2SC2987 transistors de puissance du silicium NPN, transistor de puissance élevée de 120W 20A
Numéro de type:2SC2987
Point d'origine:Japon
Quantité d'ordre minimum:10pcs
Conditions de paiement:T/T, Western Union, ENGAGEMENT
Capacité d'approvisionnement:5000
Délai de livraison:Stock
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Shenzhen Guangdong China
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Transistors de puissance du silicium NPN de transistors de 2SC2987 NPN PNP
DESCRIPTION ·Avec le paquet de TO-3PN ·Complément pour
dactylographier 2SA1227 ·Dissipation de puissance élevée
APPLICATIONS ·Pour des applications d'amplificateur de puissance de
fréquence sonore
GOUPILLER
DESCRIPTION DE PIN
1 base
2Collector ; relié monter la base
Émetteur 3
Capacités absolues (Ta=25℃)
| SYMBOLE | PARAMÈTRE | CONDITIONS | VALEUR |
| VCBO | Tension de collecteur-base | Ouvrez l'émetteur | 140V |
| VCEO | Tension de collecteur-émetteur | Ouvrez la base | 140V |
| VEBO | tension d'Émetteur-base | Ouvrez le collecteur | 5V |
| IC | Courant de collecteur (C.C) | 12A | |
| Missile aux performances améliorées | Actuel-crête de collecteur | 20A | |
| PC | Dissipation de puissance de collecteur | TC=25℃ | 120W |
| Tj | La température de jonction | ℃ 150 | |
| Tstg | Température de stockage | -55~150 ℃ |
Co Ltd de tehcnology de l'électronique d'épicerie
www.zd_zd_icmemorychip.com
Email : sales3@deli-ic.com
Skype : hkdeli881
Téléphone : 86-0755-82539981
2SC2987 transistors de puissance du silicium NPN, transistor de puissance élevée de 120W 20A
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