Transistor de puissance solaire de transistor MOSFET des inverseurs 6A 20V avec la vitesse de commutation élevée

Numéro de type:AP8205S
Point d'origine:Shenzhen en Chine
Quantité d'ordre minimum:négociation
Conditions de paiement:L/C T/T Western Union
Capacité d'approvisionnement:18,000,000PCS/par jour
Délai de livraison:1 - 2 semaines
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Shenzhen Guangdong China
Adresse: Pièce 2013, bâtiment international de DingCheng, ZhenHua Road, secteur de FuTian, Shenzhen, province du Guangdong
dernière connexion fois fournisseur: dans 14 heures
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Détails du produit

Transistor de puissance solaire de transistor MOSFET des inverseurs 6A 20V avec la vitesse de commutation élevée

 

Description de transistor de puissance de transistor MOSFET :

 

La technologie avancée de fossé d'utilisations d'AP8205S
pour fournir l'excellent RDS (DESSUS), basse charge de porte
et opération avec des tensions de porte aussi basses que 2.5V.
Ce dispositif convient pour l'usage comme batterie
protection ou dans l'autre application de commutation.

 

Caractéristiques de transistor de puissance de transistor MOSFET

 

VDS = 20V, IDENTIFICATION = 6A
LE RDS (DESSUS) < 20=""> LE RDS (DESSUS) < 27="">

 

 

Application de transistor de puissance de transistor MOSFET

 

Protection de batterie
Commutateur de charge
Alimentation d'énergie non interruptible

 

Inscription et information de commande de paquet

 

Identité de produitPaquetRepérageQuantité (PCS)
AP8205SSOT23-68205S3000

 

Characteristics@Tj électrique =25C (sauf indication contraire)

 

SymboleParamètreConditions d'essaiMinimal.Type.Maximum.Unités
BVDSSTension claque de Drain-sourceVGS=0V, ID=250uA20--V
LE RDS (DESSUS)Sur-résistance statique de Drain-sourceVGS=4.5V, I D=6A-20,527
VGS=2.5V, I D=4A-2737
VGS (Th)Tension de seuil de porteVDS=VGS, ID=250uA-0,751,2V
gfsTransconductance en avantVDS=10V, ID=6A-6-S
IDSSCourant de fuite de Drain-sourceVDS=20V, VGS=0V--25uA

Courant de fuite de Drain-source

(Tj=70 C)

VDS=20V, VGS=0V--250uA
IGSSFuite de Porte-sourceVGS=+12V, VDS=0V--+100Na
QgCharge totale 2 de porteID=6A-1117,6OR
QgsCharge de Porte-source-1,1-OR
QgdCharge de Porte-drain (« Miller »)-4,1-OR
le TD (dessus)Temps de retard d'ouverture 2VDS=10V-4,2-NS

r

t

Temps de montée-9-NS
le TD ()Temps de retard d'arrêt-23-NS

f

t

Temps de chute-3,5-NS
CissCapacité d'entrée

 

VGS=0V

-570910PF
CossCapacité de sortie-90-PF
CrssCapacité inverse de transfert-85-PF
RgRésistance de portef=1.0MHz-1,62,4Ω
VSDExpédiez sur Voltage2IS=1.7A, VGS=0V--1,2V
trrTemps de rétablissement inverse 2IS=6A, VGS=0V, dI/dt=100A/µs-21-NS
QrrCharge inverse de récupération -14-OR
SymboleParamètreConditions d'essaiMinimal.Type.Maximum.Unités
BVDSSTension claque de Drain-sourceVGS=0V, ID=250uA20--V
LE RDS (DESSUS)Sur-résistance statique de Drain-sourceVGS=4.5V, I D=6A-20,527
VGS=2.5V, I D=4A-2737
VGS (Th)Tension de seuil de porteVDS=VGS, ID=250uA-0,751,2V
gfsTransconductance en avantVDS=10V, ID=6A-6-S
IDSSCourant de fuite de Drain-sourceVDS=20V, VGS=0V--25uA

Courant de fuite de Drain-source

(Tj=70 C)

VDS=20V, VGS=0V--250uA
IGSSFuite de Porte-sourceVGS=+12V, VDS=0V--+100Na
QgCharge totale 2 de porteID=6A-1117,6OR
QgsCharge de Porte-source-1,1-OR
QgdCharge de Porte-drain (« Miller »)-4,1-OR
le TD (dessus)Temps de retard d'ouverture 2VDS=10V-4,2-NS

r

t

Temps de montée-9-NS
le TD ()Temps de retard d'arrêt-23-NS

f

t

Temps de chute-3,5-NS
CissCapacité d'entrée

 

