Wafer GaP de 2 pouces avec position/longueur EJ 0-1-1 / 16±1 mm LED LD Mobilité Min 100

Wafer GaP de 2 pouces avec OF Emplacement/Longueur EJ 0-1-1 / 16±1 mm LED Mobilité LD Min 100

Description du produit:

Une plaque GaP est un substrat semi-conducteur principalement utilisé dans la fabrication de divers dispositifs électroniques et optoélectroniques.Les plaquettes de phosphure de gallium (GaP) présentent des propriétés optiques et électroniques exceptionnelles qui les rendent indispensables dans le domaine de la technologie des semi-conducteursCes plaquettes sont réputées pour leur capacité générer de la lumière travers différents spectres, ce qui permet la production de LED et de diodes laser dans des couleurs allant du rouge, du vert au jaune.

L'écart de bande large d'environ 2,26 électronvolts (eV) permet aux plaquettes GaP d'absorber efficacement des longueurs d'onde spécifiques de la lumière.Le GaP est un excellent choix pour les photodétecteurs., cellules solaires et autres appareils nécessitant une absorption de la lumière adaptée.

En outre, le GaP démontre une conductivité électronique et une stabilité thermiques robustes, ce qui le rend approprié pour les appareils électroniques haute fréquence et les applications où la gestion thermique est essentielle.

Les plaquettes GaP servent non seulement de matériau de base pour la fabrication de dispositifs, mais aussi de substrat pour la croissance épitaxielle d'autres matériaux semi-conducteurs.Leur stabilité chimique et leurs paramètres de treillis relativement correspondants offrent un environnement favorable pour le dépôt et la fabrication de couches de semi-conducteurs de haute qualité.

En substance, les plaquettes GaP sont des substrats semi-conducteurs très polyvalents, essentiels dans la production de LED, de diodes laser, d'appareils électroniques haute fréquence,et un spectre de composants optoélectroniques grce leur qualité optique supérieure, électronique et thermique.

Caractéristiques:

• Nom du produit: Wafer GaP base de semi-conducteurs
• Plaquettes d'oxyde de silicium ultra épaisses
• Plaquettes d'oxyde de silicium
• Type de conduit de la plaque GaP: S-C-N
• Conductivité
• Mobilité: Min 100
• L'angle d'orientation de la plaque GaP: N/A
• Nombre de particules dans la gaufre GaP: N/A
• Épaisseur: Min 175 Max 225
• Conductivité électrique: GaP démontre une bonne conductivité électrique,contribuer son utilisation dans les appareils et applications électroniques haute fréquence où des performances électroniques fiables sont essentielles.
• Stabilité thermique: Le GaP présente une conductivité thermique et une stabilité remarquables, ce qui le rend approprié pour les applications nécessitant une gestion thermique efficace.
• Fonctionnalité du substrat: les plaquettes GaP servent non seulement de matériau de base pour la fabrication du dispositif, mais aussi de substrat pour la croissance épitaxienne,permettant le dépôt de couches supplémentaires de semi-conducteursLeur compatibilité avec d'autres matériaux et leurs paramètres de réseau relativement correspondants facilitent la croissance de couches de semi-conducteurs de haute qualité.

Paramètres techniques:

Applications:

• Fabrication de LED et d'appareils laser: les plaquettes GaP sont utilisées dans la fabrication de diodes électroluminescentes (LED) et de diodes laser (LD).Leurs propriétés optiques exceptionnelles permettent de produire de la lumière différentes longueurs d'onde comme le rouge.Ce qui rend le GaP essentiel pour les applications d'éclairage, d'affichage, d'indicateur et de laser.
• Photodétecteurs Wafer GaP: Le GaP est utilisé dans la fabrication de photodétecteurs en raison de ses capacités d'absorption de la lumière supérieures des longueurs d'onde spécifiques.Ces détecteurs sont utilisés pour recevoir et détecter des signaux lumineux dans des plages de longueurs d'onde spécifiques, y compris la lumière infrarouge.
• Cellules solaires GaP Wafer: les cellules solaires GaP, bien qu'ayant potentiellement une efficacité inférieure par rapport d'autres matériaux, présentent de bonnes propriétés d'absorption de la lumière dans certains spectres.Cela les rend appropriés pour des gammes de longueurs d'onde spécifiques dans les applications photovoltaïques.
• Dispositifs semi-conducteurs: Le GaP, en tant que matériau semi-conducteur, est utilisé dans la préparation de dispositifs optiques conçus pour des plages de longueurs d'onde spécifiques.en raison de ses caractéristiques électroniquesLe GaP est utilisé dans la fabrication de dispositifs électroniques haute fréquence.
• Dans l'ensemble, les plaquettes GaP jouent un rôle crucial dans les domaines de l'optoélectronique et des dispositifs semi-conducteurs.et appareils optiques conçus pour des plages de longueurs d'onde spécifiques.

Personnalisation:

Nom de marque: ZMSH

Numéro de modèle: Wafer GaP

Lieu d'origine: Chine

- Je ne peux pas.10

Matériau: GaP

Si le véhicule est équipé d'un système de freinage, il doit être équipé d'un système de freinage.

Grade: A

Dépendant: S

Nous fournissons des services personnalisés pour ZMSH GaP Wafer avec technologie de film mince et électro-oxydation, en utilisant des matériaux semi-conducteurs de haute qualité.

Assistance et services:

Nous fournissons un support technique et un service pour nos produits de substrat semi-conducteur.

• Ligne d'assistance technique 24 heures sur 24, 7 jours sur 7
• Mises jour de logiciels et de micrologiciels gratuits
• Services d'entretien et de réparation sur site
• Forum de soutien technique en ligne
• Diagnostic et dépannage distance
• Pièces de rechange et accessoires

Notre équipe d'ingénieurs expérimentés est disponible pour répondre toutes vos questions et fournir de l'aide pour l'installation, la configuration et le dépannage.Contactez-nous dès aujourd'hui pour en savoir plus sur notre support technique et notre service.