Comité technique bipolaire du transistor 38W de Npn de la Manche de FDPF10N60NZN par le trou à 220F
Numéro de type:FDPF10N60NZ
Point d'origine:La Chine
Quantité d'ordre minimum:10 pcs
Conditions de paiement:T/T, Western Union, ENGAGEMENT
Capacité d'approvisionnement:10000PCS
Délai de livraison:Stock
Contacter
Add to Cart
Fournisseur Vérifié
Shenzhen Guangdong China
Adresse:
FORTUNE du RM 311 3/F LINZHAN ÉTABLISSANT LE SECTEUR SHENZHEN, CHINE de la ROUTE LIUYUE LONGGANG de la RUE SHENFENG de No.1 SHENHUA
dernière connexion fois fournisseur:
dans 41 heures
Détails du produit
Profil de la société
Détails du produit
N-canal 600V 10A (comité technique) 38W (comité technique) de transistors de FDPF10N60NZ NPN PNP par le trou TO-220F
Transistor MOSFET 600V, 10A, 0,75 de N-canal
Caractéristiques
•Le RDS (dessus) = 0,64 (type.) @ VGS = 10V, identification = 5A
• Basse charge de porte (type. 23nC)
• Bas Crss (type. 10pF)
• Commutation rapide
• Avalanche 100% examinée
• Capacité améliorée de dv/dt
• Capacité améliorée par ESD
• RoHS conforme
Description
Ceux-ci effet de champ de puissance de mode d'amélioration de
N-canal
des transistors sont produits utilisant la classe des propriétaires
de Fairchild, planaire
rayure, technologie de DMOS.
Cette technologie de pointe a été particulièrement travaillée pour
réduire au minimum
la résistance de sur-état, fournissent la commutation supérieure
représentation, et impulsion de haute énergie de tenue dans
l'avalanche
et mode de commutation. Ces dispositifs sont bien adaptés pour la
haute
alimentations d'énergie commutées efficaces de mode et facteur de
puissance active
correction
UE RoHS | Conforme avec l'exemption |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Catégorie de produit | Transistor MOSFET de puissance |
| Configuration | Simple |
| Technologie transformatrice | UniFET II |
| Mode de la Manche | Amélioration |
| Type de la Manche | N |
| Nombre d'éléments par puce | 1 |
| Tension maximum de source de drain (v) | 600 |
| Tension de source de porte maximum (v) | ±25 |
| Tension maximum de seuil de porte (v) | 5 |
| Courant continu maximum de drain (a) | 10 |
| Courant maximum de fuite de source de porte (Na) | 10000 |
| Maximum IDSS (uA) | 1 |
| Résistance maximum de source de drain (mOhm) | 750@10V |
| Charge typique @ Vgs (OR) de porte | 23@10V |
| Charge typique @ 10V (OR) de porte | 23 |
| Capacité typique @ Vds (PF) d'entrée | 1110@25V |
| Dissipation de puissance maximum (mW) | 38000 |
| Temps typique d'automne (NS) | 50 |
| Temps de montée typique (NS) | 50 |
| Temps de retard d'arrêt typique (NS) | 70 |
| Temps de retard d'ouverture typique (NS) | 25 |
| Température de fonctionnement minimum (°C) | -55 |
| Température de fonctionnement maximum (°C) | 150 |
| Empaquetage | Tube |
| Paquet de fournisseur | TO-220FP |
| Nom de forfait standard | TO-220 |
| Compte de Pin | 3 |
| Montage | Par le trou |
| Taille de paquet | 15,87 |
| Longueur de paquet | 10,16 |
| Largeur de paquet | 4,7 |
| Carte PCB changée | 3 |
| Étiquette | Étiquette |
| Forme d'avance | Par le trou |
Co Ltd de tehcnology de l'électronique d'épicerie
www.zd_zd_icmemorychip.com
Email : sales3@deli-ic.com
Skype : hkdeli881
Téléphone : 86-0755-82539981
Comité technique bipolaire du transistor 38W de Npn de la Manche de FDPF10N60NZN par le trou à 220F
Inquiry Cart
0