TYPE gaufrettes en cristal monocristallines de 2-4inch N/P de substrats d'InAs de substrat de semi-conducteur
Numéro de type:Arséniure (InAs) d'indium
Point d'origine:La Chine
Quantité d'ordre minimum:3pcs
Conditions de paiement:T / T, Western Union
Capacité d'approvisionnement:500pcs
Délai de livraison:2-4 semaines
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Shanghai Shanghai China
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Chambre 1-1805, no.1079 rue Dianshanhu, région de Qingpu, ville de Shanghai, Chine /201799
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substrat de GaSb d'antimoniure du gallium 2-4inch Crystal Monocrystal simple pour le semi-conducteur
InAsSb/In-AsPSb, InNAsSb et d'autres matériaux d'hétérojonction peuvent être développés sur le monocristal d'InAs comme substrat, et un dispositif luminescent infrarouge avec une longueur d'onde du μm 2 14 peut être fabriqué. Le matériel de structure de super-réseau d'AlGaSb peut également être épitaxial développé l'aide du substrat de monocristal d'InAs. laser Mi-infrarouge de cascade de quantum. Ces dispositifs infrarouges ont de bonnes perspectives d'application dans les domaines de la surveillance de gaz, de la communication de fibre de bas-perte, etc. en outre, les monocristaux d'InAs ont la mobilité des électrons élevée et sont les matériaux idéaux pour faire des dispositifs de hall.
Applications :
Le monocristal d'InAs peut être employé comme matériel de substrat
pour élever un matériel d'hétérostructure tel qu'InAsSb/InAsPSb ou
InAsPSb pour fabriquer un dispositif luminescent infrarouge ayant
une longueur d'onde du μm 2-12. Le matériel de structure de
super-réseau d'InAsPSb peut également être épitaxial développé
l'aide du substrat de monocristal d'InAs pour fabriquer un laser
mi-infrarouge de cascade de quantum. Ces dispositifs infrarouges
ont de bonnes perspectives d'application dans le domaine de la
détection de gaz et de la basse communication de fibre de perte. En
outre, les monocristaux d'InAs ont la mobilité des électrons élevée
et sont un matériel idéal pour faire des dispositifs de hall.
Caractéristiques :
1. Le cristal est développé par la technologie liquide-scellée de
droit-dessin (LEC), avec la technologie mûre et la représentation
électrique stable.
2, utilisant l'instrument directionnel de rayon X pour
l'orientation précise, la déviation d'orientation en cristal est
seulement ±0.5°
3, la gaufrette est polis par (CMP) la technologie de polissage
mécanique chimique, l'aspérité <0> 4, pour réaliser les
conditions prêtes employer « de boîte ouverte »
5, selon des besoins des utilisateurs, traitement spécial de
produit de caractéristiques
| en cristal | dopant | type |
Concentration en transporteur d'ion cm-3 | mobilité (cm2/V.s) | MPD (cm2) | TAILLE | |
| InAs | ONU-dopant | N | 5*1016 | ³ 2*104 | <5> | Φ2 ″ ×0.5mm Φ3 ″ ×0.5mm | |
| InAs | Sn | N | (5-20) *1017 | >2000 | <5> | Φ2 ″ ×0.5mm Φ3 ″ ×0.5mm | |
| InAs | Zn | P | (1-20) *1017 | 100-300 | <5> | Φ2 ″ ×0.5mm Φ3 ″ ×0.5mm | |
| InAs | S | N | (1-10) *1017 | >2000 | <5> | Φ2 ″ ×0.5mm Φ3 ″ ×0.5mm | |
| taille (millimètres) | Dia50.8x0.5mm, 10×10×0.5mm, 10×5×0.5mm peut être adapté aux besoins du client | ||||||
| Ra | Aspérité (Ra) :<> | ||||||
| poli | simple ou des doubles dégrossissez poli | ||||||
| paquet | catégorie 100 nettoyant le sachet en plastique en la pièce 1000 de nettoyage | ||||||
---FAQ –
Q : Est-vous société commerciale ou le fabricant ?
: le zmkj est une société commerciale mais a un fabricant de saphir
en tant que fournisseur des gaufrettes de matériaux de
semi-conducteur pour une grande envergure des applications.
Q : De quelle longueur est-il votre délai de livraison ?
: Généralement c'est de 5-10 jours si les marchandises sont en stock. ou c'est de 15-20 jours si les marchandises ne sont pas
en stock, il est selon la quantité.
Q : Fournissez-vous des échantillons ? est-lui librement ou supplémentaire ?
: Oui, nous pourrions offrir l'échantillon pour la charge libre mais ne payons pas le coût de fret.
Q : Quelles sont vos conditions de paiement ?
: Payment=1000USD<>,
50% T/T l'avance, équilibre avant expédition.
Si vous avez une autre question, les pls se sentent libres pour
nous contacter en tant que ci-dessous :
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