Gaufrette de couche de calibre de Sapphire Substrate AlN de 2 pouces pour des dispositifs de 5G BAW
Number modèle:AlN-saphir 2inch
Point d'origine:La Chine
Quantité d'ordre minimum:5pcs
Conditions de paiement:T/T, Western Union, Paypal
Capacité d'approvisionnement:50PCS/Month
Délai de livraison:dans 30days
Contacter
Add to Cart
Fournisseur Vérifié
Shanghai Shanghai China
Adresse:
Chambre 1-1805, no.1079 rue Dianshanhu, région de Qingpu, ville de Shanghai, Chine /201799
dernière connexion fois fournisseur:
dans 38 heures
Détails du produit
Profil de la société
Détails du produit
le saphir de 2inch 4iinch 6Inch a basé le film d'AlN de calibres d'AlN sur le substrat de saphir
2inch sur la gaufrette de couche de calibre d'AlN de substrat de saphir pour des dispositifs de 5G BAW
Applications de Calibre d'AlN
Notre OEM a développé des publications périodiques des
technologies de propriété industrielle et des réacteurs et des
équipements de croissance le-état- -le art PVT
fabriquez les différentes tailles des gaufrettes mono-cristallines
de haute qualité d'AlN, temlpates d'AlN. Nous sommes l'un des
quelques monde-principaux
entreprises high techs qui propre plein capa de fabrication d'AlN ?
bilities pour produire les boules et les gaufrettes de haute
qualité d'AlN, et fournir
profes ? services de sional et solutions clés en main nos clients,
disposés de la conception de réacteur et de hotzone de croissance,
modélisation et simulation, conception de processus et
optimisation, cristallogénèse,
characteriza wafering et matériel ? tion. Jusqu' en avril 2019,
ils ont appliqué plus de 27 brevets (PCT y compris).
Spécifications
Spécificationsaracteristic de ch
D'autres spécifications du relaterd 4INCH GaN Template
| Substrats de ₃ du ₂ O d'Al de GaN/(4") 4inch | |||
| Article | Non dopé | de type n | Haut-enduit de type n |
| Taille (millimètres) | Φ100.0±0.5 (4") | ||
| Structure de substrat | GaN sur le saphir (0001) | ||
| SurfaceFinished | (Norme : Option de SSP : DSP) | ||
| Épaisseur (μm) | 4.5±0.5 ; 20±2 ; Adapté aux besoins du client | ||
| Type de conduction | Non dopé | de type n | de type n Haut-enduit |
| Résistivité (Ω·cm) (300K) | ≤0.5 | ≤0.05 | ≤0.01 |
| GaN Thickness Uniformity | ≤±10% (4") | ||
| Densité de dislocation (cm2) | ≤5×108 | ||
| Superficie utilisable | >90% | ||
| Paquet | Emballé dans un environnement de pièce propre de la classe 100. | ||
| Structure cristalline | Wurtzite |
| Constante de trellis (Å) | a=3.112, c=4.982 |
| Conduction bande | Bandgap direct |
| Densité (g/cm3) | 3,23 |
| Microdureté extérieure (essai de Knoop) | 800 |
| Point de fusion (℃) | 2750 (barre 10-100 en N2) |
| Conduction thermique (W/m·K) | 320 |
| Énergie d'espace de bande (eV) | 6,28 |
| Mobilité des électrons (V·s/cm2) | 1100 |
| Champ électrique de panne (MV/cm) | 11,7 |
Gaufrette de couche de calibre de Sapphire Substrate AlN de 2 pouces pour des dispositifs de 5G BAW
Inquiry Cart
0