Substrat carré de carbure de silicium de SiC Windows 2 pouces 4 pouces 6 pouces 8 pouces
Number modèle:10x10x0.5mmt
Point d'origine:La Chine
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Gaufrette optique de SIC de 1/2/3 pouce de gaufrette de carbure de silicium vendre des entreprises plates d'orientation de gaufrette de silicium de plat sic vendre 4inch 6inch de graine la gaufrette de carbure de silicium de l'épaisseur 4h-N SIC de la gaufrette 1.0mm sic pour la gaufrette de puces de substrat polie par 5*5mm de carbure de silicium de la croissance 6H-N/6H-Semi 4H HPSI 5*10mmt 10x10mmt de graine sic
Au sujet du cristal de carbure de silicium (sic)
Le carbure de silicium (sic), ou le carborundum, est un semi-conducteur contenant le silicium et le carbone avec la formule chimique sic. Sic est employé dans des dispositifs de l'électronique de semi-conducteur fonctionnant aux hautes températures, aux tensions élevées, ou chacun des deux. Est sic également un des composants importants de LED, c'est un substrat populaire pour élever des dispositifs de GaN, et il sert également d'écarteur de la chaleur dans la LED de haute puissance.
1. Description
Propriété | 4H-SiC, monocristal | 6H-SiC, monocristal |
Paramètres de trellis | a=3.076 Å c=10.053 Å | a=3.073 Å c=15.117 Å |
Empilement de l'ordre | ABCB | ABCACB |
Dureté de Mohs | ≈9.2 | ≈9.2 |
Densité | 3,21 g/cm3 | 3,21 g/cm3 |
Therm. Coefficient d'expansion | 4-5×10-6/K | 4-5×10-6/K |
Index @750nm de réfraction | aucun = 2,61 Ne = 2,66 | aucun = 2,60 Ne = 2,65 |
Constante diélectrique | c~9.66 | c~9.66 |
ohm.cm (de type n et 0,02) de conduction thermique | a~4.2 W/cm·K@298K c~3.7 W/cm·K@298K | |
Conduction thermique (semi-isolante) | a~4.9 W/cm·K@298K c~3.9 W/cm·K@298K | a~4.6 W/cm·K@298K c~3.2 W/cm·K@298K |
Bande-Gap | eV 3,23 | eV 3,02 |
Champ électrique de panne | 3-5×106V/cm | 3-5×106V/cm |
Vitesse de dérive de saturation | 2.0×105m/s | 2.0×105m/s |
Spécifications de substrat de carbure de silicium de diamètre de la
grande pureté 4inch (sic)
| spécifications de substrat de carbure de silicium du diamètre 2inch (sic) | ||||||||||
| Catégorie | Catégorie zéro de MPD | Catégorie de production | Catégorie de recherches | Catégorie factice | ||||||
| Diamètre | 50,8 mm±0.2mm | |||||||||
| Épaisseur | 330 μm±25μm ou 430±25um | |||||||||
| Orientation de gaufrette | Outre de l'axe : 4.0° vers <1120> ±0.5° pour 4H-N/4H-SI sur l'axe : <0001> ±0.5° pour 6H-N/6H-SI/4H-N/4H-SI | |||||||||
| Densité de Micropipe | cm2 ≤0 | cm2 ≤5 | cm2 ≤15 | cm2 ≤100 | ||||||
| Résistivité | 4H-N | 0.015~0.028 Ω•cm | ||||||||
| 6H-N | 0.02~0.1 Ω•cm | |||||||||
| 4/6H-SI | ≥1E5 Ω·cm | |||||||||
| Appartement primaire | {10-10} ±5.0° | |||||||||
| Longueur plate primaire | 18,5 mm±2.0 millimètre | |||||||||
| Longueur plate secondaire | 10.0mm±2.0 millimètre | |||||||||
| Orientation plate secondaire | Silicium récepteur : Onde entretenue de 90°. de ±5.0° plat principal | |||||||||
| Exclusion de bord | 1 millimètre | |||||||||
| TTV/Bow /Warp | ≤10μm/≤10μm/≤15μm | |||||||||
| Rugosité | Ra≤1 polonais nanomètre | |||||||||
| CMP Ra≤0.5 nanomètre | ||||||||||
| Fissures par la lumière de forte intensité | Aucun | 1 laissé, ≤2 millimètre | ≤ cumulatif 10mm, length≤2mm simple de longueur | |||||||
| Plats de sortilège par la lumière de forte intensité | Secteur cumulatif ≤1% | Secteur cumulatif ≤1% | Secteur cumulatif ≤3% | |||||||
| Régions de Polytype par la lumière de forte intensité | Aucun | Secteur cumulatif ≤2% | Secteur cumulatif ≤5% | |||||||
| Éraflures par la lumière de forte intensité | 3 éraflures la longueur cumulative du diamètre 1×wafer | 5 éraflures la longueur cumulative du diamètre 1×wafer | 5 éraflures la longueur cumulative du diamètre 1×wafer | |||||||
| puce de bord | Aucun | 3 laissés, ≤0.5 millimètre chacun | 5 laissés, ≤1 millimètre chacun | |||||||
Sic applications
Les cristaux de carbure de silicium (sic) ont les propriétés physiques et électroniques uniques. Le carbure de silicium a basé des dispositifs ont été employés pour les applications optoélectroniques, hautes températures, résistantes aux radiations ondes courtes. Les appareils électroniques de haute puissance et haute fréquence ont fait avec sic sont supérieurs au SI et aux dispositifs basés sur GaAs. Sont ci-dessous quelques applications populaires sic des substrats.
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