4H N Type Semi Type SiC Wafer 4 pouces DSP Production Recherche personnalisation de qualité factice

Description du produit:

La gaufre de carbure de silicium est principalement utilisée dans la production de diodes Schottky, de transistors effet de champ semi-conducteurs d'oxyde de métal, de transistors effet de champ de jonction, de transistors jonction bipolaire,thyristorsLa gaufre en carbure de silicium présente une résistivité élevée/faible, ce qui garantit les performances dont vous avez besoin.quelles que soient les exigences de votre demandeQue vous travailliez avec de l'électronique de haute puissance ou des capteurs de faible puissance, notre wafer est la hauteur de la tche.Donc si vous cherchez une gaufre en carbure de silicium de haute qualité qui offre des performances et une fiabilité exceptionnellesNous vous garantissons que vous ne serez pas déçu par sa qualité ou ses performances.

Le personnage:

1- Stabilité haute température: les plaquettes de carbure de silicium présentent une conductivité thermique extrêmement élevée et une inerté chimique,leur permettant de maintenir leur stabilité dans des environnements haute température sans subir facilement d'expansion thermique et de déformation.
2Haute résistance mécanique: les plaquettes en carbure de silicium ont une rigidité et une dureté élevées, ce qui leur permet de résister des contraintes élevées et de lourdes charges.
3Excellentes propriétés électriques: les plaquettes en carbure de silicium ont des propriétés électriques supérieures celles des matériaux en silicium, avec une conductivité électrique élevée et une mobilité électronique.
4- Excellente performance optique: les plaquettes en carbure de silicium possèdent une bonne transparence et une forte résistance aux rayonnements.

Croissance en cristal unique de carbure de silicium:

1. Invertisseurs, convertisseurs CC-DC et chargeurs embarqués pour véhicules électriques: ces applications nécessitent un grand nombre de modules de puissance.les dispositifs en carbure de silicium permettent une augmentation significative de l'autonomie et une réduction du temps de charge des véhicules électriques.
2Les dispositifs de puissance au carbure de silicium pour les applications d'énergie renouvelable: Les dispositifs de puissance au carbure de silicium utilisés dans les onduleurs pour les applications d'énergie solaire et éolienne améliorent l'utilisation de l'énergie.fournir des solutions plus efficaces pour atteindre un pic de carbone et la neutralité carbone.
3. Applications haute tension comme les systèmes ferroviaires grande vitesse, les systèmes de métro et les réseaux électriques: les systèmes dans ces domaines exigent une tolérance haute tension, une sécurité et une efficacité opérationnelle.Les dispositifs de puissance basés sur l'épitaxie du carbure de silicium sont le choix optimal pour les applications susmentionnées.
4• Dispositifs RF de haute puissance pour la communication 5G: Ces dispositifs pour le secteur de la communication 5G nécessitent des substrats haute conductivité thermique et propriétés d'isolation.Cela facilite la réalisation de structures épitaxiales GaN supérieures.

FAQ:

Q: Quelle est la différence entre le 4H-SiC et le SiC?
R: Le carbure de silicium 4H (4H-SiC) se distingue comme un polytype supérieur de SiC en raison de son large espace de bande, de son excellente stabilité thermique et de ses remarquables caractéristiques électriques et mécaniques.

Q: Quand le SiC doit- il être utilisé?
R: Si vous voulez citer quelqu'un ou quelque chose dans votre travail, et que vous remarquez que le matériel source contient une erreur orthographique ou grammaticale,Vous utilisez sic pour désigner l'erreur en le plaçant juste après l'erreur.

Q: Pourquoi 4H SiC?
R: Le 4H-SiC est préférable au 6H-SiC pour la plupart des applications électroniques car il a une mobilité électronique plus élevée et plus isotrope que le 6H-SiC.