4" Sapphire Based GaN Templates Semiconductor Substrate
Number modèle:GaN-saphir 4inch
Point d'origine:La Chine
Quantité d'ordre minimum:5pcs
Conditions de paiement:T/T, Western Union, Paypal
Capacité d'approvisionnement:50PCS/Month
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Shanghai Shanghai China
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Chambre 1-1805, no.1079 rue Dianshanhu, région de Qingpu, ville de Shanghai, Chine /201799
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Détails du produit
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Détails du produit
2inch 4inch 4" saphir a basé le film de GaN de calibres de GaN sur le substrat de saphir
Propriétés de GaN
Propriétés chimiques de GaN
1) la température ambiante, GaN est insoluble en eau, acide et alcali.
2)Dissous dans une solution alcaline chaude un taux très lent.
3) Le NaOH, le H2SO4 et le H3PO4 peuvent rapidement corroder la qualité inférieure de GaN, peuvent être employés pour des ces détection de défaut en cristal de GaN de qualité inférieure.
4) GaN dans le HCL ou l'hydrogène, température élevée présente des caractéristiques instables.
5) GaN est le plus stable sous l'azote.
Propriétés électriques de GaN
1) Les propriétés électriques de GaN sont les facteurs les plus importants affectant le dispositif.
2) Le GaN sans le dopage était n dans tous les cas, et la concentration en électron du meilleur échantillon était au sujet de 4* (10^16) /c㎡.
3) Généralement, les échantillons préparés de P sont fortement compensés.
Propriétés optiques de GaN
1) Le matériel large de semi-conducteur composé d'espace de bande avec la largeur de bande élevée (2.3~6.2eV), peut couvrir le vert jaune rouge, bleu, violet et le spectre ultraviolet, est jusqu'ici que tous les autres matériaux de semi-conducteur ne peuvent pas réaliser.
2) Principalement utilisé dans le dispositif luminescent bleu et violet.
Propriétés de GaN Material
1) La propriété haute fréquence, arrivent 300G hertz. (Le SI est 10G et la GaAs est 80G)
2) Propriété hautes températures, travail 300℃, très approprié normaux environnement aérospatial, militaire et autre hautes températures.
3) Le de glissement des électrons a la vitesse élevée de saturation, la basse conduction thermique constante et bonne diélectrique.
4) La résistance d'acide et d'alcali, résistance la corrosion, peut être employée dans l'environnement dur.
5) Caractéristiques haute tension, résistance l'impact, fiabilité élevée.
6) Le pouvoir étendu, le matériel de transmission est très désireux.
Application de GaN
Utilisation principale de GaN :
1) diodes électroluminescentes, LED
2) transistors effet de champ, FET
3) diodes lasers, LD
Spécifications
Spécificationsaracteristic de C
D'autres spécifications du relaterd 4INCH GaN Template
| Substrats de ₃ du ₂ O d'Al de GaN/(4") 4inch | |||
| Article | Non dopé | de type n | Haut-enduit de type n |
| Taille (millimètres) | Φ100.0±0.5 (4") | ||
| Structure de substrat | GaN sur le saphir (0001) | ||
| SurfaceFinished | (Norme : Option de SSP : DSP) | ||
| Épaisseur (μm) | 4.5±0.5 ; 20±2 ; Adapté aux besoins du client | ||
| Type de conduction | Non dopé | de type n | de type n Haut-enduit |
| Résistivité (Ω·cm) (300K) | ≤0.5 | ≤0.05 | ≤0.01 |
| GaN Thickness Uniformity | ≤±10% (4") | ||
| Densité de dislocation (cm2) | ≤5×108 | ||
| Superficie utilisable | >90% | ||
| Paquet | Emballé dans un environnement de pièce propre de la classe 100. | ||
| Structure cristalline | Wurtzite |
| Constante de trellis (Å) | a=3.112, c=4.982 |
| Conduction bande | Bandgap direct |
| Densité (g/cm3) | 3,23 |
| Microdureté extérieure (essai de Knoop) | 800 |
| Point de fusion (℃) | 2750 (barre 10-100 en N2) |
| Conduction thermique (W/m·K) | 320 |
| Énergie d'espace de bande (eV) | 6,28 |
| Mobilité des électrons (V·s/cm2) | 1100 |
| Champ électrique de panne (MV/cm) | 11,7 |
4" Sapphire Based GaN Templates Semiconductor Substrate
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