Courant rapide du mode page de DRACHME du × 16 CMOS de la puce de mémoire d'AS4C1M16F5 60JC IC 5V 1M 2.0MA
Numéro de type:AS4C1M16F5-60JC
Point d'origine:Malaisie
Conditions de paiement:T/T, Western Union, paypal
Capacité d'approvisionnement:10000pcs
Quantité d'ordre minimum:10 PCs
Délai de livraison:dans 2-3days courant
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Shenzhen Guangdong China
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FORTUNE du RM 311 3/F LINZHAN ÉTABLISSANT LE SECTEUR SHENZHEN, CHINE de la ROUTE LIUYUE LONGGANG de la RUE SHENFENG de No.1 SHENHUA
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Mode de rapide-page de DRACHME de la puce de mémoire d'AS4C1M16F5-60JC IC 5V 1M×16 CMOS
Caractéristiques
• Organisation : 1 048 576 bits du × 16 de mots
• Grande vitesse
- 50/60 temps d'accès de NS RAS
- 20/25 durée de cycle rapide de page de NS
- 13/17 temps d'accès de NS CAS
• Consommation de puissance faible
- Actif :
880 mW maximum (AS4C1M16E0-60)
- Remplaçant :
11 mW maximum, CMOS DQ
• Mode page rapide
• 1024 régénèrent les cycles, 16 que Mme régénèrent l'intervalle
- réservé RAS ou CAS-avant-RAS régénérez
• Lecture-modifier-écrivez
• TTL-compatible, trois-état DQ
• Forfait standard et pinout de JEDEC
- 400 mils, SOJ de 42 bornes
- 400 mils, 44/50-pin TSOP II
• alimentation de l'énergie 5V
• La température industrielle et commerciale disponible
Description fonctionnelle
L'AS4C1M16F5 est une mémoire vive dynamique du million de bits CMOS
de la haute performance 16 (DRACHME) organisée As
1 048 576 bits du × 16 de mots. L'AS4C1M16F5 est fabriqué utilisant
la technologie avancée de CMOS et la conception innovatrice
techniques ayant pour résultat la grande vitesse, extrêmement -
puissance faible et marges larges d'opération au composant et aux
niveaux système.
La famille de DRACHME d'Alliance 16Mb est optimisée pour l'usage
comme de mémoire centrale dans les PCs, les postes de travail, et
les multimédia personnels et portatifs
et applications de commutateur de routeur.
L'AS4C1M16F5 montre l'opération grande vitesse de mode page où
lisez et écrivez les opérations dans une rangée simple (ou la page)
peut être exécutée la grande vitesse même (15 NS de XCAS) par des adresses de colonne la
sélection dans cette rangée. Rangée et colonne
des adresses sont alternativement verrouillées dans des tampons
d'entrée utilisant le bord en baisse de RAS et d'entrées de xCAS
respectivement. En outre, RAS est employé
pour faire le discours de colonne verrouillez transparent, en
permettant l'application des adresses de colonne avant
l'affirmation de xCAS.
AS4C1M16F5 fournit doubles UCAS et LCAS pour le contrôle
indépendant d'octet de la lecture et l'accès en écriture.
Régénérez sur les 1024 combinaisons d'adresse d'A0 A9 doit être
exécuté chaque utilisation de 16 Mme :
•
réservé RAS régénérez : RAS est affirmé tandis que le xCAS est jugé
haut. Chacune des 1024 rangées doit strobed. Les sorties demeurent
grande impédance.
• Caché régénérez :
le xCAS est jugé bas tandis que RAS est basculé. Les sorties
demeurent basse impédance avec des données valides précédentes.
•
CAS-avant-RAS régénérez (CBR) : Au moins un xCAS est affirmé avant
RAS. Régénérez l'adresse est produit intérieurement.
Les sorties sont hautes-impedence (
OE et NOUS sommes ne nous inquiétons pas).
• La normale a lu ou écrit des cycles régénèrent la rangée étant
accédés.
L'AS4C1M16F5 est disponible dans le SOJ en plastique standard de 42
bornes et les paquets de 44/50-pin TSOP II, respectivement. Il
fonctionne
avec une alimentation d'énergie simple en 5V ± 0.5V. Le dispositif
fournit les entrées et sorties compatibles de TTL.
Tehcnology Co.,Ltd. de l'électronique d'épicerie
www.zd_zd_icmemorychip.com
www.deli-ic.com
Email : sales3@deli-ic.com
Skype : hkdeli881
Contact : VIVI-CHEN
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