JUYI N Channel High Voltage BLDC Motor Driver MOSFET Application de commutation de puissance de 210 W

Numéro de type:JY11M
Quantité d'ordre minimum:1 jeu
Détails d'emballage:Carton du PE bag+
Point d'origine:La Chine
Délai de livraison:5-10 jours
Conditions de paiement:T/T, L/C, Paypal
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Shanghai Shanghai China
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Transistor MOSFET de puissance de mode d'amélioration de la Manche de JY11M N

 

 

DESCRIPTION GÉNÉRALE


Le JY11M utilise les dernières techniques de traitement de fossé pour réaliser la cellule élevée
la densité et réduit la sur-résistance avec l'estimation répétitive élevée d'avalanche. Ceux-ci
les caractéristiques combinent pour faire cette conception un dispositif extrêmement efficace et fiable pour
utilisation dans l'application de commutation de puissance et une grande variété d'autres applications.


CARACTÉRISTIQUES


● 100V/110A, LE RDS (DESSUS) =6.5MΩ@VGS=10V
Commutation rapide de ● et récupération inverse de corps
Tension et courant d'avalanche entièrement caractérisés de ●
Excellent paquet de ● pour la bonne dissipation thermique


APPLICATIONS
Application de commutation de ●
Circuits dur commutés et haute fréquence de ●
Gestion de puissance de ● pour des systèmes d'inverseur

 

Capacités absolues (Tc=25ºC sauf indication contraire)

SymboleParamètreLimiteUnité
VDSTension de Drain-source100V
VGSTension de Porte-source± 20V
IdentificationDrain continu
Actuel
Tc=25ºC110A
Tc=100ºC82
IDMCourant pulsé de drain395A
PalladiumDissipation de puissance maximum210W
TJ TSTGJonction et température de stockage fonctionnantes
Gamme
-55 +175ºC
RθJCRésistance-jonction thermique au cas0,65ºC/W
RθJARésistance-jonction thermique ambiant62

 


Caractéristiques électriques (Ta=25ºC sauf indication contraire)

SymboleParamètreConditionsMinuteTypeMaximumUnité
Caractéristiques statiques
BVDSSDrain-source
Tension claque
VGS =0V, IDENTIFICATION =250UA100V
IDSSTension nulle de porte
Vidangez le courant
VDS =100V, VGS =0V1uA
IGSSFuite de Porte-corps
Actuel
=± 20V, VDS =0V de VGS± 100Na
VGS (Th)Seuil de porte
Tension
VDS = VGS, IDENTIFICATION =250UA2,03,04,0V
LE RDS (DESSUS)Drain-source
résistance de Sur-état
VGS =10V, IDENTIFICATION =40A6,5
gFSEn avant
Transconductance
VDS =50V, IDENTIFICATION =40A100S


 



MANUEL D'UTILISATION DU TÉLÉCHARGEMENT JY11M

 JY11M.pdf

 

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