Commutateur électrique de transistor MOSFET d'ICS 0.833W 10A de LOGIQUE d'AP2322GN
Number modèle:AP2322GN
Point d'origine:La Chine
Quantité d'ordre minimum:Négociable
Conditions de paiement:L/C T/T WESTERN UNION
Capacité d'approvisionnement:10,000/Month
Délai de livraison:semaine 4~5
Contacter
Add to Cart
Membre actif
Shenzhen Guangdong China
Adresse:
Pièce 2013, bâtiment international de DingCheng, ZhenHua Road, secteur de FuTian, Shenzhen, province du Guangdong
dernière connexion fois fournisseur:
dans 14 heures
Détails du produit
Profil de la société
Détails du produit
la
Ce produit est sensible la décharge électrostatique, manipulent svp avec soin.
Ce produit n'est pas autorisé pour être employé comme composant critique d'un système d'assistance vitale ou d'autres systèmes semblables.
L'APEC ne sera pas responsable d'aucune responsabilité résultant de l'application ou l'utilisation de n'importe quel produit ou circuit a décrit dans cet accord, ni elle assignera n'importe quel permis sous ses propriétés industrielles ou attribuera les droits d'autres.
L'APEC se réserve le droit d'apporter des modifications n'importe quel produit dans cet accord sans préavis d'améliorer la fiabilité, la fonction ou la conception.
Description
Les transistors MOSFET avancés de puissance ont utilisé des techniques de traitement avancées pour réaliser la plus basse possible sur-résistance, extrêmement efficace et le dispositif de rentabilité.
Le paquet de SOT-23S est largement préféré pour des applications extérieures commercial-industrielles de bti et approprié aux applications de basse tension telles que des convertisseurs de DC/DC.
Ratings@Tj maximum absolu =25oC (sauf indication contraire)
| Symbole | Paramètre | Estimation | Unités |
| VDS | Tension de Drain-source | 20 | V |
| VGS | Tension de Porte-source | +8 | V |
| ID@TA =25℃ | Vidangez le courant3, VGS @ 4.5V | 2,5 | |
| ID@TA =70℃ | Vidangez le courant3, VGS @ 4.5V | 2,0 | |
| IDM | Courant pulsé1de drain | 10 | |
| PD@TA =25℃ | Dissipation de puissance totale | 0,833 | W |
| TSTG | Température ambiante de température de stockage | -55 150 | ℃ |
| TJ | Température ambiante fonctionnante de jonction | -55 150 | ℃ |
Données thermiques
| Symbole | Paramètre | Valeur | Unité |
| Rthj-a | Résistance thermique maximum,3Jonction-ambiants | 150 | ℃/W |
AP2322G
Characteristics@Tj électrique =25oC (sauf indication contraire)
| Symbole | Paramètre | Conditions d'essai | Mn. | Type. | Maximum. | Unités |
| BVDSS | Tension claque de Drain-source | VGS =0V, IDENTIFICATION =250UA | 20 | - | - | V |
| LE RDS (DESSUS) | Sur-résistance statique2de Drain-source | VGS =4.5V, IDENTIFICATION =1.6A | - | - | 90 | mΩ |
| VGS =2.5V, IDENTIFICATION =1A | - | - | 120 | mΩ | ||
| VGS =1.8V, IDENTIFICATION =0.3A | - | - | 150 | mΩ | ||
| VGS (Th) | Tension de seuil de porte | VDS =VGS, IDENTIFICATION =1MA | 0,25 | - | 1 | V |
| gfs | Transconductance en avant | VDS =5V, IDENTIFICATION =2A | - | 2 | - | S |
| IDSS | Courant de fuite de Drain-source | VDS =20V, VGS =0V | - | - | 1 | uA |
| IGSS | Fuite de Porte-source | VGS =+8V, VDS =0V | - | - | +100 | Na |
| Qg | Charge totale de porte | Identification =2.2A VDS =16V VGS =4.5V | - | 7 | 11 | OR |
| Qgs | Charge de Porte-source | - | 0,7 | - | OR | |
| Qgd | Charge de Porte-drain (« Miller ») | - | 2,5 | - | OR | |
| le TD (dessus) | Temps de retard d'ouverture | IDENTIFICATION =1A RG =3.3Ω DE VDS =10V VGS =5V | - | 6 | - | NS |
| TR | Temps de montée | - | 12 | - | NS | |
| le TD () | Temps de retard d'arrêt | - | 16 | - | NS | |
| tf | Temps de chute | - | 4 | - | NS | |
| Ciss | Capacité d'entrée | V.GS=0V VDS =20V f=1.0MHz | - | 350 | 560 | PF |
| Coss | Capacité de sortie | - | 55 | - | PF | |
| Crss | Capacité inverse de transfert | - | 48 | - | PF | |
| Rg | Résistance de porte | f=1.0MHz | - | 3,2 | 4,8 | Ω |
Diode de Source-drain
| Symbole | Paramètre | Conditions d'essai | Mn. | Type. | Maximum. | Unités |
| VSD | Expédiez sur la tension2 | EST =0.7A, VGS =0V | - | - | 1,2 | V |
| trr | Temps de rétablissement inverse | EST =2A, VGS =0V, dI/dt=100A/µs | - | 20 | - | NS |
| Qrr | Charge inverse de récupération | - | 13 | - | OR |
Notes :
largeur 1.Pulse limitée par la température de jonction maximale.
essai 2.Pulse
3.Surface a monté sur 1 dansla protection2 de cuivre FR4 du panneau, t<> 10sec ; 360 ℃/W une fois monté sur la protection d'en cuivre de mn.
Commutateur électrique de transistor MOSFET d'ICS 0.833W 10A de LOGIQUE d'AP2322GN
Inquiry Cart
0