État de transistor de puissance de transistor MOSFET d'AP1334GEU-HF 0.35W 8A nouvel
Number modèle:AP1334GEU-HF
Point d'origine:La Chine
Quantité d'ordre minimum:Négociable
Conditions de paiement:T/T, Western Union, L/C
Capacité d'approvisionnement:10,000/Month
Délai de livraison:semaine 4~5
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Shenzhen Guangdong China
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Pièce 2013, bâtiment international de DingCheng, ZhenHua Road, secteur de FuTian, Shenzhen, province du Guangdong
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Prix d'avantage du composant électronique AP1334GEU-HF des actions originales
Description
Les séries AP1334 sont de puissance avancée ont innové conception
et technologie transformatrice de silicium de réaliser le plus bas
possible sur la résistance et la représentation de changement
rapide. Il fournit au concepteur un dispositif efficace extrême
pour l'usage dans un large éventail d'applications de puissance.
Ratings@Tj maximum absolu =25oC. (sauf indication contraire)
| Symbole | Paramètre | Estimation | Unités |
| VDS | Tension de Drain-source | 20 | V |
| VGS | Tension de Porte-source | +8 | V |
| ID@TA =25℃ | Vidangez le courant3, VGS @ 4.5V | 2,1 | |
| ID@TA =70℃ | Vidangez le courant3, VGS @ 4.5V | 1,7 | |
| IDM | Courant pulsé1de drain | 8 | |
| PD@TA =25℃ | Dissipation de puissance totale | 0,35 | W |
| TSTG | Température ambiante de température de stockage | -55 150 | ℃ |
| TJ | Température ambiante fonctionnante de jonction | -55 150 | ℃ |
Données thermiques
| Symbole | Paramètre | Valeur | Unité |
| Rthj-a | Résistance thermique maximum,3Jonction-ambiants | 360 | ℃/W |
AP1334GEU-H
Characteristics@Tj électrique =25oC (sauf indication contraire)
| Symbole | Paramètre | Conditions d'essai | Mn. | Type. | Maximum. | Unités |
| BVDSS | Tension claque de Drain-source | VGS =0V, IDENTIFICATION =250UA | 20 | - | - | V |
| LE RDS (DESSUS) | Sur-résistance statique2de Drain-source | VGS =4.5V, IDENTIFICATION =2A | - | - | 65 | mΩ |
| VGS =2.5V, IDENTIFICATION =1.5A | - | - | 75 | mΩ | ||
| VGS =1.8V, IDENTIFICATION =1A | - | - | 85 | mΩ | ||
| VGS (Th) | Tension de seuil de porte | VDS =VGS, IDENTIFICATION =250UA | 0,3 | - | 1 | V |
| gfs | Transconductance en avant | VDS =5V, IDENTIFICATION =2A | - | 12 | - | S |
| IDSS | Courant de fuite de Drain-source | VDS =16V, VGS =0V | - | - | 10 | uA |
| IGSS | Fuite de Porte-source | VGS =+8V, VDS =0V | - | - | +30 | uA |
| Qg | Charge totale de porte | Identification =2A VDS =10V VGS =4.5V | - | 9 | 14,4 | OR |
| Qgs | Charge de Porte-source | - | 1 | - | OR | |
| Qgd | Charge de Porte-drain (« Miller ») | - | 2,5 | - | OR | |
| le TD (dessus) | Temps de retard d'ouverture | IDENTIFICATION =1A RG =3.3Ω DE VDS =10V VGS =5V | - | 6 | - | NS |
| TR | Temps de montée | - | 7 | - | NS | |
| le TD () | Temps de retard d'arrêt | - | 18 | - | NS | |
| tf | Temps de chute | - | 3 | - | NS | |
| Ciss | Capacité d'entrée | VG.S =0V VDS =10V f=1.0MHz | - | 570 | 912 | PF |
| Coss | Capacité de sortie | - | 70 | - | PF | |
| Crss | Capacité inverse de transfert | - | 60 | - | PF | |
| Rg | Résistance de porte | f=1.0MHz | - | 2,4 | 4,8 | Ω |
Diode de Source-drain
| Symbole | Paramètre | Conditions d'essai | Mn. | Type. | Maximum. | Unités |
| VSD | Expédiez sur la tension2 | EST =1.2A, VGS =0V | - | - | 1,2 | V |
| trr | Temps de rétablissement inverse | EST =2A, VGS =0V, dI/dt=100A/µs | - | 14 | - | NS |
| Qrr | Charge inverse de récupération | - | 7 | - | OR |
Notes :
largeur 1.Pulse limitée par la température de jonction maximale.
essai 2.Pulse
3.Surface a monté sur FR4 le panneau, sec du ≦ 10 de t.
Nos avantages :
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État de transistor de puissance de transistor MOSFET d'AP1334GEU-HF 0.35W 8A nouvel
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