Systèmes de croissance des cristaux de TSSG et LPE pour la production de carbure de silicium

Fourniture SiC: PVT, Lely, TSSG et LPE Systèmes de croissance des cristaux pour la production de carbure de silicium de haute qualité

Résumé du four de croissance en carbure de silicium

Nous offrons une gamme complète deFours de croissance de cristaux au carbure de silicium (SiC), y comprisPVT (transport physique par vapeur),Lely (méthode d'induction), etTSSG/LPE (croissance de la phase liquide)technologies.

NotreFours PVTfournir des cristaux de SiC de haute qualité avec un contrôle précis de la température, idéal pour les semi-conducteurs.Pièces moulerutiliser le chauffage par induction électromagnétique pour la croissance de cristaux SiC de grande taille avec une excellente uniformité et un minimum de défauts.Pièces de chauffagespécialisée dans la production de cristaux de SiC ultra-purs et de couches épitaxielles pour les appareils électriques et optoélectroniques avancés.

Soutenus par une automatisation avancée, des systèmes de précision et des conceptions robustes, nos fours répondent divers besoins industriels et de recherche.des solutions de haute performance pour la croissance des cristaux de SiC pour soutenir des applications de pointe dans la fabrication de matériaux de haute technologie.

Propriétés du four de croissance de cristal de carbure de silicium

1. Méthode PVT (transport physique de vapeur)

• Principe: utilise un chauffage résistif pour sublimer le matériau source de SiC, qui se condense ensuite sur un cristal de graine pour former des cristaux de SiC.

• Application du projet: principalement pour la production de cristaux simples de SiC de qualité semi-conducteur.

• Les avantages:
  • Une production rentable.
  • Bien adapté la croissance de cristaux moyenne échelle.

• Principales caractéristiques:
  • Utilise des composants en graphite de haute pureté tels que des creusets et des porte-semences.
  • Contrôle avancé de la température par thermocouples et capteurs infrarouges.
  • Le vide et les systèmes de débit de gaz inertes assurent une atmosphère contrôlée.
  • Les systèmes PLC automatisés améliorent la précision et la répétabilité.
  • Les systèmes intégrés de refroidissement et de traitement des gaz résiduaires maintiennent la stabilité du processus.

2. Méthode Lely (chauffage par induction)

• Principe: utilise une induction électromagnétique haute fréquence pour chauffer le creuset et sublimer la poudre de SiC pour la croissance des cristaux.

• Application du projet: Idéal pour la croissance de cristaux de SiC de grande taille en raison de l'uniformité de température supérieure.

• Les avantages:
  • Efficacité thermique élevée et chauffage uniforme.
  • Réduit les défauts de cristal pendant la croissance.

• Principales caractéristiques:
  • Équipé de bobines d'induction en cuivre et de creusets revêtus de SiC.
  • Il dispose de chambres sous vide haute température pour un fonctionnement stable.
  • Contrôle précis de la température et du débit de gaz.
  • PLC et systèmes de surveillance distance pour une automatisation améliorée.
  • Systèmes de refroidissement et d'échappement efficaces pour assurer la sécurité et la fiabilité.

3. Méthode TSSG/LPE (croissance de la phase liquide)

• Principe: dissout le SiC dans un métal fondu haute température et produit des cristaux par refroidissement contrôlé (TSSG) ou dépose des couches de SiC sur un substrat (LPE).

• Application du projet: Produit des cristaux de SiC de très haute pureté et des couches épitaxielles pour l'électricité et l'optoélectronique.

• Les avantages:
  • Faible densité de défauts et croissance de cristaux de haute qualité.
  • Convient la fois pour les cristaux en vrac et pour les dépôts film mince.

• Principales caractéristiques:
  • Utilise des creusets compatibles avec le SiC (par exemple, du graphite ou du tantale).
  • Offre des systèmes de chauffage précis pour des températures allant jusqu' 2100°C.
  • Mécanismes de rotation et de positionnement hautement contrôlés pour une croissance uniforme.
  • Contrôle automatisé des processus et systèmes de refroidissement efficaces.
  • Adaptable diverses applications, y compris l'électronique haute puissance.

Les photos du four de croissance en carbure de silicium

Notre service

1. Des solutions uniques sur mesure
   Nous fournissons des solutions de fours carbure de silicium (SiC) sur mesure, y compris les technologies PVT, Lely et TSSG/LPE, adaptées vos besoins spécifiques.Nous veillons ce que nos systèmes correspondent vos objectifs de production.
    

2. Formation des clients
   Nous offrons une formation complète pour que votre équipe comprenne parfaitement comment utiliser et entretenir nos fours.
    

3. Installation sur place et mise en service
   Notre équipe installe et met en service personnellement les fours SiC votre emplacement. Nous assurons une mise en place en douceur et menons un processus de vérification approfondi pour garantir le plein fonctionnement du système.
    

4. Assistance après-vente
   Notre équipe est prête vous aider avec les réparations sur place et le dépannage pour minimiser les temps d'arrêt et maintenir le bon fonctionnement de votre équipement.
    

Nous nous engageons offrir des fours de haute qualité et un soutien continu pour assurer votre succès dans la croissance des cristaux de SiC.

Questions et réponses

- Je ne sais pas.Quelle est la méthode de transport physique de la vapeur de PVT?

A: Je suis désolé.LeTransport physique de vapeur (PVT)La méthode est une technique utilisée pour la culture de cristaux de haute qualité, en particulier pour des matériaux tels que le carbure de silicium (SiC).un matériau solide est chauffé dans un vide ou un environnement basse pression pour le sublimer (le convertir directement d'un solide en vapeur), qui traverse ensuite le système et se dépose sous forme de cristal sur un substrat plus froid.

- Je ne sais pas.Quelle est la méthode de croissance du SiC?

Une:Transport physique de vapeur (PVT)

La PVT consiste chauffer le matériau SiC dans le vide pour le vaporiser, puis permettre au vapeur de se déposer sur un substrat plus froid.

Dépôt de vapeur chimique (CVD)

Dans la CVD, des précurseurs gazeux comme le silane et le propane sont introduits dans une chambre où ils réagissent pour former du SiC sur un substrat.Méthode de Lely (chauffage par induction)

La méthode Lely utilise le chauffage par induction pour faire pousser de grands cristaux de SiC. La vapeur du matériau SiC chauffé se condense sur un cristal de graine.

La croissance de la solution (TSSG/LPE)

Cette méthode consiste faire pousser du SiC partir d'une solution fondue.