Le plastique de CJ2310 S10 encapsulent le transistor MOSFET à double portail, transistor MOSFET de la Manche de la puissance élevée N

Numéro de type:CJ2310 S10
Point d'origine:La Chine
Quantité d'ordre minimum:3000 pcs
Conditions de paiement:T/T, Western Union, ENGAGEMENT
Capacité d'approvisionnement:30000PCS
Délai de livraison:Stock
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Fournisseur Vérifié
Shenzhen Guangdong China
Adresse: FORTUNE du RM 311 3/F LINZHAN ÉTABLISSANT LE SECTEUR SHENZHEN, CHINE de la ROUTE LIUYUE LONGGANG de la RUE SHENFENG de No.1 SHENHUA
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Le transistor MOSFET de N-canal de transistors de CJ2310 S10 NPN PNP Plastique-encapsulent des TRANSISTORS MOSFET


DESCRIPTION


Le CJ2310 emploie la technologie avancée de fossé pour fournir l'excellent RDS (DESSUS), la basses charge de porte et opération la tension de porte aussi bas que 2.5V. Ce dispositif convient pour l'usage comme protection de batterie ou dans l'autre application de commutation.

 de CARACTÉRISTIQUE


Puissance élevée et  de remise actuel de capacité

Le produit sans plomb est  acquis

Paquet extérieur de bti


 d'APPLICATION


 de commutateur de batterie

Convertisseur de DC/DC


Estimations maximum (Ta=25℃ sauf indication contraire)
Unité de valeur de symbole de paramètre
Tension VDS 60 V de Drain-source
Tension VGS ±20 V de Porte-source
Identification actuelle 3 A de drain continu
Courant pulsé de drain (note 1) I DM 10 A
Palladium 0,35 W de dissipation de puissance
Résistance thermique de jonction ambiant (R de θJA 357 ℃/W de note 2)
℃ de la température de jonction TJ 150
℃ de la température de stockage TSTG -55~+150



Co Ltd de tehcnology de l'électronique d'épicerie
www.zd_zd_icmemorychip.com
Email : sales3@deli-ic.com
Skype : hkdeli881
Téléphone : 86-0755-82539981

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