8 pouces Si Wafer CZ 200 mm Wafer au silicium de qualité supérieure < 111>, SSP, DSP P type, B Dopant pour matériau semi-conducteur

Lieu d'origine:Chine
Matériel:Plaquettes de silicium à cristal unique
Méthode de croissance:Zones de pêche
orientation:Le taux de change
La distorsion.:30 µm
Je vous en prie.:30 µm
Contacter

Add to Cart

Fournisseur Vérifié
Shanghai Shanghai China
Adresse: Chambre 1-1805, no.1079 rue Dianshanhu, région de Qingpu, ville de Shanghai, Chine /201799
dernière connexion fois fournisseur: dans 38 heures
Détails du produit Profil de la société
Détails du produit

8 pouces si Wafer CZ 200 mm Wafer au silicium de qualité primaire < 100>, SSP,DSP type P,B dopant,pour matériau semi-conducteur

 

Introduction du produit: Wafer de silicium de qualité supérieure de 8 pouces (200 mm)

Les plaquettes de silicium constituent la pierre angulaire de l'industrie des semi-conducteurs, facilitant la création de technologies de pointe qui stimulent l'innovation moderne.Wafer au silicium de qualité supérieure de 8 pouces (200 mm)représente le sommet de l'excellence en matière de matériaux et de fabrication, spécialement conçu pour la fabrication de semi-conducteurs et les applications connexes.et une qualité de surface impeccable, ces plaquettes répondent aux besoins exigeants des industries telles que la production de puces, la fabrication de MEMS et les systèmes photovoltaïques.

Fabriqué en utilisant leprocédé de Czochralski (CZ), cette galette est dotée d' unorientation cristalline < 100,Dopage de type P avec du bore, et des options pour les surfaces polies à une face (SSP) ou polies à double face (DSP).et la contamination minimale par les particules en font un choix fiable pour les principales usines de semi-conducteurs, les institutions de R & D et les établissements d'enseignement dans le monde.

 

8 pouces Si Wafer CZ 200 mm Wafer au silicium de qualité supérieure < 111>, SSP, DSP P type, B Dopant pour matériau semi-conducteur


1.Principales spécifications

Spécification Valeur
Diamètre 200 mm ± 0,2 mm
Méthode de croissance Czochralski (CZ)
- Je vous en prie. ≤ 30 μm
Le WARP ≤ 30 μm
Variation totale de l'épaisseur (TTV) ≤ 5 μm
Particules ≤ 50 (≥ 0,16 μm)
Concentration d'oxygène ≤ 18 ppm
Concentration de carbone ≤ 1 ppm
Roughness de surface (Ra) ≤ 5 Å

Ces spécifications démontrent l'excellente précision dimensionnelle, l'intégrité structurelle et la pureté chimique des plaquettes, essentielles pour les processus de fabrication avancés.


2.Principales caractéristiques

2.1 Qualité supérieure

Nos gaufres en silicium sont faites deSilicium monocristallin vierge tout neuf, assurant une pureté et une fiabilité inégalées, ce qui garantit des performances optimales à toutes les étapes de la fabrication des semi-conducteurs.

2.2 Surface prête à l'épinectomie

Chaque gaufre est poli pour obtenir une surface épi-prête de haute qualité, ce qui la rend adaptée au dépôt épitaxial et à d'autres processus critiques.La surface extrêmement lisse minimise les défauts et améliore le rendement des processus en aval.

2.3 dépasse les normes du secteur

Nos gaufres en silicium de 8 pouces se rencontrent et dépassent souventNormes SEMI M1-0302, reflétant leurs propriétés mécaniques et électriques supérieures, ce qui assure la compatibilité avec les équipements et techniques mondiaux de fabrication de semi-conducteurs.

2.4 Contrôle de qualité complet

Chaque plaquette est soumise à une inspection et à des tests méticuleux pour des paramètres tels que TTV, BOW, WARP, densité de particules et uniformité de résistivité.Ce processus rigoureux d'assurance qualité assure des plaquettes sans défaut et fiables pour chaque application.

2.5 Emballage sécurisé

Pour prévenir la contamination et les dommages physiques, les gaufres sont emballées danscassettes en PP ultra-propres, scellé danssacs à double poignée antistatiquessousconditions de salle blanche de classe 100Cela garantit que les plaquettes arrivent en parfait état, prêtes à être utilisées immédiatement.

2.6 Solutions rentables

Nos plaquettes sont à des prix compétitifs, avec des réductions de quantité disponibles pour les commandes en vrac, ce qui en fait un excellent choix pour la production à l'échelle industrielle et les projets de recherche.

2.7 Certificat de conformité (COC)

Chaque envoi comprend un certificat de conformité, qui vérifie les spécifications des plaquettes et leur conformité aux normes de l'industrie.Cette documentation assure aux clients la tranquillité d'esprit quant à la qualité et à l'authenticité du produit..


