Wafer GaP, orientation en cristal unique au phosphure de gallium
(111)A 0°±0,2 Cellules solaires
Description du produit:
Le GaP de phosphure de gallium, un semi-conducteur important aux
propriétés électriques uniques comme les autres matériaux composés
III-V, se cristallise dans la structure cubique ZB
thermodynamiquement stable,est un matériau cristallin
semi-transparent jaune-orange avec un écart de bande indirecte de
2.26 eV (300K), qui est synthétisé partir de gallium et de
phosphore de haute pureté 6N 7N et transformé en cristal unique par
la technique Liquid Encapsulated Czochralski (LEC).Le cristal de
phosphure de gallium est dopé de soufre ou de tellurium pour
obtenir un semi-conducteur de type n, et du zinc dopé en
conductivité de type p pour une fabrication ultérieure en plaquette
souhaitée, qui a des applications dans les systèmes optiques, les
appareils électroniques et autres appareils optoélectroniques.Une
gaufre GaP cristal unique peut être préparée pour votre LPE, MOCVD
et MBE application épitaxielle. Wafer GaP de phosphure de gallium
cristal unique de haute qualité de type p,La conductivité n-type ou
non dopée de Western Minmetals (SC) Corporation peut être offerte
en taille 2′′ et 3′′ (50mm), 75 mm de diamètre), orientation
<100>,<11> avec finition de surface de procédé taillé,
poli ou épi-prêt.
Caractéristiques:
- Large bande passante adaptée l'émission de longueurs d'onde
spécifiques de lumière.
- GaP Wafer Excellentes propriétés optiques permettant la production
de LEDs de différentes couleurs.
- Haute efficacité dans la génération de lumières rouges, jaunes et
vertes pour les LED.
- Capacité d'absorption supérieure de la lumière des longueurs d'onde
spécifiques.
- Bonne conductivité électrique facilitant les appareils
électroniques haute fréquence.
- GaP Wafer Stabilité thermique appropriée pour des performances
fiables.
- Stabilité chimique adaptée aux procédés de fabrication de
semi-conducteurs.
- GaP Wafer Paramètres de réseau favorables pour la croissance
épitaxielle de couches supplémentaires.
- Capable de servir de substrat pour le dépôt de semi-conducteurs.
- GaP Wafer Matériau robuste avec une conductivité thermique élevée.
- Excellentes capacités optoélectroniques pour les photodétecteurs.
- Versatilité dans la conception de dispositifs optiques pour des
gammes de longueurs d'onde spécifiques.
- GaP Wafer Application potentielle dans les cellules solaires pour
une absorption de la lumière adaptée.
- Structures de réseau relativement assorties pour une croissance de
semi-conducteurs de qualité.
- Rôle essentiel dans la fabrication de LED, de diodes laser et de
photodétecteurs en raison de ses propriétés optiques et
électriques.
Paramètres techniques:
Paramètre | Valeur |
---|
Méthode de croissance | LEC |
- Je vous en prie. | - Je ne sais pas.10 |
Diamètre | 500,6 ± 0,3 mm |
Nombre de particules | N/A |
Angle d'orientation | N/A |
TTV/TIR | - Je ne sais pas.10 |
Dépendant | S |
Marquage au laser | N/A |
Les orientations | (111) A 0° ± 0.2 |
Mobilité | Je vous en prie.100 |
Matériau de semi-conducteurs | Substrate semi-conducteurs |
Oxydation de surface | Plaquettes d'oxyde de silicium ultra épaisses |
Applications:
- Fabrication de lampes LED GaP Wafer pour la production de lumières
rouges, jaunes et vertes.
- Fabrication de diodes laser GaP Wafer pour diverses applications
optiques.
- Développement de photodétecteurs GaP Wafer pour des gammes de
longueurs d'onde spécifiques.
- Utilisation de la plaque GaP dans les capteurs optoélectroniques et
les capteurs lumineux.
- GaP Wafer Intégration de cellules solaires pour une absorption du
spectre lumineux sur mesure.
- GaP Wafer Production de panneaux d'affichage et de feux
d'affichage.
- GaP Wafer Contribution aux appareils électroniques haute fréquence.
- GaP Wafer Formation de dispositifs optiques pour différentes gammes
de longueurs d'onde.
- Utilisation des plaquettes GaP dans les télécommunications et les
systèmes de communication optique.
- GaP Wafer Développement de dispositifs photoniques pour le
traitement du signal.
- Incorporation de plaquettes GaP dans les capteurs infrarouges (IR)
et ultraviolets (UV).
- Mise en uvre de GaP Wafer dans les dispositifs de détection
biomédical et environnemental.
- Application des plaquettes GaP dans les systèmes optiques
militaires et aérospatiaux.
- Intégration de la plaque GaP dans la spectroscopie et
l'instrumentation analytique.
- Utilisation des plaquettes GaP dans la recherche et le
développement de technologies émergentes.
Personnalisation:
Service de substrat de semi-conducteurs sur mesure
Nom de marque: ZMSH
Numéro de modèle: plaquette GaP
Lieu d'origine: Chine
TTV/TIR: max:10
- Je ne peux pas.10
L'équipement doit être équipé d'un dispositif de détection de la
pollution.
Mobilité: Min:100
Résistance: Min:0.01 Max:0.5 Ω.cm
Caractéristiques:
• Utilisation de la technologie film mince
• plaquettes d'oxyde de silicium
• électro-oxydation
• Service personnalisé
Assistance et services:
Assistance technique et services en matière de substrat de
semi-conducteurs
Nous fournissons une large gamme de support technique et de
services pour nos produits de semi-conducteurs.
Que vous ayez besoin de conseils sur la sélection du produit,
l'installation, les tests ou toute autre question technique, nous
sommes l pour vous aider.
- Sélection et évaluation des produits
- Installation et essais
- Troubleshooting et résolution de problèmes
- Optimisation des performances
- Formation et éducation aux produits
Notre équipe d'ingénieurs et de techniciens expérimentés est votre
disposition pour répondre toutes vos questions et vous fournir les
meilleurs conseils et soutien techniques.Contactez-nous dès
aujourd'hui et laissez-nous vous aider trouver la meilleure
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