Support de vide en SiC massif – Plaque de support ultra-plate pour le traitement de plaquettes minces

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Numéro de modèle:un détecteur à vide de plaquettes en céramique ultra-plates
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Introduction du mandrin vide en SiC

Le mandrin vide pour plaquettes en céramique ultra-plat est fabriqué avec un revêtement en carbure de silicium (SiC) de haute pureté, conçu pour les processus avancés de manipulation de plaquettes. Optimisé pour une utilisation dans les équipements de croissance MOCVD et de semi-conducteurs composés, il offre une excellente résistance la chaleur et la corrosion, assurant une stabilité exceptionnelle dans les environnements de traitement extrêmes. Cela contribue une meilleure gestion du rendement et une fiabilité accrue dans la fabrication de plaquettes de semi-conducteurs.

Sa configuration faible contact de surface permet de minimiser la contamination particulaire du dos, ce qui le rend idéal pour les applications de plaquettes très sensibles où la propreté et la précision sont essentielles.

Cette solution combine haute performance et rentabilité, supportant les environnements de fabrication exigeants avec des performances fiables et durables.




Principe de fonctionnementDeMandrin vide en SiC


Dans les processus haute température, la plaque de support en SiC sert de support pour transporter des plaquettes ou des matériaux en couches minces. Sa haute conductivité thermique assure une répartition uniforme de la chaleur, améliorant la stabilité et l'uniformité du processus. De plus, en raison de sa dureté et de son inertie chimique, la plaque maintient son intégrité structurelle même dans les environnements corrosifs, assurant la pureté du produit et la sécurité de l'équipement.


Paramètres du mandrin vide pour plaquettes


Principales spécifications du revêtement CVD-SIC
Propriétés du SiC-CVD
Structure cristallinePhase FCC β
Densitég/cm ³3.21
DuretéDureté Vickers2500
Taille des grainsμm2~10
Pureté chimique%99.99995
Capacité thermiqueJ·kg-1 ·K-1640
Température de sublimation2700
Résistance la flexionMPa (RT 4 points)415
Module de YoungGpa (flexion 4 points, 1300℃)430
Dilatation thermique (C.T.E)10-6K-14.5
Conductivité thermique(W/mK)300



Caractéristiques du mandrin vide pour plaquettes

● Capacités ultra-plates

● Polissage miroir

● Légèreté exceptionnelle

● Haute rigidité

● Faible dilatation thermique

● Φ 300 mm de diamètre et plus

● Résistance extrême l'usure



Applications du mandrin vide poreux en SiC

Dans les industries des semi-conducteurs et de l'optoélectronique, les plaquettes ultra-minces sont souvent placées sur des mandrins vide en carbure de silicium (SiC) poreux. En se connectant un générateur de vide, une pression négative est appliquée pour maintenir fermement la plaquette en place sans pinces mécaniques. Cela permet un traitement précis et stable lors des étapes suivantes :

  • Montage la cire

  • Amincissement du dos (meulage ou rodage)

  • Décirage

  • Nettoyage

  • Découpe / Sciage

L'utilisation d'un mandrin vide en SiC poreux de haute pureté assure une excellente stabilité thermique et chimique tout au long de ces processus, tout en minimisant la contamination et en maintenant la planéité de la plaquette. Sa résistance mécanique et sa conductivité thermique supérieures réduisent également le risque de casse de la plaquette pendant le traitement, en particulier pour les substrats fragiles ou ultra-minces comme le GaAs, l'InP ou le SiC.



  

Foire aux questions (FAQ) – Mandrin vide poreux en SiC


Q1 : Quel est le but principal d'un mandrin vide poreux en SiC ?
R : Il est utilisé pour maintenir solidement des plaquettes minces ou fragiles lors d'étapes de traitement critiques telles que le montage la cire, l'amincissement, le nettoyage et la découpe. L'aspiration sous vide travers le matériau SiC poreux assure une tenue uniforme et stable sans endommager la surface de la plaquette.


Q2 : Quels matériaux peuvent être traités l'aide d'un mandrin vide en SiC ?
R : Il prend en charge une large gamme de matériaux semi-conducteurs, notamment :

  • Silicium (Si)

  • Arséniure de gallium (GaAs)

  • Phosphure d'indium (InP)

  • Carbure de silicium (SiC)

  • Saphir
    Ce sont généralement des plaquettes minces ou fragiles qui nécessitent une manipulation stable lors du traitement en fin de chaîne.


Q3 : Quel est l'avantage d'utiliser du SiC poreux par rapport aux mandrins en métal ou en céramique ?
R : Le SiC poreux offre plusieurs avantages :

  • Eexcellente conductivité thermique – empêche l'accumulation de chaleur pendant le traitement

  • Haute résistance mécanique – minimise le risque de déformation

  • Inertie chimique – compatible avec les produits chimiques de nettoyage agressifs

  • Faible génération de particules – adapté aux environnements de salle blanche

  • Distribution de vide stable – aspiration uniforme sur la surface de la plaquette


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