GaP Wafer Gallium Phosphide orientation à cristal unique (111)A 0°±0,2 Cellules solaires

Épaisseur:Min:175 Max:225
Dopant:S
Surface Finition arrière:Polissés
comptage de particules:N/A
Rondeur des bords:0.250 mmR
SI Emplacement/longueur:Le nombre d'étoiles est déterminé par la fréquence d'écoulement.
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Détails du produit

Wafer GaP, orientation en cristal unique au phosphure de gallium (111)A 0°±0,2 Cellules solaires

Description du produit:

Le GaP de phosphure de gallium, un semi-conducteur important aux propriétés électriques uniques comme les autres matériaux composés III-V, se cristallise dans la structure cubique ZB thermodynamiquement stable,est un matériau cristallin semi-transparent jaune-orange avec un écart de bande indirecte de 2.26 eV (300K), qui est synthétisé partir de gallium et de phosphore de haute pureté 6N 7N et transformé en cristal unique par la technique Liquid Encapsulated Czochralski (LEC).Le cristal de phosphure de gallium est dopé de soufre ou de tellurium pour obtenir un semi-conducteur de type n, et du zinc dopé en conductivité de type p pour une fabrication ultérieure en plaquette souhaitée, qui a des applications dans les systèmes optiques, les appareils électroniques et autres appareils optoélectroniques.Une gaufre GaP cristal unique peut être préparée pour votre LPE, MOCVD et MBE application épitaxielle. Wafer GaP de phosphure de gallium cristal unique de haute qualité de type p,La conductivité n-type ou non dopée de Western Minmetals (SC) Corporation peut être offerte en taille 2′′ et 3′′ (50mm), 75 mm de diamètre), orientation <100>,<11> avec finition de surface de procédé taillé, poli ou épi-prêt.

Caractéristiques:

  • Large bande passante adaptée l'émission de longueurs d'onde spécifiques de lumière.
  • GaP Wafer Excellentes propriétés optiques permettant la production de LEDs de différentes couleurs.
  • Haute efficacité dans la génération de lumières rouges, jaunes et vertes pour les LED.
  • Capacité d'absorption supérieure de la lumière des longueurs d'onde spécifiques.
  • Bonne conductivité électrique facilitant les appareils électroniques haute fréquence.
  • GaP Wafer Stabilité thermique appropriée pour des performances fiables.
  • Stabilité chimique adaptée aux procédés de fabrication de semi-conducteurs.
  • GaP Wafer Paramètres de réseau favorables pour la croissance épitaxielle de couches supplémentaires.
  • Capable de servir de substrat pour le dépôt de semi-conducteurs.
  • GaP Wafer Matériau robuste avec une conductivité thermique élevée.
  • Excellentes capacités optoélectroniques pour les photodétecteurs.
  • Versatilité dans la conception de dispositifs optiques pour des gammes de longueurs d'onde spécifiques.
  • GaP Wafer Application potentielle dans les cellules solaires pour une absorption de la lumière adaptée.
  • Structures de réseau relativement assorties pour une croissance de semi-conducteurs de qualité.
  • Rôle essentiel dans la fabrication de LED, de diodes laser et de photodétecteurs en raison de ses propriétés optiques et électriques.
 

Paramètres techniques:

ParamètreValeur
Méthode de croissanceLEC
- Je vous en prie.- Je ne sais pas.10
Diamètre500,6 ± 0,3 mm
Nombre de particulesN/A
Angle d'orientationN/A
TTV/TIR- Je ne sais pas.10
DépendantS
Marquage au laserN/A
Les orientations(111) A 0° ± 0.2
MobilitéJe vous en prie.100
Matériau de semi-conducteursSubstrate semi-conducteurs
Oxydation de surfacePlaquettes d'oxyde de silicium ultra épaisses

Applications:

  1. Fabrication de lampes LED GaP Wafer pour la production de lumières rouges, jaunes et vertes.
  2. Fabrication de diodes laser GaP Wafer pour diverses applications optiques.
  3. Développement de photodétecteurs GaP Wafer pour des gammes de longueurs d'onde spécifiques.
  4. Utilisation de la plaque GaP dans les capteurs optoélectroniques et les capteurs lumineux.
  5. GaP Wafer Intégration de cellules solaires pour une absorption du spectre lumineux sur mesure.
  6. GaP Wafer Production de panneaux d'affichage et de feux d'affichage.
  7. GaP Wafer Contribution aux appareils électroniques haute fréquence.
  8. GaP Wafer Formation de dispositifs optiques pour différentes gammes de longueurs d'onde.
  9. Utilisation des plaquettes GaP dans les télécommunications et les systèmes de communication optique.
  10. GaP Wafer Développement de dispositifs photoniques pour le traitement du signal.
  11. Incorporation de plaquettes GaP dans les capteurs infrarouges (IR) et ultraviolets (UV).
  12. Mise en uvre de GaP Wafer dans les dispositifs de détection biomédical et environnemental.
  13. Application des plaquettes GaP dans les systèmes optiques militaires et aérospatiaux.
  14. Intégration de la plaque GaP dans la spectroscopie et l'instrumentation analytique.
  15. Utilisation des plaquettes GaP dans la recherche et le développement de technologies émergentes.

Personnalisation:

Service de substrat de semi-conducteurs sur mesure

Nom de marque: ZMSH

Numéro de modèle: plaquette GaP

Lieu d'origine: Chine

TTV/TIR: max:10

- Je ne peux pas.10

L'équipement doit être équipé d'un dispositif de détection de la pollution.

Mobilité: Min:100

Résistance: Min:0.01 Max:0.5 Ω.cm

Caractéristiques:
• Utilisation de la technologie film mince
• plaquettes d'oxyde de silicium
• électro-oxydation
• Service personnalisé

 

Assistance et services:

Assistance technique et services en matière de substrat de semi-conducteurs

Nous fournissons une large gamme de support technique et de services pour nos produits de semi-conducteurs.

Que vous ayez besoin de conseils sur la sélection du produit, l'installation, les tests ou toute autre question technique, nous sommes l pour vous aider.

  • Sélection et évaluation des produits
  • Installation et essais
  • Troubleshooting et résolution de problèmes
  • Optimisation des performances
  • Formation et éducation aux produits

Notre équipe d'ingénieurs et de techniciens expérimentés est votre disposition pour répondre toutes vos questions et vous fournir les meilleurs conseils et soutien techniques.Contactez-nous dès aujourd'hui et laissez-nous vous aider trouver la meilleure solution pour vos besoins.

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GaP Wafer Gallium Phosphide orientation à cristal unique (111)A 0°±0,2 Cellules solaires

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