Transistor diffus triple 3.0PF de silicium du transistor de puissance de 2SC5027 NPN NPN
Numéro de type:2SC5027
Point d'origine:La Chine
Quantité d'ordre minimum:10
Conditions de paiement:T/T, Western Union, ENGAGEMENT
Capacité d'approvisionnement:10000PCS
Délai de livraison:Stock
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Shenzhen Guangdong China
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FORTUNE du RM 311 3/F LINZHAN ÉTABLISSANT LE SECTEUR SHENZHEN, CHINE de la ROUTE LIUYUE LONGGANG de la RUE SHENFENG de No.1 SHENHUA
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TRIPLE du SILICIUM NPN de TRANSISTOR d'usage universel de diode de redresseur 2SC5027 DIFFUS
APPLICATIONS HAUTE TENSION DE COMMUTATION ET D'AMPLIFICATEUR
* haute tension : VCEO = 300V
* petite capacité de sortie de collecteur : Cob=3.0pf
| PARAMÈTRE | SYMBOLE | ESTIMATIONS | UNITÉ |
| Tension de collecteur-base | VCBO | 300 | V |
| Tension de collecteur-émetteur | VCEO | 300 | V |
| Tension d'Émetteur-base | VEBO | 7 | V |
| Courant de collecteur | IC | 100 | mA |
| Courant bas | IB | 50 | mA |
| Dissipation de puissance de collecteur | PC | 1,3 | W |
| La température de jonction | TJ | 150 | ℃ |
| Température de stockage | TSTG | -55 | +150 | ℃ |
Co Ltd de tehcnology de l'électronique d'épicerie
www.zd_zd_icmemorychip.com
Email : sales3@deli-ic.com
Skype : hkdeli881
Téléphone : 86-0755-82539981
Transistor diffus triple 3.0PF de silicium du transistor de puissance de 2SC5027 NPN NPN
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