Transistor D2PAK de silicium de Hauni Max Super Slim Advanced Process
Number modèle:Fabricant
Point d'origine:La Chine
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Transistor D2PAK de silicium de Hauni Max Super Slim Advanced Process
Un transistor est un dispositif de semi-conducteur utilisé pour amplifier ou commuter les signaux électroniques et le courant électrique. Les transistors sont l'un des blocs fonctionnels de base de l'électronique moderne. Elle se compose de matériel de semi-conducteur habituellement avec au moins trois terminaux pour la connexion un circuit externe.
Autoradio de Tout-transistor
Le premier autoradio de tout-transistor de « production » a été développé par Chrysler et on a annoncé des sociétés et de Philco dans l'édition du 28 avril 1955 du Wall Street Journal. Chrysler avait fait l'autoradio de tout-transistor, Mopar 914HR, disponible modèles comme option commençant dans la chute 1955 pour sa nouvelle ligne de Chrysler 1956 et de voitures impériales qui a frappé la première fois les planchers de salle d'exposition de concessionnaire le 21 octobre 1955.
Transistor de Point-contact
En 1948, le transistor de point-contact a été indépendamment inventé par les physiciens allemands Herbert Mataré et Heinrich Welker tout en travaillant au DES Freins et Signaux Westinghouse, une filiale de Compagnie de Westinghouse située Paris. Mataré a eu une expérience précédente dans des redresseurs cristal se développants de silicium et de germanium dans l'effort allemand de radar pendant la deuxième guerre mondiale. Utilisant cette connaissance, il a commencé rechercher le phénomène de la « interférence » en 1947.
IRFZ44NS/LPbF
| Paramètre | Mn. | |
| V (BR) SAD | Tension claque de Drain--source | 55 |
| △仏 Tj de V (BR) SAD | Temp de tension claque. Coefficient | — |
| Le RDS (dessus) | Sur-résistance statique de Drain--source | — |
| VGS (Th) | Tension de seuil de porte | 2,0 |
| gts | Transconductance en avant | 19 |
| bss | Courant de fuite de Drain--source | — |
| — | ||
| perte | Fuite en avant de Porte--source | — |
| Fuite inverse de Porte--source | — | |
| Qg | Charge totale de porte | — |
| Qgs | Charge de Porte--source | — |
| Qgd | Charge de Porte--drain (« Miller ») | — |
| le TD (dessus) | Temps de retard d'ouverture | — |
| TR | Temps de montée | — |
| le TD () | Temps de retard d'arrêt | — |
| tf | Temps de chute | — |
| LS | Inductance interne de source | — |
| Cjss | Capacité d'entrée | — |
| Coss | Capacité de sortie | — |
| Crss | Capacité inverse de transfert | — |
| Eas | Avalanche simple Energy® d'impulsion | — |
Transistor D2PAK de silicium de Hauni Max Super Slim Advanced Process
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