Transistor de puissance de BFS505 15V rf, transistor de bâti de surface de 18mA 9GHz 150mW
Numéro de type:BFS505
Point d'origine:La Chine
Quantité d'ordre minimum:3000 pcs
Conditions de paiement:T/T, Western Union, ENGAGEMENT
Capacité d'approvisionnement:60000PCS
Délai de livraison:Stock
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Fournisseur Vérifié
Shenzhen Guangdong China
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FORTUNE du RM 311 3/F LINZHAN ÉTABLISSANT LE SECTEUR SHENZHEN, CHINE de la ROUTE LIUYUE LONGGANG de la RUE SHENFENG de No.1 SHENHUA
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Détails du produit
Bti de surface du transistor NPN 15V 18mA 9GHz 150mW des transistors rf de BFS505 NPN PNP
NPN transistor de bande large de 9 gigahertz
CARACTÉRISTIQUES
• Consommation faible intensité
• Gain de puissance élevée
• Figure faible bruit
• Haute fréquence de transition
• La métallisation d'or s'assure
excellente fiabilité
• Enveloppe SOT323.
DESCRIPTION
Transistor de NPN en plastique SOT323
enveloppe.
On le prévoit pour des amplificateurs de puissance faible,
oscillateurs et mélangeurs particulièrement dedans
Communication de portable de rf
équipement (téléphones mobiles, sans fil
téléphones, bipeurs) jusqu' 2 gigahertz.
| Attributs de produit | Choisissez tous |
| Catégories | Produits semiconducteurs discrets |
| Transistors - bipolaires (BJT) - rf | |
| Fabricant | NXP USA Inc. |
| Série | - |
| Empaquetage | Bande et bobine (TR) |
| Statut de partie | Obsolète |
| Type de transistor | NPN |
| Tension - panne de collecteur-émetteur (maximum) | 15V |
| Fréquence - transition | 9GHz |
| Chiffre de bruit (type de DB @ f) | 1.2dB | 2.1dB @ 900MHz |
| Gain | - |
| Puissance - maximum | 150mW |
| Gain actuel de C.C (hFE) (minute) @ IC, Vce | 60 @ 5mA, 6V |
| Actuel - collecteur (IC) (maximum) | 18mA |
| Température de fonctionnement | 175°C (TJ) |
| Type de support | Bti extérieur |
| Paquet/cas | SC-70, SOT-323 |
| Paquet de dispositif de fournisseur | SOT-323-3 |
Co Ltd de tehcnology de l'électronique d'épicerie
www.zd_zd_icmemorychip.com
Email : sales3@deli-ic.com
Skype : hkdeli881
Téléphone : 86-0755-82539981
Transistor de puissance de BFS505 15V rf, transistor de bâti de surface de 18mA 9GHz 150mW
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