0,300 | 0,500 |
c | 0,080 | 0,150 |
D | 2,800 | 3,000 |
E | 1,200 | 1,400 |
E1 | 2,250 | 2,550 |
e | 0.950TYPE | |
e1 | 1,800 | 2,000 |
L | 0.550REF | |
L1 | 0,300 | 0,500 |
θ | 0° | 8° |
Attention
1, l'intégralité de produits de la microélectronique d'APM décrits ou contenus ci-dessus n'ont pas des caractéristiques qui peuvent manipuler les applications qui exigent extrêmement des hauts niveaux de fiabilité, tels que des systèmes d'assistance vitale, des systèmes de contrôle du de bord, ou d'autres applications dont l'échec peut être raisonnablement prévu pour avoir comme conséquence des dommages physiques et/ou matériels sérieux. Consultez-avec votre plus proche représentatif de la microélectronique d'APM vous avant d'employer tous les produits de la microélectronique d'APM décrits ou contenus ci-dessus dans de telles applications.
2, la microélectronique d'APM n'assume aucune responsabilité des pannes d'équipement qui résultent d'employer des produits aux valeurs qui dépassent, même momentanément, des valeurs évaluées (telles que des estimations maximum, la condition de fonctionnement s'étend, ou d'autres paramètres) énumérées dans des caractéristiques de produits de l'intégralité de produits de la microélectronique d'APM décrits ou contenus ci-dessus.
3, caractéristiques de l'intégralité de produits de la microélectronique d'APM ont décrit ou ont contenu ici l'instipulate la représentation, les caractéristiques, et les fonctions des produits décrits dans l'État indépendant, et ne sont pas des garanties de la représentation, des caractéristiques, et des fonctions des produits décrits comme monté dans les produits ou l'équipement du client. Pour vérifier les symptômes et les déclarer qui ne peuvent pas être évalués dans un dispositif indépendant, le client devrait toujours évaluer et examiner des dispositifs montés dans les produits ou l'équipement du client.
4, le semi-conducteur Cie., Ltd de la microélectronique d'APM tâche de fournir de hauts produits de haute qualité de fiabilité. Cependant, l'intégralité de produits semiconducteurs échouent avec une certaine probabilité. Il est possible que ces échecs probabilistes pourraient provoquer les accidents ou les événements qui pourraient mettre en danger les vies humaines qui pourraient provoquer la fumée ou le feu, ou qui pourraient endommager l'autre propriété. L'équipement de Whendesigning, adoptent des mesures de sécurité de sorte que ces genres d'accidents ou d'événements ne puissent pas se produire. De telles mesures incluent mais ne sont pas limitées aux circuits de protection et aux circuits de prévention d'erreur pour la conception sûre, la conception superflue, et la conception structurelle.
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