Tension de saturation matérielle de collecteur de silicium de transistors de 2SD1899 NPN PNP basse
Numéro de type:2SD1899
Point d'origine:Japon
Quantité d'ordre minimum:10 pcs
Conditions de paiement:T/T, Western Union, ENGAGEMENT
Capacité d'approvisionnement:10000PCS
Délai de livraison:Stock
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Fournisseur Vérifié
Shenzhen Guangdong China
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FORTUNE du RM 311 3/F LINZHAN ÉTABLISSANT LE SECTEUR SHENZHEN, CHINE de la ROUTE LIUYUE LONGGANG de la RUE SHENFENG de No.1 SHENHUA
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Silicium NPN PowerTransistor de transistors de 2SD1899 NPN PNP
DESCRIPTION
·Basse tension de saturation de collecteur
·avalanche 100% examinée
·Variations minimum de Sort--sort pour la représentation robuste de dispositif et l'opération fiable
APPLICATIONS
·Applications élevées de fréquence de transition
Caractéristiques
Catégorie : BJT - usage universel
Fabricant : TECHNOLOGIE DE RENESAS
Courant de collecteur (C.C) : 3 (A)
Tension de collecteur-base : 60 (V)
Tension de collecteur-émetteur : 60 (V)
Tension d'Émetteur-base : 7 (V)
Fréquence : 120 (mégahertz)
Dissipation de puissance : 2 (W)
Montage : Bti extérieur
Chaîne fonctionnante de Temp : -55C 150C
Type de paquet : TO-252
Compte de Pin : 2 +Tab
Nombre d'éléments : 1
Classification de température de fonctionnement : Militaire
Catégorie : Puissance bipolaire
Rad durci : Non
Polarité de transistor : NPN
De puissance de sortie : Non requis (W)
Configuration : Simple
Gain actuel de C.C : 60@0.2A @2V/50@2A @2V
Co Ltd de tehcnology de l'électronique d'épicerie
www.zd_zd_icmemorychip.com
Email : sales@deli-ic.com
Skype : hksunny3
Téléphone : 86-0755-82539981
Tension de saturation matérielle de collecteur de silicium de transistors de 2SD1899 NPN PNP basse
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