AP50N10D conjuguent transistor de puissance élevée du commutateur de transistor MOSFET/50A 100V TO-252

Numéro de type:AP50N10D
Point d'origine:Shenzhen en Chine
Quantité d'ordre minimum:négociation
Conditions de paiement:L/C T/T Western Union
Capacité d'approvisionnement:18,000,000PCS/par jour
Délai de livraison:1 - 2 semaines
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Shenzhen Guangdong China
Adresse: Pièce 2013, bâtiment international de DingCheng, ZhenHua Road, secteur de FuTian, Shenzhen, province du Guangdong
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AP50N10D conjuguent transistor de puissance élevée du commutateur de transistor MOSFET/50A 100V TO-252

 

Doubles applications de commutateur de transistor MOSFET 

 

Commutez les alimentations d'énergie de mode (SMPS)

Éclairage routier résidentiel, commercial, architectural et

Convertisseurs de DC-DC

Contrôle de moteur

Applications des véhicules moteur

 

Double description de commutateur de transistor MOSFET :

 

La technologie avancée de fossé d'utilisations d'AP50N10D
pour fournir l'excellent RDS (DESSUS), la basse charge de porte et
opération avec des tensions de porte aussi basses que 4.5V.
Ce dispositif convient pour l'usage comme a
Protection de batterie ou dans l'autre application de commutation.

 

Doubles caractéristiques de commutateur de transistor MOSFET

 

VDS = 100V IDENTIFICATION =50A
LE RDS (DESSUS) < 25m="">

 

 

Inscription et information de commande de paquet

 

Identité de produitPaquetRepérageQuantité (PCS)
AP50N10DTO-252AP50N10D XXX YYYY2500

 

Capacités absolues (comité technique =25℃ sauf indication contraire)

 

SymboleParamètreLimiteUnité
VDSTension de Drain-source100V
VGSTension de Porte-source±20V
IdentificationVidangez Actuel-continu50A
I (100℃)Vidangez Actuel-continu (TC=100℃)21A
IDMCourant pulsé de drain70A
PalladiumDissipation de puissance maximum85W
 Sous-sollicitation du facteur0,57W/℃
EASÉnergie simple d'avalanche d'impulsion (note 5)256MJ
TJ, TSTGTempérature ambiante fonctionnante de jonction et de température de stockage-55 175
RθJCRésistance thermique, Jonction--cas (note 2)1,8℃/W

 

Caractéristiques électriques (comité technique =25℃ sauf indication contraire)

 

 

SymboleParamètreConditionMinuteTypeMaximumUnité
BVDSSTension claque de Drain-sourceVGS=0V ID=250μA100 -V
IDSSCourant zéro de drain de tension de porteVDS=100V, VGS=0V--1μA
IGSSCourant de fuite de Porte-corpsVGS=±20V, VDS=0V--±100Na
VGS (Th)Tension de seuil de porteVDS=VGS, μA ID=2501 3V
LE RDS (DESSUS)

Sur-état de Drain-source

Résistance

VGS=10V, ID=20A-2428mΩ
LE RDS (DESSUS)

Sur-état de Drain-source

Résistance

VGS=4.5V, ID=10A-2830mΩ
gFSTransconductance en avantVDS=5V, ID=10A-15-S
ClssCapacité d'entréeVDS=25V, VGS=0V,
F=1.0MHz
-2000-PF
CossCapacité de sortie-300-PF
CrssCapacité inverse de transfert-250-PF
le TD (dessus)Temps de retard d'ouvertureVDD=50V, RL=5Ω
VGS=10V, RGEN=3Ω
-7-NS

r

t

Temps de montée d'ouverture-7-NS
le TD ()Temps de retard d'arrêt-29-NS

f

t

Temps d'arrêt d'automne-7-NS
QgCharge totale de porteVDS=50V, ID=10A,
VGS=10V
-39-OR
QgsCharge de Porte-source-8-OR
QgdCharge de Porte-drain-12-OR
VSDTension en avant de diode (note 3)VGS=0V, IS=20A--1,2V

S

I

Courant en avant de diode (note 2)---30A

rr

t

Temps de rétablissement inverse

TJ = 25°C, SI = 10A

di/dt = 100A/μs (Note3)

-32-NS
QrrCharge inverse de récupération-53-OR
tonneTemps d'ouverture en avant

Le temps d'ouverture intrinsèque est négligeable (la mise en fonction est dominée par

LS+LD)

 

Notes :

1, estimation répétitive : Durée d'impulsion limitée par la température de jonction maximum.

