APEC du transistor de puissance de 1.38W 20A IC AP2302AGN-HF

Number modèle:AP2302AGN-HF
Point d'origine:La Chine
Quantité d'ordre minimum:Négociable
Conditions de paiement:Western Union, L/C, T/T
Capacité d'approvisionnement:10,000PCS/Month
Délai de livraison:semaine 4~5
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Adresse: Pièce 2013, bâtiment international de DingCheng, ZhenHua Road, secteur de FuTian, Shenzhen, province du Guangdong
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APEC chaud spécialisé AP2302AGN-HF d'IC AP2302AGN-HF

 

Description

 

Les séries d'AP2302A sont de puissance avancée ont innové conception et technologie transformatrice de silicium de réaliser le plus bas possible sur la résistance et la représentation de changement rapide. Il fournit au concepteur un dispositif efficace extrême pour l'usage dans un large éventail d'applications de puissance.

Le paquet spécial de la conception SOT-23 avec la bonne représentation thermique est largement préféré pour toutes les applications extérieures commercial-industrielles de bti utilisant la technique infrarouge de ré-écoulement et approprié aux applications de conversion ou de commutateur de tension.

 

Ratings@Tj maximum absolu =25oC (sauf indication contraire)

 

SymboleParamètreEstimationUnités
VDSTension de Drain-source20V
VGSTension de Porte-source+8V
ID@TA =25℃Vidangez le courant3, VGS @ 4.5V4,6
ID@TA =70℃Vidangez le courant3, VGS @ 4.5V3,7
IDMCourant pulsé1de drain20
PD@TA =25℃Dissipation de puissance totale1,38W
TSTGTempérature ambiante de température de stockage-55 150
TJTempérature ambiante fonctionnante de jonction-55 150

 

Données thermiques

 

SymboleParamètreValeurUnité
Rthj-aRésistance thermique maximum,3Jonction-ambiants90℃/W

 


 AP2302AGN-H

 

Characteristics@Tj électrique =25oC (sauf indication contraire)

 

SymboleParamètreConditions d'essaiMn.Type.Maximum.Unités
BVDSSTension claque de Drain-sourceVGS =0V, IDENTIFICATION =250UA20--V
LE RDS (DESSUS)

 

Sur-résistance statique2de Drain-source

VGS =4.5V, IDENTIFICATION =4A--42
VGS =2.5V, IDENTIFICATION =3A--60
VGS (Th)Tension de seuil de porteVDS =VGS, IDENTIFICATION =250UA0,3-1,2V
gfsTransconductance en avantVDS =5V, IDENTIFICATION =4A-14-S
IDSSCourant de fuite de Drain-sourceVDS =16V, VGS =0V--10uA
IGSSFuite de Porte-sourceVGS =+8V, VDS =0V--+100Na
QgCharge totale2de porte

IDENTIFICATION =4A VDS =10V

VGS =4.5V

-6,510,5OR
QgsCharge de Porte-source-1-OR
QgdCharge de Porte-drain (« Miller »)-2,5-OR
le TD (dessus)Temps de retard d'ouverture2

IDENTIFICATION =1A RG =3.3Ω DE VDS =10V

VGS =5V

-9-NS
TRTemps de montée-12-NS
le TD ()Temps de retard d'arrêt-16-NS
tfTemps de chute-5-NS
CissCapacité d'entrée

VGS =0V VDS =20V

f=1.0MHz

-300480PF
CossCapacité de sortie-85-PF
CrssCapacité inverse de transfert-80-PF
RgRésistance de portef=1.0MHz-2-Ω

 

Diode de Source-drain

 

SymboleParamètreConditions d'essaiMn.Type.Maximum.Unités
VSDExpédiez sur la tension2EST =1.2A, VGS =0V--1,2V
trrTemps de rétablissement inverse2

EST =4A, VGS =0V,

dI/dt=100A/µs

-20-NS
QrrCharge inverse de récupération-10-OR

 

Notes :

 

largeur 1.Pulse limitée par la température de jonction maximale.
essai 2.Pulse

3.Surface a monté sur 1 dansla protection2 de cuivre FR4 du panneau, t<> 10s ; 270℃/W quand a monté sur la protection de cuivre minimale.

 

Paiement :

 

Nous acceptons les conditions de paiement : Transfert télégraphique (T/T) l'avance/service de Paypal/Western Union/engagement ou termes de filet (coopération long terme).

Nous pouvons soutenir beaucoup de genres de devise, tels qu'USD ; HKD ; EUR ; Les CNY et d'autres, svp nous contactent.

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APEC du transistor de puissance de 1.38W 20A IC AP2302AGN-HF

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