transistor de commutation de diode de 3.13W 40A IGBT AP4434AGYT-HF PMPAK
Number modèle:AP4434AGYT-HF
Point d'origine:Shenzhen, Chine
Quantité d'ordre minimum:Négociation
Conditions de paiement:Western Union, L/C, T/T
Capacité d'approvisionnement:10,000PCS/Month
Délai de livraison:1 - 2 semaines
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Shenzhen Guangdong China
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Pièce 2013, bâtiment international de DingCheng, ZhenHua Road, secteur de FuTian, Shenzhen, province du Guangdong
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AP4434AGYT-HF PMPAK (commutation originale de YT MOSFET/IGBT/Diode/transistor IC ébrèche
Description
Les séries d'AP4434A sont de puissance avancée ont innové conception et technologie transformatrice de silicium de réaliser la plus basse possible sur-résistance et la représentation de changement rapide. Il fournit au concepteur un dispositif efficace extrême pour l'usage dans un large éventail d'applications de puissance.
Le paquet de PMPAK® 3x3 est spécial pour l'application de conversion de tension utilisant la technique infrarouge standard de ré-écoulement avec le radiateur de postérieur pour réaliser la bonne représentation thermique.
Capacités absolues
| Symbole | Paramètre | Estimation | Unités |
| VDS | Tension de Drain-source | 20 | V |
| VGS | Tension de Porte-source | +8 | V |
| ID@TA =25℃ | Courant continu3, VGS @ 4.5V de drain | 10,8 | |
| ID@TA =70℃ | Courant continu3, VGS @ 4.5V de drain | 8,6 | |
| IDM | Courant pulsé1de drain | 40 | |
| PD@TA =25℃ | Dissipation de puissance totale3 | 3,13 | W |
| TSTG | Température ambiante de température de stockage | -55 150 | ℃ |
| TJ | Température ambiante fonctionnante de jonction | -55 150 | ℃ |
données hermal
| Symbole | Paramètre | Valeur | Unité |
| Rthj-c | Résistance thermique maximum, Jonction-cas | 4 | ℃/W |
| Rthj-a | Résistance thermique maximum,3Jonction-ambiants | 40 | ℃/W |
AP4434AGYT-H
Characteristics@Tj électrique =25oC (sauf indication contraire)
| Symbole | Paramètre | Conditions d'essai | Mn. | Type. | Maximum. | Unités |
| BVDSS | Tension claque de Drain-source | VGS =0V, IDENTIFICATION =250UA | 20 | - | - | V |
| LE RDS (DESSUS) | Sur-résistance statique2de Drain-source | VGS =4.5V, IDENTIFICATION =7A | - | - | 18 | mΩ |
| VGS =2.5V, IDENTIFICATION =4A | - | - | 25 | mΩ | ||
| VGS =1.8V, IDENTIFICATION =1A | - | - | 34 | mΩ | ||
| VGS (Th) | Tension de seuil de porte | VDS =VGS, IDENTIFICATION =250UA | 0,25 | - | 1 | V |
| gfs | Transconductance en avant | VDS =10V, IDENTIFICATION =7A | - | 29 | - | S |
| IDSS | Courant de fuite de Drain-source | VDS =16V, VGS =0V | - | - | 10 | uA |
| IGSS | Fuite de Porte-source | VGS =+8V, VDS =0V | - | - | +100 | Na |
| Qg | Charge totale de porte | IDENTIFICATION =7A VDS =10V VGS =4.5V | - | 12,5 | 20 | OR |
| Qgs | Charge de Porte-source | - | 1,5 | - | OR | |
| Qgd | Charge de Porte-drain (« Miller ») | - | 4,5 | - | OR | |
| le TD (dessus) | Temps de retard d'ouverture | IDENTIFICATION =1A RG =3.3Ω DE VDS =10V VGS =5V | - | 10 | - | NS |
| TR | Temps de montée | - | 10 | - | NS | |
| le TD () | Temps de retard d'arrêt | - | 24 | - | NS | |
| tf | Temps de chute | - | 8 | - | NS | |
| Ciss | Capacité d'entrée | VG.S =0V VDS =10V f=1.0MHz | - | 800 | 1280 | PF |
| Coss | Capacité de sortie | - | 165 | - | PF | |
| Crss | Capacité inverse de transfert | - | 145 | - | PF | |
| Rg | Résistance de porte | f=1.0MHz | - | 1,5 | 3 | Ω |
Diode de Source-drain
| Symbole | Paramètre | Conditions d'essai | Mn. | Type. | Maximum. | Unités |
| VSD | Expédiez sur la tension2 | EST =2.6A, VGS =0V | - | - | 1,2 | V |
| trr | Temps de rétablissement inverse | EST =7A, VGS =0V, dI/dt=100A/µs | - | 20 | - | NS |
| Qrr | Charge inverse de récupération | - | 10 | - | OR |
Notes :
largeur 1.Pulse limitée par la température de jonction maximale.
essai 2.Pulse
3.Surface a monté sur 1 dansla protection de l'en cuivre2 2oz FR4 du panneau, t<> 10sec ; 210oC/W une fois monté sur la protection de cuivre minimale.
transistor de commutation de diode de 3.13W 40A IGBT AP4434AGYT-HF PMPAK
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