2" de N gaufrette LD/LED de l'arséniure de gallium de dopant du substrat SI de semi-conducteur semi GaAs DSP/SSP
Numéro de type:GaAs-N-4inch
Point d'origine:La Chine
Quantité d'ordre minimum:5pcs
Conditions de paiement:T / T, Western Union
Capacité d'approvisionnement:2000pcs par mois
Délai de livraison:2-4 semaines
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Metod 2inch/3inch de type n, 4inch, gaufrettes de VFG d'arséniure
de gallium de 6inch dia150mm GaAs de type n
Type semi-isolant pour la microélectronique,
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Gaufrettes d'arséniure de gallium (GaAs)
L'arséniure de gallium (GaAs) est un composé des éléments gallium
et arsenic. C'est un semi-conducteur direct de bandgap d'III-V
avec une structure cristalline de blende de zinc.
L'arséniure de gallium est employé dans la fabrication des
dispositifs tels que des circuits intégrés de fréquence
micro-ondes, monolithique
circuits intégrés micro-ondes, diodes électroluminescentes
infrarouges, diodes lasers, piles solaires et fenêtres optiques.
[2]
La GaAs est employée souvent comme matériel de substrat pour la
croissance épitaxiale d'autres semi-conducteurs d'III-V comprenant
l'arséniure de gallium d'indium,
arséniure de gallium et d'aluminium et d'autres.
.
Caractéristique et application de gaufrette de GaAs
| Caractéristique | Champ d'application |
|---|---|
| Mobilité des électrons élevée | Diodes électroluminescentes |
| Haute fréquence | Diodes lasers |
| Efficacité de conversion élevée | Dispositifs photovoltaïques |
| Consommation de puissance faible | Haut transistor de mobilité des électrons |
| Espace de bande direct | Transistor bipolaire d'hétérojonction |
Spécifications
GaAs non dopée
Caractéristiques semi-isolantes de GaAs
| Méthode de croissance | VGF |
| Dopant | Carbone |
| Gaufrette Shape* | Rond (diamètre : 2", 3", 4", et 6") |
| Orientation extérieure ** | (100) ±0.5° |
» Gaufrettes *5 disponibles sur demande
** D'autres orientations peut-être disponibles sur demande
| Résistivité (Ω.cm) | ≥1 × 107 | ≥1 × 108 |
| Mobilité (cm2/V.S) | ≥ 5 000 | ≥ 4 000 |
| Densité de lancement gravure l'eau forte (cm2) | 1,500-5,000 | 1,500-5,000 |
| Diamètre de gaufrette (millimètres) | 50.8±0.3 | 76.2±0.3 | 100±0.3 | 150±0.3 |
| Épaisseur (µm) | 350±25 | 625±25 | 625±25 | 675±25 |
| TTV [P/P] (µm) | ≤ 4 | ≤ 4 | ≤ 4 | ≤ 4 |
| TTV [P/E] (µm) | ≤ 10 | ≤ 10 | ≤ 10 | ≤ 10 |
| CHAÎNE (µm) | ≤10 | ≤10 | ≤10 | ≤5 |
| DE (millimètres) | 17±1 | 22±1 | 32.5±1 | ENTAILLE |
| DE/SI (millimètres) | 7±1 | 12±1 | 18±1 | NON-DÉTERMINÉ |
| Polish* | E/E, P/E, P/P | E/E, P/E, P/P | E/E, P/E, P/P | E/E, P/E, P/P |
*E=Etched, P=Polished
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