3.Applications

La polyvalence et les performances élevées de la gaufre en silicium Prime Grade de 8 pouces la rendent adaptée à un large éventail d'applications:

3.1 Fabrication de semi-conducteurs

  • Production de puces et fabrication de circuits intégrés:
    L'orientation cristalline et la pureté élevée des wafers sont idéales pour la fabrication de circuits intégrés, de processeurs et de puces mémoire, soutenant les progrès de l'informatique et des télécommunications.

  • Dispositifs de puissance à semi-conducteurs:
    Ses propriétés électriques stables et ses défauts minimaux en font un choix fiable pour créer des transistors bipolaires à porte isolée (IGBT) et des transistors à effet de champ semi-conducteurs à oxyde métallique (MOSFET).

3.2 MEMS et capteurs

La planéité exceptionnelle et les dimensions précises de ces plaquettes sont essentielles pour fabriquer des dispositifs MEMS, notamment des accéléromètres, des gyroscopes et des capteurs de pression.

3.3 Photonics et optoélectronique

  • Éclairage à LED et diodes laser:
    La rugosité minimale de la surface et les faibles niveaux d'impuretés des plaquettes sont cruciaux pour une émission lumineuse efficace et des performances fiables de l'appareil.
  • Composants d'équipements optiques:
    Ils servent de substrat pour la fabrication de lentilles et de miroirs de haute précision dans les systèmes optiques.

3.4 Applications photovoltaïques solaires

Grâce à leur qualité cristalline supérieure et à leurs propriétés électriques constantes, ces plaquettes sont utilisées pour produire des cellules photovoltaïques à haut rendement.

3.5 Recherche et développement

Leurs spécifications personnalisables et leur disponibilité en plus petites quantités en font un choix privilégié pour les projets de R & D dans les universités, les lignes pilotes et les laboratoires d'innovation.


4.Les avantages de la gaufre en silicium de 8 pouces

4.1 Pureté et planéité exceptionnelles

Les plaquettes présentent des niveaux d'oxygène (≤18 ppma) et de carbone (≤1 ppma) très faibles, ce qui garantit une performance et une fiabilité améliorées de l'appareil.et WARP sont maintenus dans des tolérances serrées pour soutenir la photolithographie critique et les processus de dépôt de film mince.

4.2 Amélioration de la qualité de surface

La rugosité de la surface (Ra ≤ 5 Å) est optimisée pour permettre une croissance épitaxielle transparente, améliorant les rendements et réduisant les coûts de production dans la fabrication à volume élevé.

4.3 Confiance et compatibilité à l'échelle mondiale

Ces plaquettes sont largement utilisées parles usines de semi-conducteurs, les centres de R&D et les établissements universitairesdans le monde entier, grâce à leur compatibilité avec les équipements de traitement standard et les normes internationales de qualité.

4.4 Personnalisation polyvalente

De l'ajustement de la résistivité au dépôt de la couche d'oxyde, ces plaquettes peuvent être adaptées pour répondre aux exigences spécifiques du client, assurant leur adéquation pour un large éventail d'applications.


5.Processus de fabrication

Leprocédé de Czochralski (CZ)Cette technique avancée assure la création d'une structure de grille cristalline uniforme avec un minimum de défauts.les galettes sont tranchéesLe produit final est l'incarnation de l'ingénierie de précision, offrant des performances exceptionnelles dans diverses applications.


6.Engagement en faveur de l'environnement

Nos procédés de fabrication sont conçus pour minimiser l'impact environnemental.RoHSCet engagement garantit que nos produits répondent à la fois aux objectifs de performance et de durabilité.


7.Conclusion

LeWafer au silicium de qualité supérieure de 8 pouces (200 mm)Il est un exemple d'excellence dans la science des matériaux et la fabrication de semi-conducteurs.Les propriétés de surface exceptionnelles en font un élément essentiel pour le développement de technologies avancées..

Grâce à sa polyvalence, sa fiabilité et son adhésion aux normes de l'industrie, cette plaque est un choix fiable pour des applications allant de la production de semi-conducteurs à la prototypage de R&D.Si vous fabriquez des puces de nouvelle génération, la création de dispositifs MEMS, ou l'exploration de nouveaux horizons en photonie, ces plaquettes fournissent la base du succès.

En choisissant nos gaufres en silicium de 8 pouces, vous investissez dans un produit qui combine supériorité technique, confiance mondiale,et des prix compétitifs, une combinaison vraiment imbattable dans l'industrie des semi-conducteurs.

China 8 pouces Si Wafer CZ 200 mm Wafer au silicium de qualité supérieure < 111>, SSP, DSP P type, B Dopant pour matériau semi-conducteur supplier

8 pouces Si Wafer CZ 200 mm Wafer au silicium de qualité supérieure < 111>, SSP, DSP P type, B Dopant pour matériau semi-conducteur

Inquiry Cart 0