Commutateur latéral élevé du transistor MOSFET 450mA/850mA de technologie de JUYI, conducteur compatible de transistor MOSFET de Bldc de la logique 3.3V
Numéro de type:JY21L
Quantité d'ordre minimum:1 jeu
Détails d'emballage:Carton du PE bag+
Point d'origine:La Chine
Délai de livraison:5-10 jours
Conditions de paiement:T/T, L/C, Paypal
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Shanghai Shanghai China
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No. 1, ruelle 1199, route yunping, secteur jiading, Changhaï, Chine
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Détails du produit
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Détails du produit
Conducteur de côté de ciel et terre de JY21L, haute tension, conducteur grande vitesse de transistor MOSFET de puissance et d'IGBT basés sur le processus de P-SUB P-EPI.
Description générale
Le produit est une haute tension, un conducteur grande vitesse de
transistor MOSFET de puissance et d'IGBT basés dessus
Processus de P-SUB P-EPI. Le conducteur de canal de flottement peut
être employé pour conduire le N-canal deux
actionnez le transistor MOSFET ou l'IGBT indépendamment qui
fonctionnent jusqu' 150V. Les entrées de logique sont
compatible avec la sortie standard de CMOS ou de LSTTL, vers le bas
la logique 3.3V. La sortie
les conducteurs comportent une étape de tampon actuelle d'impulsion
élevée conçue pour la croix minimum de conducteur
conduction. Des retards de propagation sont assortis pour
simplifier l'utilisation dans la haute fréquence
applications.
Caractéristiques
logique du ● 3.3V compatible
● complètement opérationnel +150V
Canal de flottement de ● conçu pour l'opération d'amorce
Gamme d'approvisionnement d'entraînement de porte de ● de 5.5V 20V
Le ● a produit la capacité actuelle 450mA/850mA de source/évier
Entrée indépendante de logique de ● pour adapter toutes les
topologies
négatif du ● -5V contre la capacité
Retard de propagation assorti par ● pour les deux canaux
Applications
Conducteur de transistor MOSFET ou d'IGBT de puissance de ●
Petit et de capacité moyenne de moteur conducteur de ●
Description de Pin
| Numéro de borne | Nom de Pin | Fonction de Pin |
| 1 | VCC | Approvisionnement de bas côté et d'alimentation secteur |
| 2 | HIN | Logique entrée pour le haut conducteur latéral de porte produit (HO) |
| 3 | LIN | La logique a entré pour le bas conducteur latéral de porte produit (LO) |
| 4 | COM | La terre |
| 5 | LO | Basse sortie latérale d'entraînement de porte, dans la phase avec LIN |
| 6 | CONTRE | Retour de flottement d'approvisionnement de côté élevé ou retour d'amorce |
| 7 | HO | Sortie latérale élevée d'entraînement de porte, dans la phase avec HIN |
| 8 | VB | Approvisionnement de flottement de côté élevé |
Capacités absolues
| Symbole | Définition | MINIMAL. | MAXIMUM. | Unités |
| VB | Approvisionnement de flottement de côté élevé | -0,3 | 150 | V |
| CONTRE | Retour de flottement d'approvisionnement de côté élevé | VB-20 | VB +0,3 | |
| VHO | Sortie latérale élevée d'entraînement de porte | VS-0.3 | VB +0,3 | |
| VCC | Approvisionnement de bas côté et d'alimentation secteur | -0,3 | 25 | |
| VLO | Basse sortie latérale d'entraînement de porte | -0,3 | VCC +0,3 | |
| VIN | Entrée de logique de HIN&LIN | -0,3 | VCC +0,3 | |
| ESD | Modèle de HBM | 2500 | V | |
| Modèle de machine | 200 | V | ||
| Palladium | Dissipation de puissance de paquet @TA≤25ºC | — | 0,63 | W |
| RthJA | Jonction de résistance thermique ambiant | — | 200 | ºC/W |
| TJ | La température de jonction | — | 150 | ºC |
| SOLIDES TOTAUX | Température de stockage | -55 | 150 | |
| TL | La température d'avance | — | 300 |
Note : Le dépassement de ces estimations peut endommager le dispositif
MANUEL D'UTILISATION DU TÉLÉCHARGEMENT JY21L
Commutateur latéral élevé du transistor MOSFET 450mA/850mA de technologie de JUYI, conducteur compatible de transistor MOSFET de Bldc de la logique 3.3V
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