2 pouces 50.8mm Sapphire Substrate Wafer Double Side ont poli l'axe de l'axe A de M Axis C

Les caractéristiques pour des gaufrettes du c-axe 2inch

Taille : DSP-100-R-axis de deux pouces

Matériel : Monocristal des KY Sapphire Al 2O3 sans bulle ; couleur ;

Orientation : C-coupe, M-axe outre de 0.0+/-0.2° ;
Diamètre : 50,8 +/-0.2mm ;

Épaisseur : 100 ± 15 um ;
De l'appartement : 16,0 +/- 1,0 millimètres ; OU forme ronde
De l'orientation : un-axe
 Surface : Epi-prêt de SSP /dsp poli ;
Ra<> d'aspérité de dos de Ra de TTV <> Front Surface Roughness (Ra) (Ra) = 1,0 +/-0.2um ;
Bord : de 1mm ;

Les demandes de substrats de gaufrette de saphir

Le saphir se compose d'alumine (A1203), qui se compose de trois atomes d'oxygène et de deux atomes en aluminium dans un type de liaison covalente, et sa structure cristalline est une structure de trellis hexagonale. Elle est employée souvent sur des facettes d'Un-avion, de C-avion, et de R-avion. En raison de sa bande optique large de pénétration, saphir a l'excellente transmission de la lumière de l'ultraviolet proche (190nm) mi-infrarouge. Par conséquent, il est très utilisé dans les composants optiques, dispositifs infrarouges, matériaux haute intensité de lentille de laser, et des matériaux de masque, il a les caractéristiques de la vitesse saine élevée, résistance hautes températures, résistance la corrosion, dureté élevée, transmittance légère élevée, le point de fusion élevée (2045°C) et ainsi de suite. C'est un matériel plutôt difficile traiter, ainsi il est employé souvent comme matériel photoélectrique d'élément. Actuellement, la qualité du blanc ultra-haut d'éclat/de LED bleue dépend de la qualité matérielle de la nitrure épitaxiale (GA), alors que la qualité de la nitrure épitaxiale est étroitement liée la qualité de traitement extérieure du substrat de saphir employait. Le taux constant de disparité de trellis entre la surface de C du saphir (monocristal A1203) et les films des groupes d'II-V et d'II-VI sont petit. En même temps, il répond l'exigence de la résistance hautes températures dans le processus épitaxial de GaN, faisant la gaufrette de saphir le matériel de base pour rendre LED blanche/bleue/verte.

Les actions de la gaufrette de saphir