Puissance 2MBI100N 060 commutant tension de saturation de module d'alimentation d'IGBT la basse

Numéro de type:2MBI100N-060
Point d'origine:Japon
Quantité d'ordre minimum:1 pcs
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Capacité d'approvisionnement:500pcs
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Module d'alimentation de 2MBI100N-060 IGBT 2-PACK IGBT 600V 100A

MODULE d'IGBT (série de N)

n
caractéristiques de n
• Place RBSOA
• Basse tension de saturation
• Moins de dissipation de puissance totale
• Caractéristique améliorée de FWD
• Inductance égarée interne réduite au minimum
• Fonction de limitation de surintensité (
~3 fois ont évalué le courant)
n
applications d'azote
• Commutation de puissance élevée
• C.A. contrôles de moteur
• C.C contrôles de moteur
• Alimentation d'énergie non interruptible

Description1. IGBT est une intégration fonctionnelle des dispositifs de transistor MOSFET et de BJT de puissance en forme monolithique
2. IGBT combine les meilleurs attributs de chacun des deux pour réaliser des caractéristiques optimales de dispositif. Chaque module se compose de deux qu'IGBTs dans une configuration de moitié-pont avec chaque transistor ayant une récupération ultra-rapide inverse-reliée font roue libre la diode.
3. Tout le componentsand relie ensemble sont isolés dans la plaque de base de descente de la chaleur, offrant l'assemblage du système simplifié.
Caractéristique1). Place RBSOA
2). Basse tension de saturation
3). Fonction de limitation de surintensité (~3 fois ont évalué le courant)
4). IGBT est dispositif de semi-conducteur de puissance de trois-terminal
5). Opération haute fréquence
Application1). Le C.A. conduisent l'inverseur
2). Servocommande
3). UPS, alimentation d'énergie non interruptible
4). Alimentations d'énergie de soudure

estimations maximum et caractéristiques de n
• Capacités absolues (Tc=25°C)
Unités d'estimations de symboles d'articles
Tension de collecteur-émetteur VCES 600V
Porte - ± 20V de la tension VGES d'émetteur
IC continu 100
Collecteur 1ms
IMPULSION 200 D'IC
Continu actuel - IC 100 1ms
- IMPULSION 200 D'IC
PC maximal 400W de dissipation de puissance
°C de Tj +150 de température de fonctionnement
Température de stockage Tstg -40∼ +125°C
Isolement VoltageA.C. 1min.Vis 2500V
Support *13.5
Terminaux *13.5
Note : *1 : Valeur recommandable ; 2.5∼ 3,5 nanomètre (M



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Puissance 2MBI100N 060 commutant tension de saturation de module d'alimentation d'IGBT la basse

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