Transistor de puissance de changement rapide de transistor MOSFET AP6H06S 6A 60V adapté aux besoins du client

Numéro de type:AP6H06S
Point d'origine:Shenzhen en Chine
Quantité d'ordre minimum:négociation
Conditions de paiement:L/C T/T Western Union
Capacité d'approvisionnement:18,000,000PCS/par jour
Délai de livraison:1 - 2 semaines
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Adresse: Pièce 2013, bâtiment international de DingCheng, ZhenHua Road, secteur de FuTian, Shenzhen, province du Guangdong
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Transistor de puissance de changement rapide de transistor MOSFET AP6H06S 6A 60V adapté aux besoins du client

 

Introduction de transistor de puissance de transistor MOSFET

 

La technologie de transistor MOSFET est idéale pour l'usage dans beaucoup d'applications de puissance, où le bas commutateur sur la résistance permet des hauts niveaux d'efficacité d'être atteints.

Il y a un certain nombre de différentes variétés de transistor MOSFET de puissance fournies par différents fabricants, chacun avec ses propres caractéristiques et capacités.

Beaucoup de transistors MOSFET de puissance incorporent une topologie verticale de structure. Ceci permet la commutation forte intensité avec le rendement élevé dans relativement un petit meurent secteur. Il permet également au dispositif de soutenir la commutation forte intensité et de tension.

 

 

Caractéristiques générales


VDS = 60V IDENTIFICATION =6 A
LE RDS (DESSUS) < 35m="">

 

Application

 

Protection de batterie
Commutateur de charge
Alimentation d'énergie non interruptible

 

 

Inscription et information de commande de paquet

 

Identité de produitPaquetRepérageQuantité (PCS)
AP6H06SSOP-8AP6H06S3000

 

Capacités absolues (MERCI =25℃ sauf indication contraire)

 

ParamètreSymboleLimiteUnité
Tension de Drain-sourceVDS60V
Tension de Porte-sourceVGS±20V
Vidangez Actuel-continuIdentification6A
Vidangez Actuel-continu (TC=100℃)Identification (100℃)3,5A
Courant pulsé de drainIDM24A
Dissipation de puissance maximumPalladium2W
Température ambiante fonctionnante de jonction et de température de stockageTJ, TSTG-55 150
Résistance thermique, Jonction--ambiante (note 2)RθJA62,5℃/W

 

Caractéristiques électriques (MERCI =25℃ sauf indication contraire)

 

 

ParamètreSymboleConditionMinuteTypeMaximumUnité
Tension claque de Drain-sourceBVDSSVGS=0V ID=250μA60--V
Courant zéro de drain de tension de porteIDSSVDS=60V, VGS=0V--1μA
Courant de fuite de Porte-corpsIGSSVGS=±20V, VDS=0V--±100Na
Tension de seuil de porteVGS (Th)VDS=VGS, ID=250μA1,21,62,5V

 

Résistance de Sur-état de Drain-source

LE RDS (DESSUS)VGS=10V, ID=5A-2635mΩ
LE RDS (DESSUS)VGS=4.5V, ID=5A-3245mΩ
Transconductance en avantgFSVDS=5V, ID=5A11--S
Capacité d'entréeClss -979-PF
Capacité de sortieCoss-120-PF
Capacité inverse de transfertCrss-100-PF
Temps de retard d'ouverturele TD (dessus) -5,2-NS
Temps de montée d'ouverture

r

t

-3-NS
Temps de retard d'arrêtle TD ()-17-NS
Temps d'arrêt d'automne

f

t

-2,5-NS
Charge totale de porteQg

 

VDS=30V, ID=5A,

-22 OR
Charge de Porte-sourceQgs-3,3 OR
Charge de Porte-drainQgd-5,2 OR
Tension en avant de diode (note 3)VSDVGS=0V, IS=5A- 1,2V
Courant en avant de diode (note 2)

S

I

 --5A
Temps d'ouverture en avanttonneLe temps d'ouverture intrinsèque est négligeable (la mise en fonction est dominée par LS+LD)

 

Notes :

 

1. estimation répétitive : Durée d'impulsion limitée par la température de jonction maximum. 2. surface montée sur FR4 le panneau, sec du ≤ 10 de t.

