Transistor du Roi Size Low-Profile Through-Hole de Molin HLP pour des machines de cigarette

Number modèle:Fabricant
Point d'origine:La Chine
Quantité d'ordre minimum:2 PCs
Conditions de paiement:T/T, Western Union, MoneyGram, Paypal
Capacité d'approvisionnement:10000 PCs/mois
Délai de livraison:5-8 jours
Contacter

Add to Cart

Fournisseur Vérifié
Hong kong Hong kong China
Adresse: RM 18S, 27/F, HO ROI COMM CTR, ST de 2-16 FAYUEN, MONGKOK KOWLOON, HONG KONG
dernière connexion fois fournisseur: dans 33 heures
Détails du produit Profil de la société
Détails du produit

Transistor du Roi Size Low-Profile Through-Hole de Molin HLP pour des machines de cigarette


Un transistor est un dispositif de semi-conducteur utilisé pour amplifier ou commuter les signaux électroniques et le courant électrique. Les transistors sont l'un des blocs fonctionnels de base de l'électronique moderne. Elle se compose de matériel de semi-conducteur habituellement avec au moins trois terminaux pour la connexion un circuit externe.


1. Transistors jonction bipolaires


Les premiers transistors jonction bipolaires ont été inventés par William Shockley des laboratoires de Bell, qui a sollicité le brevet (2 569 347) le 26 juin 1948. Le 12 avril 1950, les chimistes Gordon Teal de Bell Labs et le Morgan Sparks avaient avec succès produit un transistor de amplification fonctionnant de germanium de jonction bipolaire de NPN.


1. Estimations et caractéristiques de Source-drain


ParamètreTypeMaximum.
EstCourant de source continu (diode de corps)49
DoctrineCourant de source pulsé (diode de corps)①160
VsDTension en avant de diode1,3
trrTemps de rétablissement inverse6395
QrrCharge inverse de récupération170260

1. Transistor de Point-contact


En 1948, le transistor de point-contact a été indépendamment inventé par les physiciens allemands Herbert Mataré et Heinrich Welker tout en travaillant au DES Freins et Signaux Westinghouse, une filiale de Compagnie de Westinghouse située Paris. Mataré a eu une expérience précédente dans des redresseurs cristal se développants de silicium et de germanium dans l'effort allemand de radar pendant la deuxième guerre mondiale. Utilisant cette connaissance, il a commencé rechercher le phénomène de la « interférence » en 1947.



China Transistor du Roi Size Low-Profile Through-Hole de Molin HLP pour des machines de cigarette supplier

Transistor du Roi Size Low-Profile Through-Hole de Molin HLP pour des machines de cigarette

Inquiry Cart 0