0,02 un transistor extérieur de bâti, transistors de puissance de Npn de silicium VFR3VD31E131T51B

Numéro de type:VFR3VD31E131T51B
Point d'origine:Japon
Quantité d'ordre minimum:10pcs
Conditions de paiement:T / T, Western Union, MoneyGram
Capacité d'approvisionnement:1000000
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Fournisseur Vérifié
Shenzhen Guangdong China
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Détails du produit Profil de la société
Détails du produit
Détails rapides
Marque :
Tout neuf
Numéro de type :
2SC3264Y
Paquet :
TO3P
D/C :
Le plus nouveau
Type :
Conduisez IC, composants
Catégories :
Circuits intégrés (ICs)
Numéro de la pièce :
2SC3264Y
Empaquetage de dispositif de fournisseur :
TO3P
Type de support :
Bti extérieur, dans tout le trou
Température de fonctionnement :
Standard
Empaquetage :
Le volume de plateau de tube de bande magnétique
Actuel-approvisionnement :
Tension standard
Entrée-sortie :
Standard
Numéro de la pièce bas :
2SC3264Y


China 0,02 un transistor extérieur de bâti, transistors de puissance de Npn de silicium VFR3VD31E131T51B supplier

0,02 un transistor extérieur de bâti, transistors de puissance de Npn de silicium VFR3VD31E131T51B

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