Gaufrettes 350 de phosphure d'indium d'INP de monocristal - épaisseur 650um
Number modèle:INP
Point d'origine:LA CHINE
Quantité d'ordre minimum:3 PIÈCES
Conditions de paiement:T/T, Western Union
Capacité d'approvisionnement:500pcs
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Shanghai Shanghai China
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Chambre 1-1805, no.1079 rue Dianshanhu, région de Qingpu, ville de Shanghai, Chine /201799
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Détails du produit
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le TYPE substrat S+/enduit par gaufrettes Zn+ /Fe + phosphure des gaufrettes 3inch 4inch N/P d'INP 2inch de semi-conducteur d'INP d'indium a basé le substrat simple d'INP Crystal Wafer Dummy Prime Semiconductor de pouce 350-650 de la gaufrette 2 inch/3 inch/4 d'INP de Crystal Indium Phosphide Wafers de gaufrette épitaxiale um
Nouvelles Cie. Ltd de matériaux de Changhaï Xinkehui.
Nous nous spécialisons en transformant un grand choix de matériaux
en gaufrettes, substrats et parts.components en verre optique
custiomized très utilisés dans l'électronique, l'optique,
l'électronique et beaucoup d'autres domaines. Nous également avions
travaillé étroitement avec beaucoup de domestiques et les
universités, les instituts de recherche et les sociétés
d'outre-mer, fournissent les produits et services adaptés aux
besoins du client pour leurs projets de R&D. C'est notre vision
maintenir de bonnes relations de coopération avec nos tous les
clients par nos bons reputatiaons.
taille (millimètres) | Dia50.8x0.5mm, 10×10×0.5mm, 10×5×0.5mm peut être adapté aux besoins
du client |
Ra | Aspérité (Ra) :<> |
Polonais | Simple ou des doubles dégrossissez poli |
Paquet | 100 simples ou doubles dégrossissent poli |
Il a les avantages de la vitesse électronique élevée de dérive de
limite, de la bonne tenue aux rayonnements, et de la bonne
conduction de chaleur. Approprié
dispositifs de fabrication micro-ondes et circuits intégrés haute
fréquence, ultra-rapides, de haute puissance.
Caractéristiques de gaufrette d'INP
1. Le cristal est développé par la technologie liquide-scellée de
droit-dessin (LEC), avec la technologie mûre et élém. élect. stable
représentation.
2. l'instrument directionnel de utilisation de rayon X pour l'orientation précise, la déviation d'orientation en cristal est seulement ±0.5°
3. la gaufrette est polie par la technologie (CMP) de polissage mécanique chimique, avec l'aspérité <0> 4. pour réaliser les conditions prêtes employer « de boîte ouverte »
5. selon des besoins des utilisateurs, traitement spécial de produit de caractéristiques
représentation.
2. l'instrument directionnel de utilisation de rayon X pour l'orientation précise, la déviation d'orientation en cristal est seulement ±0.5°
3. la gaufrette est polie par la technologie (CMP) de polissage mécanique chimique, avec l'aspérité <0> 4. pour réaliser les conditions prêtes employer « de boîte ouverte »
5. selon des besoins des utilisateurs, traitement spécial de produit de caractéristiques
Diamètre de gaufrette (millimètres) | 50.8±0.3 | 76.2±0.3 | 100±0.3 |
Épaisseur (um) | 350±25 | 625±25 | 625±25 |
TTV-P/P (um) | ≤10 | ≤10 | ≤10 |
TTv-P/E (um) | ≤10 | ≤15 | ≤15 |
DÉFORMEZ (um) | ≤15 | ≤15 | ≤15 |
DE (millimètres) | 17±1 | 22±1 | 32.5±1 |
OF/IF (millimètre) | 7±1 | 12±1 | 18±11 |
| Description | Application | Gamme de longueurs d'onde |
| L'INP a basé l'Epi-gaufrette | Laser de point de gel | ~1310nm ; ~1550nm ; ~1900nm |
| Laser de DFB | 1270nm~1630nm | |
| Détecteur photoélectrique d'avalanche | 1250nm~1600nm | |
| Détecteur photoélectrique | 1250nm~1600nm/>2.0um (couche absorbante d'InGaAs) ;<1> |
| Nom de produit |
| Feuille polycristalline de substrat de phosphure d'indium de grande pureté |
| Cristal enduit par fer de phosphure d'indium |
| cristal de type n et de type p de phosphure d'indium |
| Phosphure d'indium de 4 pouces Crystal Ingot simple |
| Le phosphure d'indium a basé la gaufrette épitaxiale |
| Semi-conducteur Crystal Substrate de phosphure d'indium |
| Phosphure d'indium Crystal Substrate simple |
| Antimoniure Crystal Substrate simple d'indium |
| Indium Crystal Substrate simple arsenical |
---FAQ –
Q : Est-vous une société commerciale ou le fabricant ?
: le zmkj est une société commerciale mais a un fabricant de saphir
en tant que fournisseur des gaufrettes de matériaux de
semi-conducteur pour une grande envergure des applications.
Q : De quelle longueur est-il votre délai de livraison ?
: Généralement c'est de 5-10 jours si les marchandises sont en stock. ou c'est de 15-20 jours si les marchandises ne sont pas
en stock, il est selon la quantité.
Q : Fournissez-vous des échantillons ? est-lui librement ou supplémentaire ?
: Oui, nous pourrions offrir l'échantillon pour la charge libre mais ne payons pas le coût de fret.
Q : Quelles sont vos conditions de paiement ?
: Payment=1000USD<>,
50% T/T l'avance, équilibre avant expédition.
Gaufrettes 350 de phosphure d'indium d'INP de monocristal - épaisseur 650um
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