Commutateur latéral élevé vertical de transistor de puissance de transistor MOSFET de puissance de BUK201-50Y bas sur la résistance d'état
Numéro de type:BUK201-50Y
Point d'origine:Malaisie
Quantité d'ordre minimum:10 pcs
Conditions de paiement:T/T, Western Union, ENGAGEMENT
Capacité d'approvisionnement:5000
Délai de livraison:Stock
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Fournisseur Vérifié
Shenzhen Guangdong China
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FORTUNE du RM 311 3/F LINZHAN ÉTABLISSANT LE SECTEUR SHENZHEN, CHINE de la ROUTE LIUYUE LONGGANG de la RUE SHENFENG de No.1 SHENHUA
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Commutateur latéral élevé du transistor TOPFET de PowerMOS de transistors de BUK201-50Y NPN PNP
DESCRIPTION
La température monolithique et
commutateur électrique protégé par surcharge
basé sur la technologie de transistor MOSFET dans a
Courant nominal de charge (OIN)
enveloppe en plastique de 5 bornes, configurée
comme commutateur latéral élevé simple.
CARACTÉRISTIQUES
Commutateur vertical de la puissance DMOS
Basse résistance de sur-état
Entrée compatible de logique de 5 V
Protection de surchauffe -
remises d'individu avec l'hystérésis
Protection de surcharge contre
charge de court-circuit avec
limitation de courant de sortie ;
verrouillé - remise par l'entrée
Charge de tension d'alimentation élevée
protection
Le sousvoltage d'approvisionnement ferment clef
Indication de statut pour la surcharge
protection activée
Indication de statut diagnostique
de la charge de circuit ouvert
Très bas courant tranquille
La tension maintenant pour s'éteignent de
charges inductives
Protection d'ESD sur toutes les goupilles
Batterie inverse et
protection de surtension
Co Ltd de tehcnology de l'électronique d'épicerie
www.zd_zd_icmemorychip.com
Email : sales3@deli-ic.com
Skype : hkdeli881
Téléphone : 86-0755-82539981
Commutateur latéral élevé vertical de transistor de puissance de transistor MOSFET de puissance de BUK201-50Y bas sur la résistance d'état
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