De 6 pouces 4H de silicium de carbure gaufrettes de substrats sic pour la croissance épitaxiale de dispositif adaptée aux besoins du client
Numéro de type:6inch sic
Point d'origine:La Chine
Quantité d'ordre minimum:1pcs
Conditions de paiement:T / T, Western Union, MoneyGram
Capacité d'approvisionnement:1-50pcs/month
Délai de livraison:1-6weeks
Contacter
Add to Cart
Fournisseur Vérifié
Shanghai Shanghai China
Adresse:
Chambre 1-1805, no.1079 rue Dianshanhu, région de Qingpu, ville de Shanghai, Chine /201799
dernière connexion fois fournisseur:
dans 38 heures
Détails du produit
Profil de la société
Détails du produit
Gaufrettes de substrats de monocristal de carbure de silicium du diamètre 150mm de la catégorie 6inch de l'essai 4H-N (sic), de lingots substrats sic en cristal de semi-conducteur sic, gaufrette en cristal de carbure de silicium
Au sujet du cristal de carbure de silicium (sic)
Le carbure de silicium (sic), également connu sous le nom de carborundum, est un semi-conducteur contenant le silicium et le carbone avec la formule chimique sic. Sic est employé dans des dispositifs de l'électronique de semi-conducteur qui fonctionnent aux hautes températures ou aux tensions élevées, ou both.SiC est également l'un des composants importants de LED, c'est un substrat populaire pour élever des dispositifs de GaN, et il sert également d'écarteur de la chaleur dans la LED de haute puissance
1. Les spécifications
| 6 po. de diamètre, spécifications de substrat de carbure de silicium (sic) | ||||||||
| Catégorie | Catégorie zéro de MPD | Catégorie de production | Catégorie de recherches | Catégorie factice | ||||
| Diamètre | 150,0 mm±0.2mm | |||||||
| ThicknessΔ | 350 μm±25μm ou 500±25un | |||||||
| Orientation de gaufrette | Outre de l'axe : 4.0° vers< 1120=""> ±0.5° pour 4H-N sur l'axe : <0001>±0.5° pour 6H-SI/4H-SI | |||||||
| Appartement primaire | {10-10} ±5.0° | |||||||
| Longueur plate primaire | 47,5 mm±2.5 millimètre | |||||||
| Exclusion de bord | 3 millimètres | |||||||
| TTV/Bow /Warp | ≤15μm/≤40μm/≤60μm | |||||||
| Densité de Micropipe | cm2 ≤1 | cm2 ≤5 | cm2 ≤15 | cm2 ≤100 | ||||
| Résistivité | 4H-N | 0.015~0.028 Ω·cm | ||||||
| 4/6H-SI | ≥1E5 Ω·cm | |||||||
| Rugosité | Ra≤1 polonais nanomètre | |||||||
| CMP Ra≤0.5 nanomètre | ||||||||
| Fissures par la lumière de forte intensité | Aucun | 1 laissé, ≤2 millimètre | ≤ cumulatif 10mm, length≤2mm simple de longueur | |||||
| Plats de sortilège par la lumière de forte intensité | Secteur cumulatif ≤1% | Secteur cumulatif ≤2% | Secteur cumulatif ≤5% | |||||
| Régions de Polytype par la lumière de forte intensité | Aucun | Area≤2% cumulatif | Area≤5% cumulatif | |||||
| Éraflures par la lumière de forte intensité | 3 éraflures la longueur cumulative du diamètre 1×wafer | 5 éraflures la longueur cumulative du diamètre 1×wafer | 5 éraflures la longueur cumulative du diamètre 1×wafer | |||||
| Puce de bord | Aucun | 3 laissés, ≤0.5 millimètre chacun | 5 laissés, ≤1 millimètre chacun | |||||
| Contamination par la lumière de forte intensité | Aucun | |||||||
Au sujet de nos ZMKJ Company
Le COMMERCE CÉLÈBRE Cie., Ltd de CHANGHAÏ place dans la ville de
Changhaï, qui est la meilleure ville de la Chine, et notre usine est fondée dans la ville de Wuxi en 2014.
Nous nous spécialisons en transformant un grand choix de matériaux
en gaufrettes, substrats et verre optique custiomized
parts.components très utilisés dans l'électronique, l'optique,
l'optoélectronique et beaucoup d'autres domaines. Nous également
avions travaillé étroitement avec beaucoup de domestiques et les
universités, les instituts de recherche et les sociétés
d'outre-mer, fournissent les produits et services adaptés aux
besoins du client pour leurs projets de R&D.
C'est notre vision maintenir de bonnes relations de coopération avec nos tous les
clients par nos bons reputatiaons.
TAILLE DE TERRAIN COMMUNAL DE CATALOGUE
Gaufrette du type 4H-N/grande pureté sic 2 gaufrette de type n de pouce 4H sic 3 gaufrette de type n de pouce 4H sic 4 gaufrette de type n de pouce 4H sic 6 gaufrette de type n de pouce 4H sic |
gaufrette pureté semi-isolante/grande de 4H sic 2 gaufrette semi-isolante de pouce 4H sic 3 gaufrette semi-isolante de pouce 4H sic 4 gaufrette semi-isolante de pouce 4H sic 6 gaufrette semi-isolante de pouce 4H sic |
sic gaufrette 6H de type n 2 gaufrette de type n de pouce 6H sic |
*
Ventes et service la clientèle
Achat de matériaux
Le service des achats de matériaux est responsable pour recueillir toutes les matières premières requises pour fabriquer votre produit. La traçabilité complète de tous les produits et matériaux, y compris l'analyse chimique et physique sont toujours disponible.
Qualité
Pendant et après la fabrication ou l'usinage de vos produits, le département de contrôle de qualité est impliqué en veillant que tous les matériaux et tolérances répondent ou dépassent vos spécifications.
Service
Nous nous glorifions en ayant le personnel d'ingénierie de ventes avec sur 5 ans d'expériences dans l'industrie de semi-conducteur. Elles sont formées pour répondre des questions techniques aussi bien que pour fournir des citations opportunes pour vos besoins.
nous sommes sur votre côté par n'importe quand quand vous avez le problème, et le résolvons dans 10hours.
De 6 pouces 4H de silicium de carbure gaufrettes de substrats sic pour la croissance épitaxiale de dispositif adaptée aux besoins du client
Inquiry Cart
0