Lumière infrarouge photoélectrique élevée 660nm de structure de protection du capteur IP67 de la longévité IR

Numéro de type:E3F-DS30Y1
Quantité d'ordre minimum:100
Conditions de paiement:L/C, A/D, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacité d'approvisionnement:1000only 8day
Point d'origine:La Chine
Nom:Capteur photoélectrique d'IR
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Chaoyang Zhejiang China
Adresse: No. 328, route de Jinyang, village de Chaoyang, ville de Liushi, ville de Yueqing, province de Zhejiang, Chine
dernière connexion fois fournisseur: dans 29 heures
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Lumière infrarouge photoélectrique élevée 660nm de structure de protection du capteur IP67 de la longévité IR

 

Description

Le capteur infrarouge de commutateur de proximité est un snesor photoélectrique de type réflexion qui envoie et reçoit les poutres infrarouges.

C.A. normalement ouvert de PNP/NPN trifilaire

 

Principe de fonctionnement

Les commutateurs de proximité infrarouges fonctionnent côté d'envoyer des poutres de lumière infrarouge invisible. Un détecteur photoélectrique sur le commutateur de proximité détecte toutes les réflexions de cette lumière. Ces réflexions permettent aux commutateurs de proximité infrarouges de déterminer s'il y a un objet tout près. Quand l'infrarouge peut relire les poutres infrarouges qu'il envoie, alors ceci signifie le chemin de l'infrarouge est empêché, qui signifie qu'il y a un objet tout près. Quand le capteur infrarouge ne peut pas relire les poutres infrarouges qu'il envoie, ceci signifie que le chemin est sans difficulté et il n'y a aucun objet devant le capteur, qui est pourquoi il ne peut pas relire les poutres infrarouges il envoie.

 

Paramètre

Temps de connexion1.5ms
Source lumineuseLumière infrarouge 660nm
tensionC.C : Impulsion de dc 12~24 (6~36V) (pp) en-dessous de 10%
C.A. : C.A. 110~220V (36~250V) 50/60Hz
Consommation actuelleN.P : ≤13mA
D : ≤0.8mA
A : ≤1.7mA
Commandez la sortieN.P : ≤300mA
D : ≤200mA
A : ≤400mA
Faites une boucle la protectionN.P.D : renversez la protection de connexion, absorption de montée subite, protection de court-circuit de charge
A : augmentez l'absorption
Température ambiante-30~+65°C (aucun glaçage, aucune condensation)
Humidité ambiante-35~95%RH
Résistance d'isolation50MΩ ou plus (megohmmeter DC500) (entre la partie et le logement de remplissage)
Tension de tenueC.A. 1000V 50/60HZ 1min (entre la partie et le logement de remplissage)
Effet de température-30~+65°C : erreur ±15% de distance de détection +23°C
-25~+60°C : erreur ±10% de distance de détection +23°C
Effet de tension6-36V (90-250V) : ±15% de l'erreur de distance de détection
10-30V (220V) : ±10% de l'erreur de distance de détection
Niveau de protectionIP67 (LE CEI)
MatérielLogement : ABS
Surface de détection : ABS

 

Note : Veuillez lire les « précautions » du manuel de produit avant emploi.

 

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Lumière infrarouge photoélectrique élevée 660nm de structure de protection du capteur IP67 de la longévité IR

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