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Wafer SiC 4H de type N de qualité carbure de silicium 2 pouces 4 pouces 6 pouces 8 pouces DSP sur mesure
La gaufre en carbure de silicium est fournie dans un type 4H n, qui est le type le plus couramment utilisé pour les gaufres en carbure de silicium.conductivité thermique élevée, et une grande stabilité chimique et mécanique.
La gaufre en carbure de silicium est disponible en trois catégories différentes: production, recherche et mannequin.La gaufre de qualité Production est conçue pour une utilisation dans des applications commerciales et est produite selon des normes de qualité strictesLa gaufre de qualité Research est conçue pour une utilisation dans les applications de recherche et développement et est produite selon des normes de qualité encore plus élevées.La gaufre de qualité mannequin est conçue pour être utilisée comme placeholder dans le processus de fabrication.
Les plaquettes en carbure de silicium (SiC) sont un matériau
semi-conducteur clé qui joue un rôle important dans les appareils
électroniques haute puissance et haute fréquence, entre autres
applications.Voici quelques caractéristiques des plaquettes SiC:
1. Caractéristiques de l'écart de large bande:
Le SiC a une large bande passante, généralement entre 2,3 et 3,3
électronvolts, ce qui le rend excellent pour les applications haute
température et haute puissance.Cette propriété d'écart large bande
aide réduire le courant de fuite dans le matériau et d'améliorer
les performances du dispositif.
2Conductivité thermique:
Le SiC a une conductivité thermique très élevée, plusieurs fois
supérieure celle des plaquettes de silicium conventionnelles.Cette
haute conductivité thermique facilite une dissipation de chaleur
efficace dans les appareils électroniques haute puissance et
améliore la stabilité et la fiabilité des appareils.
3Propriétés mécaniques:
Le SiC a une excellente résistance mécanique et dureté, ce qui est
important pour les applications haute température et dans des
environnements difficiles.et environnements haut rayonnement, ce
qui les rend adaptés des applications nécessitant une résistance et
une durabilité élevées.
4Stabilité chimique:
Le SiC a une résistance élevée la corrosion chimique et peut
résister l'attaque de nombreux produits chimiques, il fonctionne
donc bien dans certains environnements spéciaux où des performances
stables sont requises.
5Propriétés électriques:
Le SiC a une tension de rupture élevée et un courant de fuite
faible, ce qui le rend très utile dans les appareils électroniques
haute tension et haute fréquence.Les plaquettes SiC ont une
résistivité plus faible et une permissivité plus élevée, ce qui est
essentiel pour les applications RF.
En général, les plaquettes SiC ont de larges perspectives
d'application dans les appareils électroniques haute puissance, les
appareils RF et les appareils optoélectroniques en raison de leurs
excellentes propriétés électriques, thermiques et mécaniques.
Nom de l'article | 4H type n Wafer SiC de qualité P ((2 ~ 8 pouces) | ||||
Diamètre | 500,8 ± 0,3 mm | 76.2 ± 0,3 mm | 1000,0 ± 0,3 mm | 1500,0 ± 0,5 mm | 2000,0 ± 0,5 mm |
Épaisseur | 350 ± 25 μm | 350 ± 25 μm | 350 ± 25 μm | 350 ± 25 μm | 500 ± 25 μm |
Orientation de la surface | En dehors de l'axe:4° vers le bas <11-20>±0,5° | ||||
L'orientation principale est plate | Parallèle <11-20>±1° | Le niveau d'humidité doit être supérieur ou égal : | |||
Longueur plate primaire | 160,0 ± 1,5 mm | 220,0 ± 1,5 mm | 32.5 ± 2,0 mm | 47.5 ± 2,0 mm | Encastrement |
Orientation plat secondaire | Sicile face vers le haut: 90° CW. de la plaine primaire ± 5,0° | N/A | N/A | ||
Longueur plate secondaire | 80,0 ± 1,5 mm | 110,0 ± 1,5 mm | 18.0 ± 2,0 mm | N/A | N/A |
