Substrat non dopé semi isolant de gaufrette d'arséniure de gallium pour la LED allumant 2inch 3inch 4inch
Number modèle:2inch SEMI
Point d'origine:La Chine
Quantité d'ordre minimum:5pcs
Conditions de paiement:T/T, Western Union, MoneyGram
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Chambre 1-1805, no.1079 rue Dianshanhu, région de Qingpu, ville de Shanghai, Chine /201799
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Détails du produit
type gaufrette de 2inch/3inch /4inch /6inch S-C-N de l'arséniure de gallium de /Si-doped de semi-isolation GaAs
Description de produit
Notre 2' “ 6" “cristal semi-conducteur et semi-isolant et gaufrette de GaAs sont d'une manière extravagante employés dans l'application d'application de circuit intégré de semi-conducteur et d'éclairage général de LED.
Caractéristique et application de gaufrette de GaAs
| Caractéristique | Champ d'application |
|---|---|
| Mobilité des électrons élevée | Diodes électroluminescentes |
| Haute fréquence | Diodes lasers |
| Efficacité de conversion élevée | Dispositifs photovoltaïques |
| Consommation de puissance faible | Haut transistor de mobilité des électrons |
| Espace de bande direct | Transistor bipolaire d'hétérojonction |
DESCRIPTION DE PRODUIT
Caractéristiques de gaufrette semi-conductrice de GaAs
Méthode de croissance | VGF | |||
Dopant | de type p : Zn | de type n : SI | ||
Forme de gaufrette | Rond (diamètre : 2", 3", 4", 6") | |||
Orientation extérieure * | (100) ±0.5° | |||
* d'autres orientations peut-être disponibles sur demande | ||||
Dopant | SI (de type n) | Zn (de type p) | ||
Concentration en transporteur (cm-3) | (0.8-4) × 1018 | (0.5-5) × 1019 | ||
Mobilité (cm2/V.S.) | × 103 (de 1-2.5) | 50-120 | ||
Densité de lancement gravure l'eau forte (cm2) | 100-5000 | 3,000-5,000 | ||
Diamètre de gaufrette (millimètres) | 50.8±0.3 | 76.2±0.3 | 100±0.3 | |
Épaisseur (µm) | 350±25 | 625±25 | 625±25 | |
TTV [P/P] (µm) | ≤ 4 | ≤ 4 | ≤ 4 | |
TTV [P/E] (µm) | ≤ 10 | ≤ 10 | ≤ 10 | |
CHAÎNE (µm) | ≤ 10 | ≤ 10 | ≤ 10 | |
DE (millimètres) | 17±1 | 22±1 | 32.5±1 | |
DE/SI (millimètres) | 7±1 | 12±1 | 18±1 | |
Polish* | E/E, | E/E, | E/E, | |
Caractéristiques de gaufrette semi-isolante de GaAs
Méthode de croissance | VGF | |||
Dopant | Type de SI : Carbone | |||
Forme de gaufrette | Rond (diamètre : 2", 3", 4", 6") | |||
Orientation extérieure * | (100) ±0.5° | |||
* d'autres orientations peut-être disponibles sur demande | ||||
Résistivité (Ω.cm) | × 107 du ≥ 1 | × 108 du ≥ 1 | ||
Mobilité (cm2/V.S) | ≥ 5 000 | ≥ 4 000 | ||
Densité de lancement gravure l'eau forte (cm2) | 1,500-5,000 | 1,500-5,000 | ||
Diamètre de gaufrette (millimètres) | 50.8±0.3 | 76.2±0.3 | 100±0.3 | 150±0.3 |
Épaisseur (µm) | 350±25 | 625±25 | 625±25 | 675±25 |
TTV [P/P] (µm) | ≤ 4 | ≤ 4 | ≤ 4 | ≤ 4 |
TTV [P/E] (µm) | ≤ 10 | ≤ 10 | ≤ 10 | ≤ 10 |
CHAÎNE (µm) | ≤ 10 | ≤ 10 | ≤ 10 | ≤ 15 |
DE (millimètres) | 17±1 | 22±1 | 32.5±1 | ENTAILLE |
DE/SI (millimètres) | 7±1 | 12±1 | 18±1 | NON-DÉTERMINÉ |
Polish* | E/E, | E/E, | E/E, | E/E, |
FAQ –
Q : Que pouvez-vous assurer la logistique et le coût ?
(1) nous acceptons DHL, Fedex, le TNT, l'UPS, le SME, le SF et etc.
(2) si vous avez votre propre nombre exprès, il est grand.
Sinon, nous pourrions vous aider pour livrer. Freight=USD25.0 (le
premier poids) + USD12.0/kg
Q : Comment payer ?
T/T, Paypal, union occidentale, MoneyGram, paiement sûr et
assurance commerciale sur Alibaba et etc….
Q : Quel est le MOQ ?
(1) pour l'inventaire, le MOQ est 5pcs.
(2) pour les produits adaptés aux besoins du client, le MOQ est
5pcs-20pcs.
Il dépend de la quantité et des techniques
Q : Avez-vous le rapport d'inspection pour le matériel ?
Nous pouvons fournir le rapport de détail pour nos produits.
Emballage – Logistcs
nous concernons chacun des détails du paquet, nettoyage,
antistatique, traitement de choc. Selon la quantité et la forme du
produit,
nous prendrons un processus de empaquetage différent !
Substrat non dopé semi isolant de gaufrette d'arséniure de gallium pour la LED allumant 2inch 3inch 4inch
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