VGS=0V

-570910PF
CossCapacité de sortie-90-PF
CrssCapacité inverse de transfert-85-PF
RgRésistance de portef=1.0MHz-1,62,4Ω
VSDExpédiez sur Voltage2IS=1.7A, VGS=0V--1,2V
trrTemps de rétablissement inverse 2IS=6A, VGS=0V, dI/dt=100A/µs-21-NS
QrrCharge inverse de récupération -14-OR

 

Attention

 

1, l'intégralité de produits de la microélectronique d'APM décrits ou contenus ci-dessus n'ont pas des caractéristiques qui peuvent manipuler les applications qui exigent extrêmement des hauts niveaux de fiabilité, tels que des systèmes d'assistance vitale, des systèmes de contrôle du de bord, ou d'autres applications dont l'échec peut être raisonnablement prévu pour avoir comme conséquence des dommages physiques et/ou matériels sérieux. Consultez-avec votre plus proche représentatif de la microélectronique d'APM vous avant d'employer tous les produits de la microélectronique d'APM décrits ou contenus ci-dessus dans de telles applications.

2, la microélectronique d'APM n'assume aucune responsabilité des pannes d'équipement qui résultent d'employer des produits aux valeurs qui dépassent, même momentanément, des valeurs évaluées (telles que des estimations maximum, la condition de fonctionnement s'étend, ou d'autres paramètres) énumérées dans des caractéristiques de produits de l'intégralité de produits de la microélectronique d'APM décrits ou contenus ci-dessus.

3, caractéristiques de l'intégralité de produits de la microélectronique d'APM ont décrit ou ont contenu ici l'instipulate la représentation, les caractéristiques, et les fonctions des produits décrits dans l'État indépendant, et ne sont pas des garanties de la représentation, des caractéristiques, et des fonctions des produits décrits comme monté dans les produits ou l'équipement du client. Pour vérifier les symptômes et les déclarer qui ne peuvent pas être évalués dans un dispositif indépendant, le client devrait toujours évaluer et examiner des dispositifs montés dans les produits ou l'équipement du client.

4, le semi-conducteur Cie., Ltd de la microélectronique d'APM tche de fournir de hauts produits de haute qualité de fiabilité. Cependant, l'intégralité de produits semiconducteurs échouent avec une certaine probabilité. Il est possible que ces échecs probabilistes pourraient provoquer les accidents ou les événements qui pourraient mettre en danger les vies humaines qui pourraient provoquer la fumée ou le feu, ou qui pourraient endommager l'autre propriété. L'équipement de Whendesigning, adoptent des mesures de sécurité de sorte que ces genres d'accidents ou d'événements ne puissent pas se produire. De telles mesures incluent mais ne sont pas limitées aux circuits de protection et aux circuits de prévention d'erreur pour la conception sûre, la conception superflue, et la conception structurelle.

5, au cas où tout ou une partie de produits de la microélectronique d'APM (données techniques y compris, services) décrits ou contenus ci-dessus seraient commandés sous un quelconque de lois et de règlements de contrôle des exportations locales applicables, de tels produits ne doivent pas être exportés sans obtenir le permis d'exportation des autorités concernées selon la loi ci-dessus.

6, aucune partie de cette publication peuvent être reproduits ou transmis sous n'importe quelle forme ou par tous les moyens, électronique ou mécanique, y compris la photocopiage et l'enregistrement, ou n'importe quel système de stockage ou de récupération de l'information, ou autrement, sans autorisation écrite préalable du semi-conducteur Cie. de la microélectronique d'APM, Ltd.

7, l'information (schémas de circuit y compris et paramètres de circuit) est ci-dessus par exemple seulement ; on ne le garantit pas pour la production de masse. La microélectronique d'APM croit que l'information ci-dessus est précise et fiable, mais aucune garantie n'est faite ou est impliquée concernant son utilisation ou toutes les infractions des droits de propriété intellectuelle ou d'autres droits des tiers.

8, l'intégralité d'information décrits ou contenus ci-dessus sont sujets au changement sans préavis dû au produit/ amélioration de technologie, etc. En concevant l'équipement, référez-vous aux « spécifications de la livraison » pour le produit de la microélectronique d'APM que vous avez l'intention d'employer.

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