Par le transistor de puissance élevée de trou, transistor MOSFET N-CH 500V 14A TO220F de la Manche d'AOTF14N50 N
Numéro de type:AOTF14N50
Point d'origine:Originale
Quantité d'ordre minimum:10pcs.
Conditions de paiement:T / T, Western Union, MoneyGram
Capacité d'approvisionnement:100000
Délai de livraison:3-5days
Contacter
Add to Cart
Fournisseur Vérifié
Shenzhen Guangdong China
Adresse:
FORTUNE du RM 311 3/F LINZHAN ÉTABLISSANT LE SECTEUR SHENZHEN, CHINE de la ROUTE LIUYUE LONGGANG de la RUE SHENFENG de No.1 SHENHUA
dernière connexion fois fournisseur:
dans 41 heures
Détails du produit
Profil de la société
Détails du produit
| Numéro de la pièce : AOTF14N50 |
| Description : Transistor MOSFET N-CH 500V 14A TO220F |
| Catégorie : Semi-conducteur discret Products>>FETs - choisissez |
| Empaquetage : Tube |
| Type de FET : N-canal |
| Technologie : Transistor MOSFET (oxyde de métal) |
| Vidangez la tension de source (Vdss) : 500V |
| Actuel - continu drain) (d'identification/25°C : 14A (comité technique) |
| Tension d'entraînement (le RDS maximum dessus, minute le RDS dessus) : 10V |
| Le RDS sur (maximum)/identification, Vgs : 380 mOhm/7A, 10V |
| Vgs (Th) (maximum)/identification : 4.5V/250µA |
| Porte charge (Qg) (maximum)/Vgs : 51nC/10V |
| Vgs (maximum) : ±30V |
| Entrée capacité (Ciss) (maximum)/Vds : 2297pF/25V |
| Caractéristique de FET : - |
| Dissipation de puissance (maximum) : 50W (comité technique) |
| Température de fonctionnement : - 55°C | 150°C (TJ) |
| Type de support : Par le trou |
| Paquet de dispositif de fournisseur : TO-220-3F |
| Paquet/cas : Plein paquet TO-220-3 |
Co Ltd de tehcnology de l'électronique d'épicerie
www.zd_zd_icmemorychip.com
Email : sales3@deli-ic.com
Skype : hkdeli881
Site Web : www.deli-ic.com
Téléphone : 86-0755-82539981
Par le transistor de puissance élevée de trou, transistor MOSFET N-CH 500V 14A TO220F de la Manche d'AOTF14N50 N
Inquiry Cart
0