2, apprêtent monté sur FR4 le panneau, sec du ≤ 10 de t.

3, essai d'impulsion : Μs du ≤ 300 de durée d'impulsion, ≤ 2% de coefficient d'utilisation.

4, garanti par conception, pas sujet la production

5, état d'EAS : Tj=25 ℃, VDD=50V, VG=10V, L=0.5mH, Rg=25Ω, IAS=32A

 

Attention

 

1, l'intégralité de produits de la microélectronique d'APM décrits ou contenus ci-dessus n'ont pas des caractéristiques qui peuvent manipuler les applications qui exigent extrêmement des hauts niveaux de fiabilité, tels que des systèmes d'assistance vitale, des systèmes de contrôle du de bord, ou d'autres applications dont l'échec peut être raisonnablement prévu pour avoir comme conséquence des dommages physiques et/ou matériels sérieux. Consultez-avec votre plus proche représentatif de la microélectronique d'APM vous avant d'employer tous les produits de la microélectronique d'APM décrits ou contenus ci-dessus dans de telles applications.

2, la microélectronique d'APM n'assume aucune responsabilité des pannes d'équipement qui résultent d'employer des produits aux valeurs qui dépassent, même momentanément, des valeurs évaluées (telles que des estimations maximum, la condition de fonctionnement s'étend, ou d'autres paramètres) énumérées dans des caractéristiques de produits de l'intégralité de produits de la microélectronique d'APM décrits ou contenus ci-dessus.

3, caractéristiques de l'intégralité de produits de la microélectronique d'APM ont décrit ou ont contenu ici l'instipulate la représentation, les caractéristiques, et les fonctions des produits décrits dans l'État indépendant, et ne sont pas des garanties de la représentation, des caractéristiques, et des fonctions des produits décrits comme monté dans les produits ou l'équipement du client. Pour vérifier les symptômes et les déclarer qui ne peuvent pas être évalués dans un dispositif indépendant, le client devrait toujours évaluer et examiner des dispositifs montés dans les produits ou l'équipement du client.

4, le semi-conducteur Cie., Ltd de la microélectronique d'APM tche de fournir de hauts produits de haute qualité de fiabilité. Cependant, l'intégralité de produits semiconducteurs échouent avec une certaine probabilité. Il est possible que ces échecs probabilistes pourraient provoquer les accidents ou les événements qui pourraient mettre en danger les vies humaines qui pourraient provoquer la fumée ou le feu, ou qui pourraient endommager l'autre propriété. L'équipement de Whendesigning, adoptent des mesures de sécurité de sorte que ces genres d'accidents ou d'événements ne puissent pas se produire. De telles mesures incluent mais ne sont pas limitées aux circuits de protection et aux circuits de prévention d'erreur pour la conception sûre, la conception superflue, et la conception structurelle.

5, au cas où tout ou une partie de produits de la microélectronique d'APM (données techniques y compris, services) décrits ou contenus ci-dessus seraient commandés sous un quelconque de lois et de règlements de contrôle des exportations locales applicables, de tels produits ne doivent pas être exportés sans obtenir le permis d'exportation des autorités concernées selon la loi ci-dessus.

6, aucune partie de cette publication peuvent être reproduits ou transmis sous n'importe quelle forme ou par tous les moyens, électronique ou mécanique, y compris la photocopiage et l'enregistrement, ou n'importe quel système de stockage ou de récupération de l'information, ou autrement, sans autorisation écrite préalable du semi-conducteur Cie. de la microélectronique d'APM, Ltd.

7, l'information (schémas de circuit y compris et paramètres de circuit) est ci-dessus par exemple seulement ; on ne le garantit pas pour la production de masse. La microélectronique d'APM croit que l'information ci-dessus est précise et fiable, mais aucune garantie n'est faite ou est impliquée concernant son utilisation ou toutes les infractions des droits de propriété intellectuelle ou d'autres droits des tiers.

8, l'intégralité d'information décrits ou contenus ci-dessus sont sujets au changement sans préavis dû au produit/ amélioration de technologie, etc. En concevant l'équipement, référez-vous aux « spécifications de la livraison » pour le produit de la microélectronique d'APM que vous avez l'intention d'employer.

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AP50N10D conjuguent transistor de puissance élevée du commutateur de transistor MOSFET/50A 100V TO-252

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