Type d'InAs Wafer Crystal Substrates N pour MBE 99,9999% monocristallin

Number modèle:Arséniure d'indium (InAs)
Point d'origine:La Chine
Quantité d'ordre minimum:3PCS
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Capacité d'approvisionnement:500pcs
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2inch 3inch 4inch InAs Wafer Crystal Substrates de type n pour MBE 99,9999% monocristallin
 

Présentez du substrat d'InAs

L'indium InAs ou le mono-arséniure d'indium est un semi-conducteur composé d'indium et d'arsenic. Il a l'aspect d'un cristal cubique gris avec un point de fusion d'arséniure de l'indium 942°C. est employé pour construire les détecteurs infrarouges avec une gamme de longueurs d'onde de 1-3.8um. Le détecteur est habituellement une photodiode photovoltaïque. Les détecteurs de refroidissement cryogéniques ont plus faible bruit, mais des détecteurs d'InAs peuvent également être employés pour des applications de haute puissance la température ambiante. L'arséniure d'indium est également employé pour faire des lasers de diode. L'arséniure d'indium est semblable l'arséniure de gallium et est un matériel direct d'espace de bande. L'arséniure d'indium est parfois employé avec du phosphure d'indium. Alliage avec de l'arséniure de gallium pour former l'arsenic d'indium - un matériel dont l'espace de bande dépend du rapport d'In/Ga. Cette méthode est principalement semblable la nitrure de alliage d'indium avec de la nitrure de gallium pour produire la nitrure d'indium. L'arséniure d'indium est connu pour sa mobilité des électrons élevée et espace bande étroite. Il est très utilisé comme source de rayonnement de terahertz parce que c'est un émetteur ambre-clair puissant.

Caractéristiques de gaufrette d'InAs :

* avec la mobilité des électrons et le rapport élevés de mobilité (μe/μh=70), c'est un matériel idéal pour des dispositifs de hall.

* le MBE peut être développé avec les matériaux multi-épitaxiaux de GaAsSb, d'InAsPSb, et d'InAsSb.

* la méthode de scellage liquide (CZ), s'assurent que la pureté du matériel peut atteindre 99,9999% (6N).

* tous les substrats sont avec précision polis et remplis d'atmosphère protectrice pour répondre aux exigences d'Epi-prêt.

* sélection en cristal de direction : Une autre direction en cristal est disponible, par exemple (110).

* les techniques de mesure optiques, telles qu'ellipsometry, assurent une surface propre sur chaque substrat.
 

InAs Wafer Specifications
Tranches de diamètre2"3"
Orientation(100) +/-0.1°(100) +/- 0.1°
Diamètre (millimètres)50,5 +/- 0,576,2 +/- 0,4
Option plateEJEJ
Tolérance plate+/- 0.1°+/- 0.1°
Major Flat Length (millimètres)16 +/- 222 +/- 2
Longueur plate mineure (millimètres)8 +/- 111 +/- 1
Épaisseur (um)500 +/- 25625 +/- 25
Caractéristiques électriques et de dopant
DopantType
Transporteur
Concentration cm-3
Mobilité
cm^2•V^-1•s^-1
Non dopéde type n(1-3) *10^16>23000
faible teneur en soufrede type n(4-8) *10^1625000-15000
Hautement sulfureuxde type n(1-3) *10^1812000-7000
Bas zincde type p(1-3) *10^17350-200
Haut zincde type p(1-3) *10^18250-100
E.P.D. cm^-22" <>3" <>
Caractéristiques de planéité
Forme de gaufrette2"3"
Polonais/gravé l'eau-forteTTV (um)<12><15>
Cintrez (um)<12><15>
Déformez (um)<12><15>
Polonais/polonaisTTV (um)<12><15>
Cintrez (um)<12><15>
Déformez (um)<12><15>

---FAQ –

Q : Est-vous une société commerciale ou le fabricant ?

: le zmkj est une société commerciale mais a un fabricant de saphir
 en tant que fournisseur des gaufrettes de matériaux de semi-conducteur pour une grande envergure des applications.

Q : De quelle longueur est-il votre délai de livraison ?

: Généralement c'est de 5-10 jours si les marchandises sont en stock. ou c'est de 15-20 jours si les marchandises ne sont pas
en stock, il est selon la quantité.

Q : Fournissez-vous des échantillons ? est-lui librement ou supplémentaire ?

: Oui, nous pourrions offrir l'échantillon pour la charge libre mais ne payons pas le coût de fret.

Q : Quelles sont vos conditions de paiement ?

: Payment=1000USD<>,
50% T/T l'avance, équilibre avant expédition.
Si vous avez une autre question, les pls se sentent libres pour nous contacter en tant que ci-dessous :

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