3. Essai d'impulsion : ≤ 300μs, ≤ 2% de durée d'impulsion de coefficient d'utilisation.

4. Garanti par conception, pas sujet la production

5. état d'EAS : Tj=25℃, VDD=30V, VG=10V, L=0.5mH, Ω Rg=25

 

Attention

 

1, l'intégralité de produits de la microélectronique d'APM décrits ou contenus ci-dessus n'ont pas des caractéristiques qui peuvent manipuler les applications qui exigent extrêmement des hauts niveaux de fiabilité, tels que des systèmes d'assistance vitale, des systèmes de contrôle du de bord, ou d'autres applications dont l'échec peut être raisonnablement prévu pour avoir comme conséquence des dommages physiques et/ou matériels sérieux. Consultez-avec votre plus proche représentatif de la microélectronique d'APM vous avant d'employer tous les produits de la microélectronique d'APM décrits ou contenus ci-dessus dans de telles applications.

2, la microélectronique d'APM n'assume aucune responsabilité des pannes d'équipement qui résultent d'employer des produits aux valeurs qui dépassent, même momentanément, des valeurs évaluées (telles que des estimations maximum, la condition de fonctionnement s'étend, ou d'autres paramètres) énumérées dans des caractéristiques de produits de l'intégralité de produits de la microélectronique d'APM décrits ou contenus ci-dessus.

3, caractéristiques de l'intégralité de produits de la microélectronique d'APM ont décrit ou ont contenu ici l'instipulate la représentation, les caractéristiques, et les fonctions des produits décrits dans l'État indépendant, et ne sont pas des garanties de la représentation, des caractéristiques, et des fonctions des produits décrits comme monté dans les produits ou l'équipement du client. Pour vérifier les symptômes et les déclarer qui ne peuvent pas être évalués dans un dispositif indépendant, le client devrait toujours évaluer et examiner des dispositifs montés dans les produits ou l'équipement du client.

4, le semi-conducteur Cie., Ltd de la microélectronique d'APM tche de fournir de hauts produits de haute qualité de fiabilité. Cependant, l'intégralité de produits semiconducteurs échouent avec une certaine probabilité. Il est possible que ces échecs probabilistes pourraient provoquer les accidents ou les événements qui pourraient mettre en danger les vies humaines qui pourraient provoquer la fumée ou le feu, ou qui pourraient endommager l'autre propriété. L'équipement de Whendesigning, adoptent des mesures de sécurité de sorte que ces genres d'accidents ou d'événements ne puissent pas se produire. De telles mesures incluent mais ne sont pas limitées aux circuits de protection et aux circuits de prévention d'erreur pour la conception sûre, la conception superflue, et la conception structurelle.

5, au cas où tout ou une partie de produits de la microélectronique d'APM (données techniques y compris, services) décrits ou contenus ci-dessus seraient commandés sous un quelconque de lois et de règlements de contrôle des exportations locales applicables, de tels produits ne doivent pas être exportés sans obtenir le permis d'exportation des autorités concernées selon la loi ci-dessus.

6, aucune partie de cette publication peuvent être reproduits ou transmis sous n'importe quelle forme ou par tous les moyens, électronique ou mécanique, y compris la photocopiage et l'enregistrement, ou n'importe quel système de stockage ou de récupération de l'information, ou autrement, sans autorisation écrite préalable du semi-conducteur Cie. de la microélectronique d'APM, Ltd.

7, l'information (schémas de circuit y compris et paramètres de circuit) est ci-dessus par exemple seulement ; on ne le garantit pas pour la production de masse. La microélectronique d'APM croit que l'information ci-dessus est précise et fiable, mais aucune garantie n'est faite ou est impliquée concernant son utilisation ou toutes les infractions des droits de propriété intellectuelle ou d'autres droits des tiers.

, L'intégralité d'information décrite ou contenue ci-dessus sont sujettes au changement sans préavis dû au produit/ amélioration de technologie, etc. En concevant l'équipement, référez-vous aux « spécifications de la livraison » pour le produit de la microélectronique d'APM que vous avez l'intention d'employer.

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