Type de pouce N de VGF 6 substrat de semi-conducteur de GaAs pour la croissance épitaxiale

Gaufrette principale de type n de la catégorie GaAs de VGF 2inch 4inch 6inch pour la croissance épitaxiale

La gaufrette de GaAs (arséniure de gallium) est une alternative avantageuse au silicium qui avait évolué dans l'industrie de semi-conducteur. Moins de puissance et plus d'efficacité offertes par des gaufrettes de cette GaAs attirent les joueurs du marché pour adopter ces gaufrettes, augmentant de ce fait la demande pour la gaufrette de GaAs. Généralement, cette gaufrette est employée pour fabriquer des semi-conducteurs, les diodes électroluminescentes, thermomètres, circuits électroniques, et baromètres, sans compter que trouver l'application la fabrication de bas alliages de fonte. Comme semi-conducteur et circuit électronique les industries continuent toucher de nouvelles crêtes, le marché de GaAs gronde. L'arséniure de gallium de la gaufrette de GaAs a la puissance de produire de la lumière laser de l'électricité. Le monocristal particulièrement polycristallin et sont le type deux principal de gaufrettes de GaAs, qui sont utilisées dans la production de la microélectronique et de l'optoélectronique pour créer le LD, la LED, et les circuits micro-ondes. Par conséquent, la gamme étendue des applications de GaAs, en particulier dans l'optoélectronique et l'industrie de la microélectronique crée un afflux de demande sur le marché de gaufrette de theGaAs. Précédemment, les dispositifs optoélectroniques ont été principalement utilisés sur un large éventail dans des télécommunications optiques courte portée et des périphériques d'ordinateur. Mais maintenant, ils sont dans la demande de certaines applications naissantes telles que le radar laser, la réalité augmentée, et la reconnaissance des visages. LEC et VGF sont deux méthodes populaires qui améliorent la production de la gaufrette de GaAs avec l'uniformité élevée des propriétés électriques et de l'excellente qualité extérieure. La mobilité des électrons, la jonction simple bande-Gap, le rendement plus élevé, la résistance de la chaleur et d'humidité, et la flexibilité supérieure sont les cinq avantages distincts de la GaAs, qui améliorent l'acceptation des gaufrettes de GaAs dans l'industrie de semi-conducteur.

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