Résistance | 0.014 ¥0.028Ω•cm | ||||
Finition de surface avant | Si-Face: CMP, Ra<0,5 nm | ||||
Finition de surface arrière | La surface en C: polissage optique, Ra<1,0 nm | ||||
Marque au laser | l'arrière: face C. | ||||
TTV | ≤ 10 μm | ≤ 15 μm | ≤ 15 μm | ≤ 15 μm | ≤ 20 μm |
- Je vous en prie. | ≤ 25 μm | ≤ 25 μm | ≤ 30 μm | ≤ 40 μm | ≤ 60 μm |
Le WARP | ≤ 30 μm | ≤ 35 μm | ≤ 40 μm | ≤ 60 μm | ≤ 80 μm |
Exclusion des bords | ≤ 3 mm |
1. Appareils électroniques de puissance:
Les plaquettes SiC ont un large éventail d'applications dans le
domaine des appareils électroniques de puissance tels que les
MOSFET de puissance (transistors effet de champ semi-conducteurs
d'oxyde métallique) et les SCHTKEY (diodes de barrière Schottky).La
forte résistance au champ de décomposition et la grande vitesse de
dérive de saturation électronique du matériau SiC en font un choix
idéal pour les convertisseurs de puissance haute densité de
puissance et haute efficacité.
2. Dispositifs radiofréquence (RF):
Les plaquettes SiC trouvent également des applications importantes
dans les appareils RF, tels que les amplificateurs de puissance RF
et les appareils micro-ondes.La haute mobilité électronique et la
faible perte des matériaux SiC les rendent excellents dans les
applications haute fréquence et haute puissance.
3Appareils optoélectroniques:
Les plaquettes SiC trouvent également de plus en plus
d'applications dans les appareils optoélectroniques, tels que les
photodiodes, les détecteurs de lumière ultraviolette et les diodes
laser.Les excellentes propriétés optiques et la stabilité du
matériau SiC en font un matériau important dans le domaine des
appareils optoélectroniques.
4. Capteur de température élevée:
Les plaquettes SiC sont largement utilisées dans le domaine des
capteurs haute température en raison de leurs excellentes
propriétés mécaniques et de leur stabilité haute température.les
radiations, et environnements corrosifs et sont adaptés aux
secteurs aérospatial, énergétique et industriel.
5- appareils électroniques résistants aux rayonnements:
La résistance aux rayonnements des plaquettes de SiC les rend
largement utilisées dans l'énergie nucléaire, l'aérospatiale et
d'autres domaines où des caractéristiques de résistance aux
rayonnements sont requises.Le matériau SiC a une grande stabilité
au rayonnement et convient aux appareils électroniques dans un
environnement forte radiation.
Nous nous engageons fournir des solutions de plaquettes SiC personnalisées de haute qualité et de haute performance pour répondre aux divers besoins de nos clients.notre usine peut personnaliser des plaquettes SiC de différentes spécifications, épaisseurs et formes selon les exigences spécifiques de nos clients.
1Q: Quelle est la plus grande plaque de saphir?
Le saphir de 300 mm est désormais la plus grande gaufre pour les
diodes électroluminescentes (LED) et les appareils électroniques
grand public.
2Q: Quelle est la taille des gaufres en saphir?
R: Les diamètres de nos plaquettes standard varient de 25,4 mm (1 pouce) 300 mm (11,8 pouce) de taille;les plaquettes peuvent être produites dans différentes épaisseurs et orientations avec des côtés poli ou non poli et peuvent inclure des dopants.
3Q: Quelle est la différence entre les plaquettes en saphir et en
silicium?
R: Les LED sont les applications les plus populaires pour le
saphir. Le matériau est transparent et un excellent conducteur de
lumière.le silicium est opaque et ne permet pas une extraction
efficace de la lumièreCependant, le matériau semi-conducteur est
idéal pour les LED, car il est la fois bon marché et transparent.
2.Substrate SiC de 4 pouces 4H-N
3.4H-SEMI Wafer SiC de 2 pouces